5962-8751403ZC概述

EEPROM, 8KX8, 250ns, Parallel, CMOS, CDFP28,

5962-8751403ZC规格参数

	5962-8751403ZC	5962-8751403YA
描述	EEPROM, 8KX8, 250ns, Parallel, CMOS, CDFP28,	EEPROM, 8KX8, 250ns, Parallel, CMOS, CQCC32, CERAMIC, LCC-32
Reach Compliance Code	unknown	unknown
最长访问时间	250 ns	250 ns
命令用户界面	NO	NO
数据轮询	YES	YES
耐久性	10000 Write/Erase Cycles	10000 Write/Erase Cycles
JESD-30 代码	R-XDFP-F28	R-CQCC-N32
内存密度	65536 bit	65536 bit
内存集成电路类型	EEPROM	EEPROM
内存宽度	8	8
端子数量	28	32
字数	8192 words	8192 words
字数代码	8000	8000
最高工作温度	125 °C	125 °C
最低工作温度	-55 °C	-55 °C
组织	8KX8	8KX8
封装主体材料	CERAMIC	CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED
封装代码	DFP	QCCN
封装等效代码	FL28,.4	LCC32,.45X.55
封装形状	RECTANGULAR	RECTANGULAR
封装形式	FLATPACK	CHIP CARRIER
页面大小	64 words	64 words
并行/串行	PARALLEL	PARALLEL
电源	5 V	5 V
认证状态	Not Qualified	Not Qualified
筛选级别	38535Q/M;38534H;883B	MIL-PRF-38535
最大待机电流	0.00025 A	0.00025 A
最大压摆率	0.06 mA	0.06 mA
标称供电电压 (Vsup)	5 V	5 V
表面贴装	YES	YES
技术	CMOS	CMOS
温度等级	MILITARY	MILITARY
端子形式	FLAT	NO LEAD
端子节距	1.27 mm	1.27 mm
端子位置	DUAL	QUAD
切换位	YES	YES
最长写入周期时间 (tWC)	10 ms	10 ms
Base Number Matches	1	1

器件捷径: 00 01 02 03 04 05 06 07 08 09 0A 0C 0F 0J 0L 0M 0R 0S 0T 0Z 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 1A 1B 1C 1D 1E 1F 1H 1K 1M 1N 1P 1S 1T 1V 1X 1Z 20 21 22 23 24 25 26 27 28 29 2A 2B 2C 2D 2E 2F 2G 2K 2M 2N 2P 2Q 2R 2S 2T 2W 2Z 30 31 32 33 34 35 36 37 38 39 3A 3B 3C 3D 3E 3F 3G 3H 3J 3K 3L 3M 3N 3P 3R 3S 3T 3V 40 41 42 43 44 45 46 47 48 49 4A 4B 4C 4D 4M 4N 4P 4S 4T 50 51 52 53 54 55 56 57 58 59 5A 5B 5C 5E 5G 5H 5K 5M 5N 5P 5S 5T 5V 60 61 62 63 64 65 66 67 68 69 6A 6C 6E 6F 6M 6N 6P 6R 6S 6T 70 71 72 73 74 75 76 77 78 79 7A 7B 7C 7M 7N 7P 7Q 7V 7W 7X 80 81 82 83 84 85 86 87 88 89 8A 8D 8E 8L 8N 8P 8S 8T 8W 8Y 8Z 90 91 92 93 94 95 96 97 98 99 9A 9B 9C 9D 9F 9G 9H 9L 9S 9T 9W