EEPROM, 8KX8, 250ns, Parallel, CMOS, CQCC32, CERAMIC, LCC-32
| 参数名称 | 属性值 |
| 是否Rohs认证 | 不符合 |
| 厂商名称 | Xicor Inc |
| 包装说明 | CERAMIC, LCC-32 |
| Reach Compliance Code | unknown |
| 最长访问时间 | 250 ns |
| 命令用户界面 | NO |
| 数据轮询 | YES |
| 耐久性 | 10000 Write/Erase Cycles |
| JESD-30 代码 | R-CQCC-N32 |
| JESD-609代码 | e0 |
| 内存密度 | 65536 bit |
| 内存集成电路类型 | EEPROM |
| 内存宽度 | 8 |
| 功能数量 | 1 |
| 端子数量 | 32 |
| 字数 | 8192 words |
| 字数代码 | 8000 |
| 工作模式 | ASYNCHRONOUS |
| 最高工作温度 | 125 °C |
| 最低工作温度 | -55 °C |
| 组织 | 8KX8 |
| 封装主体材料 | CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED |
| 封装代码 | QCCN |
| 封装等效代码 | LCC32,.45X.55 |
| 封装形状 | RECTANGULAR |
| 封装形式 | CHIP CARRIER |
| 页面大小 | 64 words |
| 并行/串行 | PARALLEL |
| 峰值回流温度（摄氏度） | NOT SPECIFIED |
| 电源 | 5 V |
| 编程电压 | 5 V |
| 认证状态 | Not Qualified |
| 筛选级别 | MIL-PRF-38535 |
| 最大待机电流 | 0.00025 A |
| 最大压摆率 | 0.06 mA |
| 最大供电电压 (Vsup) | 5.5 V |
| 最小供电电压 (Vsup) | 4.5 V |
| 标称供电电压 (Vsup) | 5 V |
| 表面贴装 | YES |
| 技术 | CMOS |
| 温度等级 | MILITARY |
| 端子面层 | Tin/Lead (Sn/Pb) - hot dipped |
| 端子形式 | NO LEAD |
| 端子节距 | 1.27 mm |
| 端子位置 | QUAD |
| 处于峰值回流温度下的最长时间 | NOT SPECIFIED |
| 切换位 | YES |
| 最长写入周期时间 (tWC) | 10 ms |
| Base Number Matches | 1 |
| 5962-8751403YA | 5962-8751403ZC | |
|---|---|---|
| 描述 | EEPROM, 8KX8, 250ns, Parallel, CMOS, CQCC32, CERAMIC, LCC-32 | EEPROM, 8KX8, 250ns, Parallel, CMOS, CDFP28, |
| Reach Compliance Code | unknown | unknown |
| 最长访问时间 | 250 ns | 250 ns |
| 命令用户界面 | NO | NO |
| 数据轮询 | YES | YES |
| 耐久性 | 10000 Write/Erase Cycles | 10000 Write/Erase Cycles |
| JESD-30 代码 | R-CQCC-N32 | R-XDFP-F28 |
| 内存密度 | 65536 bit | 65536 bit |
| 内存集成电路类型 | EEPROM | EEPROM |
| 内存宽度 | 8 | 8 |
| 端子数量 | 32 | 28 |
| 字数 | 8192 words | 8192 words |
| 字数代码 | 8000 | 8000 |
| 最高工作温度 | 125 °C | 125 °C |
| 最低工作温度 | -55 °C | -55 °C |
| 组织 | 8KX8 | 8KX8 |
| 封装主体材料 | CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED | CERAMIC |
| 封装代码 | QCCN | DFP |
| 封装等效代码 | LCC32,.45X.55 | FL28,.4 |
| 封装形状 | RECTANGULAR | RECTANGULAR |
| 封装形式 | CHIP CARRIER | FLATPACK |
| 页面大小 | 64 words | 64 words |
| 并行/串行 | PARALLEL | PARALLEL |
| 电源 | 5 V | 5 V |
| 认证状态 | Not Qualified | Not Qualified |
| 筛选级别 | MIL-PRF-38535 | 38535Q/M;38534H;883B |
| 最大待机电流 | 0.00025 A | 0.00025 A |
| 最大压摆率 | 0.06 mA | 0.06 mA |
| 标称供电电压 (Vsup) | 5 V | 5 V |
| 表面贴装 | YES | YES |
| 技术 | CMOS | CMOS |
| 温度等级 | MILITARY | MILITARY |
| 端子形式 | NO LEAD | FLAT |
| 端子节距 | 1.27 mm | 1.27 mm |
| 端子位置 | QUAD | DUAL |
| 切换位 | YES | YES |
| 最长写入周期时间 (tWC) | 10 ms | 10 ms |
| Base Number Matches | 1 | 1 |
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