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3KP160A_B0_10001: 产品描述Trans Voltage Suppressor Diode, 3000W, 160V V(RWM), Unidirectional, 1 Element, Silicon,; 产品类别分立半导体二极管; 文件大小104KB，共6页; 制造商强茂(PANJIT); 官网地址http://www.panjit.com.tw/; 标准; PANJIT 是一家全球 IDM，提供广泛的产品组合，包括 MOSFET、肖特基二极管、SiC 器件、双极结型晶体管和电桥等。公司旨在满足客户在汽车、电源、工业、计算、消费和通信等各种应用领域的需求。他们的愿景是通过质量可靠、节能高效的产品为世界提供电源，为人们带来更绿色、更智能的未来。公司核心价值观包括创新、责任、以客户为中心、学习与成长、相互信任和协作。

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Trans Voltage Suppressor Diode, 3000W, 160V V(RWM), Unidirectional, 1 Element, Silicon,

参数名称	属性值
是否无铅	不含铅
是否Rohs认证	符合
包装说明	O-PALF-W2
Reach Compliance Code	_compli
ECCN代码	EAR99
其他特性	EXCELLENT CLAMPING CAPABILITY, LOW ZENER IMPEDANCE, UL RECOGNIZED
最大击穿电压	205 V
最小击穿电压	178 V
外壳连接	ISOLATED
配置	SINGLE
二极管元件材料	SILICON
二极管类型	TRANS VOLTAGE SUPPRESSOR DIODE
JESD-30 代码	O-PALF-W2
最大非重复峰值反向功率耗散	3000 W
元件数量	1
端子数量	2
最高工作温度	175 °C
最低工作温度	-55 °C
封装主体材料	PLASTIC/EPOXY
封装形状	ROUND
封装形式	LONG FORM
峰值回流温度（摄氏度）	NOT SPECIFIED
极性	UNIDIRECTIONAL
最大重复峰值反向电压	160 V
表面贴装	NO
技术	AVALANCHE
端子形式	WIRE
端子位置	AXIAL
处于峰值回流温度下的最长时间	NOT SPECIFIED
Base Number Matches	1

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题外话，IAREWSTM8，Stack/Heap设置的问题: 在IAR EWSTM8软件里，在OPTION选项的General Options下，有一个Stack/Heap设置项，是用来配置堆和栈的大小的，默认值都是0x100，这两项就占去了512字节的容量，是很耗费内存的，那么如果把这两个数据都改成0的话，让编译器自动分配堆栈，可否？以前用KEIL的时候都是没有这项配置的，IAR给出这个配置权限不知道是啥意思...; 502815059 stm32/stm8

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