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IDT70V659S15BFI: 产品描述Dual-Port SRAM, 128KX36, 15ns, CMOS, PBGA208, 15 X 15 MM, 1.40 MM HEIGHT, 0.80 MM PITCH, FPBGA-208; 产品类别存储存储; 文件大小191KB，共23页; 制造商IDT (Integrated Device Technology)

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IDT70V659S15BFI概述

Dual-Port SRAM, 128KX36, 15ns, CMOS, PBGA208, 15 X 15 MM, 1.40 MM HEIGHT, 0.80 MM PITCH, FPBGA-208

IDT70V659S15BFI规格参数

参数名称	属性值
是否无铅	含铅
是否Rohs认证	不符合
厂商名称	IDT (Integrated Device Technology)
零件包装代码	BGA
包装说明	TFBGA, BGA208,17X17,32
针数	208
Reach Compliance Code	not_compliant
ECCN代码	3A991.B.2.A
最长访问时间	15 ns
I/O 类型	COMMON
JESD-30 代码	S-PBGA-B208
JESD-609代码	e0
长度	15 mm
内存密度	4718592 bit
内存集成电路类型	DUAL-PORT SRAM
内存宽度	36
湿度敏感等级	3
功能数量	1
端口数量	2
端子数量	208
字数	131072 words
字数代码	128000
工作模式	ASYNCHRONOUS
最高工作温度	85 °C
最低工作温度	-40 °C
组织	128KX36
输出特性	3-STATE
封装主体材料	PLASTIC/EPOXY
封装代码	TFBGA
封装等效代码	BGA208,17X17,32
封装形状	SQUARE
封装形式	GRID ARRAY, THIN PROFILE, FINE PITCH
并行/串行	PARALLEL
峰值回流温度（摄氏度）	225
电源	2.5/3.3,3.3 V
认证状态	Not Qualified
座面最大高度	1.2 mm
最大待机电流	0.015 A
最小待机电流	3.15 V
最大压摆率	0.49 mA
最大供电电压 (Vsup)	3.45 V
最小供电电压 (Vsup)	3.15 V
标称供电电压 (Vsup)	3.3 V
表面贴装	YES
技术	CMOS
温度等级	INDUSTRIAL
端子面层	Tin/Lead (Sn63Pb37)
端子形式	BALL
端子节距	0.8 mm
端子位置	BOTTOM
处于峰值回流温度下的最长时间	20
宽度	15 mm
Base Number Matches	1

IDT70V659S15BFI相似产品对比

	IDT70V659S15BFI	IDT70V659S12DRI	IDT70V659S15BCI	IDT70V659S15BC
描述	Dual-Port SRAM, 128KX36, 15ns, CMOS, PBGA208, 15 X 15 MM, 1.40 MM HEIGHT, 0.80 MM PITCH, FPBGA-208	Dual-Port SRAM, 128KX36, 12ns, CMOS, PQFP208, 28 X 28 MM, 3.50 MM HEIGHT, PLASTIC, QFP-208	Dual-Port SRAM, 128KX36, 15ns, CMOS, PBGA256, 17 X 17 MM, 1.40 MM HEIGHT, 1 MM PITCH, BGA-256	Dual-Port SRAM, 128KX36, 15ns, CMOS, PBGA256, 17 X 17 MM, 1.40 MM HEIGHT, 1 MM PITCH, BGA-256
是否无铅	含铅	含铅	含铅	含铅
是否Rohs认证	不符合	不符合	不符合	不符合
厂商名称	IDT (Integrated Device Technology)	IDT (Integrated Device Technology)	IDT (Integrated Device Technology)	IDT (Integrated Device Technology)
零件包装代码	BGA	QFP	BGA	BGA
包装说明	TFBGA, BGA208,17X17,32	28 X 28 MM, 3.50 MM HEIGHT, PLASTIC, QFP-208	LBGA, BGA256,16X16,40	LBGA, BGA256,16X16,40
针数	208	208	256	256
Reach Compliance Code	not_compliant	not_compliant	not_compliant	not_compliant
ECCN代码	3A991.B.2.A	3A991.B.2.A	3A991.B.2.A	3A991.B.2.A
最长访问时间	15 ns	12 ns	15 ns	15 ns
I/O 类型	COMMON	COMMON	COMMON	COMMON
JESD-30 代码	S-PBGA-B208	S-PQFP-G208	S-PBGA-B256	S-PBGA-B256
JESD-609代码	e0	e0	e0	e0
长度	15 mm	28 mm	17 mm	17 mm
内存密度	4718592 bit	4718592 bit	4718592 bit	4718592 bit
内存集成电路类型	DUAL-PORT SRAM	DUAL-PORT SRAM	DUAL-PORT SRAM	DUAL-PORT SRAM
内存宽度	36	36	36	36
湿度敏感等级	3	3	3	3
功能数量	1	1	1	1
端口数量	2	2	2	2
端子数量	208	208	256	256
字数	131072 words	131072 words	131072 words	131072 words
字数代码	128000	128000	128000	128000
工作模式	ASYNCHRONOUS	ASYNCHRONOUS	ASYNCHRONOUS	ASYNCHRONOUS
最高工作温度	85 °C	85 °C	85 °C	70 °C
最低工作温度	-40 °C	-40 °C	-40 °C	-
组织	128KX36	128KX36	128KX36	128KX36
输出特性	3-STATE	3-STATE	3-STATE	3-STATE
封装主体材料	PLASTIC/EPOXY	PLASTIC/EPOXY	PLASTIC/EPOXY	PLASTIC/EPOXY
封装代码	TFBGA	FQFP	LBGA	LBGA
封装等效代码	BGA208,17X17,32	QFP208,1.2SQ,20	BGA256,16X16,40	BGA256,16X16,40
封装形状	SQUARE	SQUARE	SQUARE	SQUARE
封装形式	GRID ARRAY, THIN PROFILE, FINE PITCH	FLATPACK, FINE PITCH	GRID ARRAY, LOW PROFILE	GRID ARRAY, LOW PROFILE
并行/串行	PARALLEL	PARALLEL	PARALLEL	PARALLEL
峰值回流温度（摄氏度）	225	225	225	225
电源	2.5/3.3,3.3 V	2.5/3.3,3.3 V	2.5/3.3,3.3 V	2.5/3.3,3.3 V
认证状态	Not Qualified	Not Qualified	Not Qualified	Not Qualified
座面最大高度	1.2 mm	4.1 mm	1.5 mm	1.5 mm
最大待机电流	0.015 A	0.015 A	0.015 A	0.015 A
最小待机电流	3.15 V	3.15 V	3.15 V	3.15 V
最大压摆率	0.49 mA	0.515 mA	0.49 mA	0.44 mA
最大供电电压 (Vsup)	3.45 V	3.45 V	3.45 V	3.45 V
最小供电电压 (Vsup)	3.15 V	3.15 V	3.15 V	3.15 V
标称供电电压 (Vsup)	3.3 V	3.3 V	3.3 V	3.3 V
表面贴装	YES	YES	YES	YES
技术	CMOS	CMOS	CMOS	CMOS
温度等级	INDUSTRIAL	INDUSTRIAL	INDUSTRIAL	COMMERCIAL
端子面层	Tin/Lead (Sn63Pb37)	Tin/Lead (Sn/Pb)	Tin/Lead (Sn63Pb37)	Tin/Lead (Sn63Pb37)
端子形式	BALL	GULL WING	BALL	BALL
端子节距	0.8 mm	0.5 mm	1 mm	1 mm
端子位置	BOTTOM	QUAD	BOTTOM	BOTTOM
处于峰值回流温度下的最长时间	20	20	20	20
宽度	15 mm	28 mm	17 mm	17 mm
Base Number Matches	1	1	1	1

IDT70V659S15BFI

IDT70V659S15BFI概述

IDT70V659S15BFI规格参数

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