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74AUP1G09GN

产品描述IC AUP/ULP/V SERIES, 2-INPUT AND GATE, PDSO6, 0.90 X 1 MM, 0.35 MM HEIGHT, SOT-1115, SON-6, Gate
产品类别逻辑    逻辑   
文件大小335KB,共19页
制造商NXP(恩智浦)
官网地址https://www.nxp.com
标准
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74AUP1G09GN概述

IC AUP/ULP/V SERIES, 2-INPUT AND GATE, PDSO6, 0.90 X 1 MM, 0.35 MM HEIGHT, SOT-1115, SON-6, Gate

74AUP1G09GN规格参数

参数名称属性值
是否Rohs认证符合
厂商名称NXP(恩智浦)
零件包装代码SON
包装说明SON, SOLCC6,.04,12
针数6
Reach Compliance Codecompliant
系列AUP/ULP/V
JESD-30 代码R-PDSO-N6
JESD-609代码e3
长度1 mm
负载电容(CL)30 pF
逻辑集成电路类型AND GATE
最大I(ol)0.0017 A
湿度敏感等级1
功能数量1
输入次数2
端子数量6
最高工作温度125 °C
最低工作温度-40 °C
输出特性OPEN-DRAIN
封装主体材料PLASTIC/EPOXY
封装代码SON
封装等效代码SOLCC6,.04,12
封装形状RECTANGULAR
封装形式SMALL OUTLINE
峰值回流温度(摄氏度)260
电源1.2/3.3 V
Prop。Delay @ Nom-Sup24 ns
传播延迟(tpd)24 ns
认证状态Not Qualified
施密特触发器YES
座面最大高度0.35 mm
最大供电电压 (Vsup)3.6 V
最小供电电压 (Vsup)0.8 V
标称供电电压 (Vsup)1.1 V
表面贴装YES
技术CMOS
温度等级AUTOMOTIVE
端子面层Tin (Sn)
端子形式NO LEAD
端子节距0.3 mm
端子位置DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间30
宽度0.9 mm

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74AUP1G09
Low-power 2-input AND gate with open-drain
Rev. 4 — 28 June 2012
Product data sheet
1. General description
The 74AUP1G09 provides the single 2-input AND gate with an open-drain output. The
output of the device is an open-drain and can be connected to other open-drain outputs to
implement active-LOW wired-OR or active-HIGH wired-AND functions.
Schmitt trigger action at all inputs makes the circuit tolerant to slower input rise and fall
times across the entire V
CC
range from 0.8 V to 3.6 V.
This device ensures a very low static and dynamic power consumption across the entire
V
CC
range from 0.8 V to 3.6 V.
This device is fully specified for partial Power-down applications using I
OFF
.
The I
OFF
circuitry disables the output, preventing the damaging backflow current through
the device when it is powered down.
2. Features and benefits
Wide supply voltage range from 0.8 V to 3.6 V
High noise immunity
Complies with JEDEC standards:
JESD8-12 (0.8 V to 1.3 V)
JESD8-11 (0.9 V to 1.65 V)
JESD8-7 (1.2 V to 1.95 V)
JESD8-5 (1.8 V to 2.7 V)
JESD8-B (2.7 V to 3.6 V)
ESD protection:
HBM JESD22-A114F Class 3A exceeds 5000 V
MM JESD22-A115-A exceeds 200 V
CDM JESD22-C101E exceeds 1000 V
Low static power consumption; I
CC
= 0.9
μA
(maximum)
Latch-up performance exceeds 100 mA per JESD 78 Class II
Inputs accept voltages up to 3.6 V
Low noise overshoot and undershoot < 10 % of V
CC
I
OFF
circuitry provides partial Power-down mode operation
Multiple package options
Specified from
−40 °C
to +85
°C
and
−40 °C
to +125
°C

74AUP1G09GN相似产品对比

74AUP1G09GN 74AUP1G09GS 74AUP1G09GX
描述 IC AUP/ULP/V SERIES, 2-INPUT AND GATE, PDSO6, 0.90 X 1 MM, 0.35 MM HEIGHT, SOT-1115, SON-6, Gate IC AUP/ULP/V SERIES, 2-INPUT AND GATE, PDSO6, 1 X 1 MM, 0.35 MM HEIGHT, SOT-1202, SON-6, Gate AUP/ULP/V SERIES, 2-INPUT AND GATE, PDSO5, 0.80 X 0.80 MM, 0.35 MM HEIGHT, PLASTIC, SOT-1226, X2SON-5
是否Rohs认证 符合 符合 符合
厂商名称 NXP(恩智浦) NXP(恩智浦) NXP(恩智浦)
零件包装代码 SON SON SON
包装说明 SON, SOLCC6,.04,12 VSON, SOLCC6,.04,14 HVSON,
针数 6 6 5
Reach Compliance Code compliant compliant unknow
系列 AUP/ULP/V AUP/ULP/V AUP/ULP/V
JESD-30 代码 R-PDSO-N6 S-PDSO-N6 S-PDSO-N5
JESD-609代码 e3 e3 e3
长度 1 mm 1 mm 0.8 mm
逻辑集成电路类型 AND GATE AND GATE AND GATE
湿度敏感等级 1 1 1
功能数量 1 1 1
输入次数 2 2 2
端子数量 6 6 5
最高工作温度 125 °C 125 °C 125 °C
最低工作温度 -40 °C -40 °C -40 °C
输出特性 OPEN-DRAIN OPEN-DRAIN OPEN-DRAIN
封装主体材料 PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY
封装代码 SON VSON HVSON
封装形状 RECTANGULAR SQUARE SQUARE
封装形式 SMALL OUTLINE SMALL OUTLINE, VERY THIN PROFILE SMALL OUTLINE, HEAT SINK/SLUG, VERY THIN PROFILE
峰值回流温度(摄氏度) 260 260 260
传播延迟(tpd) 24 ns 24 ns 24 ns
座面最大高度 0.35 mm 0.35 mm 0.35 mm
最大供电电压 (Vsup) 3.6 V 3.6 V 3.6 V
最小供电电压 (Vsup) 0.8 V 0.8 V 0.8 V
标称供电电压 (Vsup) 1.1 V 1.1 V 1.1 V
表面贴装 YES YES YES
技术 CMOS CMOS CMOS
温度等级 AUTOMOTIVE AUTOMOTIVE AUTOMOTIVE
端子面层 Tin (Sn) Tin (Sn) TIN
端子形式 NO LEAD NO LEAD NO LEAD
端子节距 0.3 mm 0.35 mm 0.48 mm
端子位置 DUAL DUAL DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间 30 30 30
宽度 0.9 mm 1 mm 0.8 mm
负载电容(CL) 30 pF 30 pF -
最大I(ol) 0.0017 A 0.0017 A -
封装等效代码 SOLCC6,.04,12 SOLCC6,.04,14 -
电源 1.2/3.3 V 1.2/3.3 V -
Prop。Delay @ Nom-Sup 24 ns 24 ns -
认证状态 Not Qualified Not Qualified -
施密特触发器 YES YES -
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