Datasheet> 器件分类 > 存储> 存储> 79LV0408XPFH-20

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79LV0408XPFH-20: 产品描述EEPROM, 512KX8, 200ns, Parallel, CMOS, PDFP40, FP-40; 产品类别存储存储; 文件大小350KB，共20页; 制造商Maxwell_Technologies_Inc.

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79LV0408XPFH-20概述

EEPROM, 512KX8, 200ns, Parallel, CMOS, PDFP40, FP-40

79LV0408XPFH-20规格参数

参数名称	属性值
厂商名称	Maxwell_Technologies_Inc.
零件包装代码	DFP
包装说明	DFP, FL40,1,40
针数	40
Reach Compliance Code	compliant
ECCN代码	3A001.A.2.C
最长访问时间	200 ns
数据轮询	YES
JESD-30 代码	R-PDFP-F40
长度	25.273 mm
内存密度	4194304 bit
内存集成电路类型	EEPROM
内存宽度	8
功能数量	1
端子数量	40
字数	524288 words
字数代码	512000
工作模式	ASYNCHRONOUS
最高工作温度	125 °C
最低工作温度	-55 °C
组织	512KX8
封装主体材料	PLASTIC/EPOXY
封装代码	DFP
封装等效代码	FL40,1,40
封装形状	RECTANGULAR
封装形式	FLATPACK
页面大小	128 words
并行/串行	PARALLEL
电源	3.3 V
编程电压	3 V
认证状态	Not Qualified
就绪/忙碌	YES
筛选级别	38535Q/M;38534H;883B
座面最大高度	7.62 mm
最大待机电流	0.00008 A
最大压摆率	0.05 mA
最大供电电压 (Vsup)	3.6 V
最小供电电压 (Vsup)	3 V
标称供电电压 (Vsup)	3.3 V
表面贴装	YES
技术	CMOS
温度等级	MILITARY
端子形式	FLAT
端子节距	1.016 mm
端子位置	DUAL
切换位	YES
宽度	21.59 mm
最长写入周期时间 (tWC)	15 ms
Base Number Matches	1

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79LV0408

Low Voltage 4 Megabit

(512k x 8-bit) EEPROM

0-16

128K x 8

I/O

0-7

Logic Diagram

Memory

EATURES

• Four 128k x 8-bit EEPROMs MCM

• R

-P

® radiation-hardened against natural

space radiation

• Total dose hardness:

- > 100 krad (Si), depending upon space mission

• Excellent Single Event Effects

- SEL > 120 MeV/mg/cm

- SEU > 90 MeV/mg/cm

read mode

- SEU = 18 MeV/mg/cm

write mode

• Package:

• - 40 pin R

-P

® flat pack

• - 40 pin X-Ray Pak

flat pack

• - 40 pin Rad-Tolerant flat pack

• High speed:

-200 and 250 ns access times

available

• Data Polling and Ready/Busy signal

• Software data protection

• Write protection by RES pin

• High endurance

- 10,000 erase/write (in Page Mode),

- 10 year data retention

• Page write mode: 1 to 128 byte page

• Low power dissipation

- 88 mW/MHz active mode

- 440 µ W standby mode

ESCRIPTION

Maxwell Technologies’ 79LV0408 multi-chip module (MCM)

memory features a greater than 100 krad (Si) total dose toler-

ance, depending upon space mission. Using Maxwell Technol-

ogies’ patented radiation-hardened R

-P

® MCM

packaging technology, the 79LV0408 is the first radiation-

hardened 4 Megabit MCM EEPROM for space applications.

The 79LV0408 uses four 1 Megabit high-speed CMOS die to

yield a 4 Megabit product. The 79LV0408 is capable of in-sys-

tem electrical Byte and Page programmability. It has a 128

bytes Page Programming function to make its erase and write

operations faster. It also features Data Polling and a Ready/

Busy signal to indicate the completion of erase and program-

ming operations. In the 79LV0408, hardware data protection is

provided with the RES pin, in addition to noise protection on

the WE signal. Software data protection is implemented using

the JEDEC optional standard algorithm.

Maxwell Technologies' patented R

-P

® packaging technol-

ogy incorporates radiation shielding in the microcircuit pack-

age. It eliminates the need for box shielding while providing

the required radiation shielding for a lifetime in orbit or space

mission. In a GEO orbit, the R

-P

® package provides

greater than 100 krad (Si) radiation dose tolerance. This prod-

uct is available with screening up to Maxwell Technologies

self-defined Class K.

01.11.05 Rev 7

All data sheets are subject to change without notice

(858) 503-3300 - Fax: (858) 503-3301- www.maxwell.com

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描述	EEPROM, 512KX8, 200ns, Parallel, CMOS, PDFP40, FP-40	EEPROM, 512KX8, 200ns, Parallel, CMOS, PDFP40, LDFP-40	EEPROM, 512KX8, 200ns, Parallel, CMOS, PDFP40, LDFP-40	EEPROM, 512KX8, 200ns, Parallel, CMOS, PDFP40, LDFP-40	EEPROM, 512KX8, 200ns, Parallel, CMOS, PDFP40, LDFP-40	EEPROM, 512KX8, 250ns, Parallel, CMOS, PDFP40, LDFP-40	EEPROM, 512KX8, 200ns, Parallel, CMOS, PDFP40, LDFP-40	EEPROM, 512KX8, 250ns, Parallel, CMOS, PDFP40, LDFP-40
零件包装代码	DFP	DFP	DFP	DFP	DFP	DFP	DFP	DFP
包装说明	DFP, FL40,1,40	DFP,	DFP,	DFP,	DFP, FL40,1,40	DFP, FL40,1,40	DFP,	DFP,
针数	40	40	40	40	40	40	40	40
Reach Compliance Code	compliant	unknown	compliant	compliant	compliant	compliant	unknown	compli
ECCN代码	3A001.A.2.C	3A001.A.2.C	3A001.A.2.C	3A001.A.2.C	3A001.A.2.C	3A001.A.2.C	3A001.A.2.C	3A001.A.2.C
最长访问时间	200 ns	200 ns	200 ns	200 ns	200 ns	250 ns	200 ns	250 ns
JESD-30 代码	R-PDFP-F40	R-PDFP-F40	R-PDFP-F40	R-PDFP-F40	R-PDFP-F40	R-PDFP-F40	R-PDFP-F40	R-PDFP-F40
长度	25.273 mm	25.273 mm	25.273 mm	25.273 mm	25.273 mm	25.273 mm	25.273 mm	25.273 mm
内存密度	4194304 bit	4194304 bit	4194304 bit	4194304 bit	4194304 bit	4194304 bit	4194304 bit	4194304 bi
内存集成电路类型	EEPROM	EEPROM	EEPROM	EEPROM	EEPROM	EEPROM	EEPROM	EEPROM
内存宽度	8	8	8	8	8	8	8	8
功能数量	1	1	1	1	1	1	1	1
端子数量	40	40	40	40	40	40	40	40
字数	524288 words	524288 words	524288 words	524288 words	524288 words	524288 words	524288 words	524288 words
字数代码	512000	512000	512000	512000	512000	512000	512000	512000
工作模式	ASYNCHRONOUS	ASYNCHRONOUS	ASYNCHRONOUS	ASYNCHRONOUS	ASYNCHRONOUS	ASYNCHRONOUS	ASYNCHRONOUS	ASYNCHRONOUS
最高工作温度	125 °C	125 °C	125 °C	125 °C	125 °C	125 °C	125 °C	125 °C
最低工作温度	-55 °C	-55 °C	-55 °C	-55 °C	-55 °C	-55 °C	-55 °C	-55 °C
组织	512KX8	512KX8	512KX8	512KX8	512KX8	512KX8	512KX8	512KX8
封装主体材料	PLASTIC/EPOXY	PLASTIC/EPOXY	PLASTIC/EPOXY	PLASTIC/EPOXY	PLASTIC/EPOXY	PLASTIC/EPOXY	PLASTIC/EPOXY	PLASTIC/EPOXY
封装代码	DFP	DFP	DFP	DFP	DFP	DFP	DFP	DFP
封装形状	RECTANGULAR	RECTANGULAR	RECTANGULAR	RECTANGULAR	RECTANGULAR	RECTANGULAR	RECTANGULAR	RECTANGULAR
封装形式	FLATPACK	FLATPACK	FLATPACK	FLATPACK	FLATPACK	FLATPACK	FLATPACK	FLATPACK
并行/串行	PARALLEL	PARALLEL	PARALLEL	PARALLEL	PARALLEL	PARALLEL	PARALLEL	PARALLEL
编程电压	3 V	3 V	3 V	3 V	3 V	3 V	3 V	3 V
认证状态	Not Qualified	Not Qualified	Not Qualified	Not Qualified	Not Qualified	Not Qualified	Not Qualified	Not Qualified
座面最大高度	7.62 mm	6.2484 mm	6.2484 mm	6.2484 mm	7.62 mm	7.62 mm	6.2484 mm	6.2484 mm
最大供电电压 (Vsup)	3.6 V	3.6 V	3.6 V	3.6 V	3.6 V	3.6 V	3.6 V	3.6 V
最小供电电压 (Vsup)	3 V	3 V	3 V	3 V	3 V	3 V	3 V	3 V
标称供电电压 (Vsup)	3.3 V	3.3 V	3.3 V	3.3 V	3.3 V	3.3 V	3.3 V	3.3 V
表面贴装	YES	YES	YES	YES	YES	YES	YES	YES
技术	CMOS	CMOS	CMOS	CMOS	CMOS	CMOS	CMOS	CMOS
温度等级	MILITARY	MILITARY	MILITARY	MILITARY	MILITARY	MILITARY	MILITARY	MILITARY
端子形式	FLAT	FLAT	FLAT	FLAT	FLAT	FLAT	FLAT	FLAT
端子节距	1.016 mm	1.016 mm	1.016 mm	1.016 mm	1.016 mm	1.016 mm	1.016 mm	1.016 mm
端子位置	DUAL	DUAL	DUAL	DUAL	DUAL	DUAL	DUAL	DUAL
宽度	21.59 mm	21.59 mm	21.59 mm	21.59 mm	21.59 mm	21.59 mm	21.59 mm	21.59 mm
最长写入周期时间 (tWC)	15 ms	15 ms	15 ms	15 ms	15 ms	15 ms	15 ms	15 ms
厂商名称	Maxwell_Technologies_Inc.	-	Maxwell_Technologies_Inc.	Maxwell_Technologies_Inc.	Maxwell_Technologies_Inc.	Maxwell_Technologies_Inc.	Maxwell_Technologies_Inc.	Maxwell_Technologies_Inc.
Base Number Matches	1	1	1	1	1	1	1	-
总剂量	-	10k Rad(Si) V	25k Rad(Si) V	40k Rad(Si) V	100k Rad(Si) V	100k Rad(Si) V	40k Rad(Si) V	10k Rad(Si) V

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