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IDT70V659S12DRI

产品描述Dual-Port SRAM, 128KX36, 12ns, CMOS, PQFP208, 28 X 28 MM, 3.50 MM HEIGHT, PLASTIC, QFP-208
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文件大小191KB,共23页
制造商IDT (Integrated Device Technology)
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IDT70V659S12DRI概述

Dual-Port SRAM, 128KX36, 12ns, CMOS, PQFP208, 28 X 28 MM, 3.50 MM HEIGHT, PLASTIC, QFP-208

IDT70V659S12DRI规格参数

参数名称属性值
是否无铅含铅
是否Rohs认证不符合
厂商名称IDT (Integrated Device Technology)
零件包装代码QFP
包装说明28 X 28 MM, 3.50 MM HEIGHT, PLASTIC, QFP-208
针数208
Reach Compliance Codenot_compliant
ECCN代码3A991.B.2.A
最长访问时间12 ns
I/O 类型COMMON
JESD-30 代码S-PQFP-G208
JESD-609代码e0
长度28 mm
内存密度4718592 bit
内存集成电路类型DUAL-PORT SRAM
内存宽度36
湿度敏感等级3
功能数量1
端口数量2
端子数量208
字数131072 words
字数代码128000
工作模式ASYNCHRONOUS
最高工作温度85 °C
最低工作温度-40 °C
组织128KX36
输出特性3-STATE
封装主体材料PLASTIC/EPOXY
封装代码FQFP
封装等效代码QFP208,1.2SQ,20
封装形状SQUARE
封装形式FLATPACK, FINE PITCH
并行/串行PARALLEL
峰值回流温度(摄氏度)225
电源2.5/3.3,3.3 V
认证状态Not Qualified
座面最大高度4.1 mm
最大待机电流0.015 A
最小待机电流3.15 V
最大压摆率0.515 mA
最大供电电压 (Vsup)3.45 V
最小供电电压 (Vsup)3.15 V
标称供电电压 (Vsup)3.3 V
表面贴装YES
技术CMOS
温度等级INDUSTRIAL
端子面层Tin/Lead (Sn/Pb)
端子形式GULL WING
端子节距0.5 mm
端子位置QUAD
处于峰值回流温度下的最长时间20
宽度28 mm
Base Number Matches1

IDT70V659S12DRI相似产品对比

IDT70V659S12DRI IDT70V659S15BCI IDT70V659S15BC IDT70V659S15BFI
描述 Dual-Port SRAM, 128KX36, 12ns, CMOS, PQFP208, 28 X 28 MM, 3.50 MM HEIGHT, PLASTIC, QFP-208 Dual-Port SRAM, 128KX36, 15ns, CMOS, PBGA256, 17 X 17 MM, 1.40 MM HEIGHT, 1 MM PITCH, BGA-256 Dual-Port SRAM, 128KX36, 15ns, CMOS, PBGA256, 17 X 17 MM, 1.40 MM HEIGHT, 1 MM PITCH, BGA-256 Dual-Port SRAM, 128KX36, 15ns, CMOS, PBGA208, 15 X 15 MM, 1.40 MM HEIGHT, 0.80 MM PITCH, FPBGA-208
是否无铅 含铅 含铅 含铅 含铅
是否Rohs认证 不符合 不符合 不符合 不符合
厂商名称 IDT (Integrated Device Technology) IDT (Integrated Device Technology) IDT (Integrated Device Technology) IDT (Integrated Device Technology)
零件包装代码 QFP BGA BGA BGA
包装说明 28 X 28 MM, 3.50 MM HEIGHT, PLASTIC, QFP-208 LBGA, BGA256,16X16,40 LBGA, BGA256,16X16,40 TFBGA, BGA208,17X17,32
针数 208 256 256 208
Reach Compliance Code not_compliant not_compliant not_compliant not_compliant
ECCN代码 3A991.B.2.A 3A991.B.2.A 3A991.B.2.A 3A991.B.2.A
最长访问时间 12 ns 15 ns 15 ns 15 ns
I/O 类型 COMMON COMMON COMMON COMMON
JESD-30 代码 S-PQFP-G208 S-PBGA-B256 S-PBGA-B256 S-PBGA-B208
JESD-609代码 e0 e0 e0 e0
长度 28 mm 17 mm 17 mm 15 mm
内存密度 4718592 bit 4718592 bit 4718592 bit 4718592 bit
内存集成电路类型 DUAL-PORT SRAM DUAL-PORT SRAM DUAL-PORT SRAM DUAL-PORT SRAM
内存宽度 36 36 36 36
湿度敏感等级 3 3 3 3
功能数量 1 1 1 1
端口数量 2 2 2 2
端子数量 208 256 256 208
字数 131072 words 131072 words 131072 words 131072 words
字数代码 128000 128000 128000 128000
工作模式 ASYNCHRONOUS ASYNCHRONOUS ASYNCHRONOUS ASYNCHRONOUS
最高工作温度 85 °C 85 °C 70 °C 85 °C
最低工作温度 -40 °C -40 °C - -40 °C
组织 128KX36 128KX36 128KX36 128KX36
输出特性 3-STATE 3-STATE 3-STATE 3-STATE
封装主体材料 PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY
封装代码 FQFP LBGA LBGA TFBGA
封装等效代码 QFP208,1.2SQ,20 BGA256,16X16,40 BGA256,16X16,40 BGA208,17X17,32
封装形状 SQUARE SQUARE SQUARE SQUARE
封装形式 FLATPACK, FINE PITCH GRID ARRAY, LOW PROFILE GRID ARRAY, LOW PROFILE GRID ARRAY, THIN PROFILE, FINE PITCH
并行/串行 PARALLEL PARALLEL PARALLEL PARALLEL
峰值回流温度(摄氏度) 225 225 225 225
电源 2.5/3.3,3.3 V 2.5/3.3,3.3 V 2.5/3.3,3.3 V 2.5/3.3,3.3 V
认证状态 Not Qualified Not Qualified Not Qualified Not Qualified
座面最大高度 4.1 mm 1.5 mm 1.5 mm 1.2 mm
最大待机电流 0.015 A 0.015 A 0.015 A 0.015 A
最小待机电流 3.15 V 3.15 V 3.15 V 3.15 V
最大压摆率 0.515 mA 0.49 mA 0.44 mA 0.49 mA
最大供电电压 (Vsup) 3.45 V 3.45 V 3.45 V 3.45 V
最小供电电压 (Vsup) 3.15 V 3.15 V 3.15 V 3.15 V
标称供电电压 (Vsup) 3.3 V 3.3 V 3.3 V 3.3 V
表面贴装 YES YES YES YES
技术 CMOS CMOS CMOS CMOS
温度等级 INDUSTRIAL INDUSTRIAL COMMERCIAL INDUSTRIAL
端子面层 Tin/Lead (Sn/Pb) Tin/Lead (Sn63Pb37) Tin/Lead (Sn63Pb37) Tin/Lead (Sn63Pb37)
端子形式 GULL WING BALL BALL BALL
端子节距 0.5 mm 1 mm 1 mm 0.8 mm
端子位置 QUAD BOTTOM BOTTOM BOTTOM
处于峰值回流温度下的最长时间 20 20 20 20
宽度 28 mm 17 mm 17 mm 15 mm
Base Number Matches 1 1 1 1

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