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BRY62-T

产品描述Silicon Controlled Switch, SILICON CONTROLLED SWITCH
产品类别模拟混合信号IC    触发装置   
文件大小72KB,共12页
制造商NXP(恩智浦)
官网地址https://www.nxp.com
下载文档 详细参数 选型对比 全文预览

BRY62-T概述

Silicon Controlled Switch, SILICON CONTROLLED SWITCH

BRY62-T规格参数

参数名称属性值
包装说明SMALL OUTLINE, R-PDSO-G4
Reach Compliance Codeunknown
Is SamacsysN
外壳连接ANODE GATE
配置SINGLE
直流发射极电流(NPN)-最大值0.175 A
直流发射极电流(PNP)-最大值0.175 A
从发射器到基本电压限制(NPN)-最大值5 V
从发射极到基本电压极限(PNP)-最大值70 V
最大维持电流1 mA
JESD-30 代码R-PDSO-G4
元件数量1
端子数量4
最高工作温度150 °C
封装主体材料PLASTIC/EPOXY
封装形状RECTANGULAR
封装形式SMALL OUTLINE
认证状态Not Qualified
表面贴装YES
端子形式GULL WING
端子位置DUAL
触发设备类型SILICON CONTROLLED SWITCH
Base Number Matches1

BRY62-T相似产品对比

BRY62-T BRY62T/R
描述 Silicon Controlled Switch, SILICON CONTROLLED SWITCH Silicon Controlled Switch, SILICON CONTROLLED SWITCH
包装说明 SMALL OUTLINE, R-PDSO-G4 SMALL OUTLINE, R-PDSO-G4
Reach Compliance Code unknown unknown
外壳连接 ANODE GATE ANODE GATE
配置 SINGLE SINGLE
直流发射极电流(NPN)-最大值 0.175 A 0.175 A
直流发射极电流(PNP)-最大值 0.175 A 0.175 A
从发射器到基本电压限制(NPN)-最大值 5 V 5 V
从发射极到基本电压极限(PNP)-最大值 70 V 70 V
最大维持电流 1 mA 1 mA
JESD-30 代码 R-PDSO-G4 R-PDSO-G4
元件数量 1 1
端子数量 4 4
最高工作温度 150 °C 150 °C
封装主体材料 PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY
封装形状 RECTANGULAR RECTANGULAR
封装形式 SMALL OUTLINE SMALL OUTLINE
认证状态 Not Qualified Not Qualified
表面贴装 YES YES
端子形式 GULL WING GULL WING
端子位置 DUAL DUAL
触发设备类型 SILICON CONTROLLED SWITCH SILICON CONTROLLED SWITCH

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