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HY57V64420HGLTP-H

产品描述Synchronous DRAM, 16MX4, 5.4ns, CMOS, PDSO54, 0.400 X 0.875 INCH, 0.80 MM PITCH, LEAD FREE, TSOP2-54
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文件大小198KB,共11页
制造商SK Hynix(海力士)
官网地址http://www.hynix.com/eng/
标准
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HY57V64420HGLTP-H概述

Synchronous DRAM, 16MX4, 5.4ns, CMOS, PDSO54, 0.400 X 0.875 INCH, 0.80 MM PITCH, LEAD FREE, TSOP2-54

HY57V64420HGLTP-H规格参数

参数名称属性值
是否Rohs认证符合
厂商名称SK Hynix(海力士)
零件包装代码TSOP2
包装说明TSOP2, TSOP54,.46,32
针数54
Reach Compliance Codecompliant
ECCN代码EAR99
访问模式FOUR BANK PAGE BURST
最长访问时间5.4 ns
其他特性AUTO/SELF REFRESH
最大时钟频率 (fCLK)133 MHz
I/O 类型COMMON
交错的突发长度1,2,4,8
JESD-30 代码R-PDSO-G54
JESD-609代码e6
长度22.238 mm
内存密度67108864 bit
内存集成电路类型SYNCHRONOUS DRAM
内存宽度4
功能数量1
端口数量1
端子数量54
字数16777216 words
字数代码16000000
工作模式SYNCHRONOUS
最高工作温度70 °C
最低工作温度
组织16MX4
输出特性3-STATE
封装主体材料PLASTIC/EPOXY
封装代码TSOP2
封装等效代码TSOP54,.46,32
封装形状RECTANGULAR
封装形式SMALL OUTLINE, THIN PROFILE
峰值回流温度(摄氏度)260
电源3.3 V
认证状态Not Qualified
刷新周期4096
座面最大高度1.194 mm
自我刷新YES
连续突发长度1,2,4,8,FP
最大待机电流0.002 A
最大压摆率0.16 mA
最大供电电压 (Vsup)3.6 V
最小供电电压 (Vsup)3 V
标称供电电压 (Vsup)3.3 V
表面贴装YES
技术CMOS
温度等级COMMERCIAL
端子面层Tin/Bismuth (Sn/Bi)
端子形式GULL WING
端子节距0.8 mm
端子位置DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间20
宽度10.16 mm

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HY57V64420HGTP
4 Banks x 4M x 4Bit Synchronous DRAM
DESCRIPTION
The Hynix HY57V64420HGTP is a 67,108,864-bit CMOS Synchronous DRAM, ideally suited for the main memory applications which
require large memory density and high bandwidth. HY57V64420HGTP is organized as 4banks of 4,194,304x4.
HY57V644020HGTP is offering fully synchronous operation referenced to a positive edge of the clock. All inputs and outputs are syn-
chronized with the rising edge of the clock input. The data paths are internally pipelined to achieve very high bandwidth. All input and out-
put voltage levels are compatible with LVTTL.
Programmable options include the length of pipeline (Read latency of 2 or 3), the number of consecutive read or write cycles initiated by
a single control command (Burst length of 1,2,4,8 or Full page), and the burst count sequence(sequential or interleave). A burst of read
or write cycles in progress can be terminated by a burst terminate command or can be interrupted and replaced by a new burst read or
write command on any cycle. (This pipelined design is not restricted by a `2N` rule.)
FEATURES
Single 3.3±0.3V power supply
All device pins are compatible with LVTTL interface
JEDEC standard 400mil 54pin TSOP-II with 0.8mm of pin
pitch
All inputs and outputs referenced to positive edge of system
clock
Data mask function by DQM
Internal four banks operation
Auto refresh and self refresh
4096 refresh cycles / 64ms
Programmable Burst Length and Burst Type
- 1, 2, 4, 8 or Full page for Sequential Burst
- 1, 2, 4 or 8 for Interleave Burst
Programmable CAS Latency ; 2, 3 Clocks
Lead Free
ORDERING INFORMATION
Part No.
HY57V64420HGTP-5/55/6/7
HY57V64420HGTP-K
HY57V64420HGTP-H
HY57V64420HGTP-P
HY57V64420HGTP-S
HY57V64420HGLTP-5/55/6/7
HY57V64420HGLTP-K
HY57V64420HGLTP-H
HY57V64420HGLTP-P
HY57V64420HGLTP-S
Clock Frequency
200/183/166/143MHz
133MHz
133MHz
100MHz
100MHz
200/183/166/143MHz
133MHz
133MHz
100MHz
100MHz
Power
Organization
Interface
Package
Normal
4Banks x 4Mbits x4
LVTTL
400mil 54pin TSOP II
Low power
This document is a general product description and is subject to change without notice. Hynix Semiconductor does not assume any responsibility for use of
circuits described. No patent licenses are implied.
Rev. 0.5 / Apr. 2004
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