Datasheet> 器件分类 > 存储> 存储> 71V256SA12PZ8

文档预览

71V256SA12PZ8: 产品描述Cache SRAM, 32KX8, 12ns, CMOS, PDSO28, 0.300 INCH, TSOP1-28; 产品类别存储存储; 文件大小88KB，共8页; 制造商IDT (Integrated Device Technology)

下载文档详细参数选型对比全文预览

71V256SA12PZ8概述

Cache SRAM, 32KX8, 12ns, CMOS, PDSO28, 0.300 INCH, TSOP1-28

71V256SA12PZ8规格参数

参数名称	属性值
是否Rohs认证	不符合
厂商名称	IDT (Integrated Device Technology)
零件包装代码	TSOP
包装说明	0.300 INCH, TSOP1-28
针数	28
Reach Compliance Code	not_compliant
ECCN代码	EAR99
最长访问时间	12 ns
I/O 类型	COMMON
JESD-30 代码	R-PDSO-G28
JESD-609代码	e0
长度	11.8 mm
内存密度	262144 bit
内存集成电路类型	CACHE SRAM
内存宽度	8
湿度敏感等级	3
功能数量	1
端子数量	28
字数	32768 words
字数代码	32000
工作模式	ASYNCHRONOUS
最高工作温度	70 °C
最低工作温度
组织	32KX8
输出特性	3-STATE
封装主体材料	PLASTIC/EPOXY
封装代码	TSOP1
封装等效代码	TSSOP28,.53,22
封装形状	RECTANGULAR
封装形式	SMALL OUTLINE, THIN PROFILE
并行/串行	PARALLEL
电源	3.3 V
认证状态	Not Qualified
座面最大高度	1.2 mm
最大待机电流	0.002 A
最小待机电流	3 V
最大压摆率	0.09 mA
最大供电电压 (Vsup)	3.6 V
最小供电电压 (Vsup)	3 V
标称供电电压 (Vsup)	3.3 V
表面贴装	YES
技术	CMOS
温度等级	COMMERCIAL
端子面层	Tin/Lead (Sn85Pb15)
端子形式	GULL WING
端子节距	0.55 mm
端子位置	DUAL
宽度	8 mm
Base Number Matches	1

文档预览

下载PDF文档

全文
预览

Lower Power

3.3V CMOS Fast SRAM

256K (32K x 8-Bit)

Features

Ideal for high-performance processor secondary cache

Commercial (0°C to +70°C) and Industrial (–40°C to +85°C)

temperature range options

Fast access times:

– Commercial and Industrial: 10/12/15/20ns

Low standby current (maximum):

– 2mA full standby

Small packages for space-efficient layouts:

– 28-pin 300 mil SOJ

– 28-pin TSOP Type I

Produced with advanced high-performance CMOS

technology

Inputs and outputs are LVTTL-compatible

Single 3.3V(±0.3V) power supply

IDT71V256SA

Description

The IDT71V256SA is a 262,144-bit high-speed static RAM organized

as 32K x 8. It is fabricated using IDT’s high-performance, high-reliability

CMOS technology.

The IDT71V256SA has outstanding low power characteristics while

at the same time maintaining very high performance. Address access

times of as fast as 10ns are ideal for 3.3V secondary cache in 3.3V

desktop designs.

When power management logic puts the IDT71V256SA in standby

mode, its very low power characteristics contribute to extended battery life.

By taking

HIGH, the SRAM will automatically go to a low power standby

mode and will remain in standby as long as

remains HIGH. Further-

more, under full standby mode (CS at CMOS level, f=0), power consump-

tion is guaranteed to always be less than 6.6mW and typically will be much

smaller.

The IDT71V256SA is packaged in a 28-pin 300 mil SOJ and a 28-pin

300 mil TSOP Type I.

Functional Block Diagram

ADDRESS

DECODER

262,144 BIT

MEMORY ARRAY

GND

I/O

INPUT

DATA

CIRCUIT

I/O

I/O CONTROL

CONTROL

CIRCUIT

3101 drw 01

JUNE 2002

DSC-3101/07

71V256SA12PZ8相似产品对比

	71V256SA12PZ8	71V256SA10PZ8	71V256SA15PZ8	71V256SA12PZI8	71V256SA12PZI	71V256SA10YI8	71V256SA10YI	71V256SA20Y8
描述	Cache SRAM, 32KX8, 12ns, CMOS, PDSO28, 0.300 INCH, TSOP1-28	Cache SRAM, 32KX8, 10ns, CMOS, PDSO28, 0.300 INCH, TSOP1-28	Cache SRAM, 32KX8, 15ns, CMOS, PDSO28, 0.300 INCH, TSOP1-28	Cache SRAM, 32KX8, 12ns, CMOS, PDSO28, 0.300 INCH, TSOP1-28	Cache SRAM, 32KX8, 12ns, CMOS, PDSO28, 0.300 INCH, TSOP1-28	Cache SRAM, 32KX8, 10ns, CMOS, PDSO28, 0.300 INCH, SOJ-28	Cache SRAM, 32KX8, 10ns, CMOS, PDSO28, 0.300 INCH, SOJ-28	Cache SRAM, 32KX8, 20ns, CMOS, PDSO28, 0.300 INCH, SOJ-28
是否Rohs认证	不符合	不符合	不符合	不符合	不符合	不符合	不符合	不符合
厂商名称	IDT (Integrated Device Technology)	IDT (Integrated Device Technology)	IDT (Integrated Device Technology)	IDT (Integrated Device Technology)	IDT (Integrated Device Technology)	IDT (Integrated Device Technology)	IDT (Integrated Device Technology)	IDT (Integrated Device Technology)
零件包装代码	TSOP	TSOP	TSOP	TSOP	TSOP	SOJ	SOJ	SOJ
包装说明	0.300 INCH, TSOP1-28	TSOP1, TSSOP28,.53,22	0.300 INCH, TSOP1-28	0.300 INCH, TSOP1-28	0.300 INCH, TSOP1-28	SOJ, SOJ28,.34	SOJ, SOJ28,.34	0.300 INCH, SOJ-28
针数	28	28	28	28	28	28	28	28
Reach Compliance Code	not_compliant	not_compliant	not_compliant	not_compliant	not_compliant	not_compliant	not_compliant	not_compliant
ECCN代码	EAR99	EAR99	EAR99	EAR99	EAR99	EAR99	EAR99	EAR99
最长访问时间	12 ns	10 ns	15 ns	12 ns	12 ns	10 ns	10 ns	20 ns
I/O 类型	COMMON	COMMON	COMMON	COMMON	COMMON	COMMON	COMMON	COMMON
JESD-30 代码	R-PDSO-G28	R-PDSO-G28	R-PDSO-G28	R-PDSO-G28	R-PDSO-G28	R-PDSO-J28	R-PDSO-J28	R-PDSO-J28
长度	11.8 mm	11.8 mm	11.8 mm	11.8 mm	11.8 mm	17.9324 mm	17.9324 mm	17.9324 mm
内存密度	262144 bit	262144 bit	262144 bit	262144 bit	262144 bit	262144 bit	262144 bit	262144 bit
内存集成电路类型	CACHE SRAM	CACHE SRAM	CACHE SRAM	CACHE SRAM	CACHE SRAM	CACHE SRAM	CACHE SRAM	CACHE SRAM
内存宽度	8	8	8	8	8	8	8	8
湿度敏感等级	3	3	3	3	1	3	1	3
功能数量	1	1	1	1	1	1	1	1
端子数量	28	28	28	28	28	28	28	28
字数	32768 words	32768 words	32768 words	32768 words	32768 words	32768 words	32768 words	32768 words
字数代码	32000	32000	32000	32000	32000	32000	32000	32000
工作模式	ASYNCHRONOUS	ASYNCHRONOUS	ASYNCHRONOUS	ASYNCHRONOUS	ASYNCHRONOUS	ASYNCHRONOUS	ASYNCHRONOUS	ASYNCHRONOUS
最高工作温度	70 °C	70 °C	70 °C	85 °C	85 °C	85 °C	85 °C	70 °C
组织	32KX8	32KX8	32KX8	32KX8	32KX8	32KX8	32KX8	32KX8
输出特性	3-STATE	3-STATE	3-STATE	3-STATE	3-STATE	3-STATE	3-STATE	3-STATE
封装主体材料	PLASTIC/EPOXY	PLASTIC/EPOXY	PLASTIC/EPOXY	PLASTIC/EPOXY	PLASTIC/EPOXY	PLASTIC/EPOXY	PLASTIC/EPOXY	PLASTIC/EPOXY
封装代码	TSOP1	TSOP1	TSOP1	TSOP1	TSOP1	SOJ	SOJ	SOJ
封装等效代码	TSSOP28,.53,22	TSSOP28,.53,22	TSSOP28,.53,22	TSSOP28,.53,22	TSSOP28,.53,22	SOJ28,.34	SOJ28,.34	SOJ28,.34
封装形状	RECTANGULAR	RECTANGULAR	RECTANGULAR	RECTANGULAR	RECTANGULAR	RECTANGULAR	RECTANGULAR	RECTANGULAR
封装形式	SMALL OUTLINE, THIN PROFILE	SMALL OUTLINE, THIN PROFILE	SMALL OUTLINE, THIN PROFILE	SMALL OUTLINE, THIN PROFILE	SMALL OUTLINE, THIN PROFILE	SMALL OUTLINE	SMALL OUTLINE	SMALL OUTLINE
并行/串行	PARALLEL	PARALLEL	PARALLEL	PARALLEL	PARALLEL	PARALLEL	PARALLEL	PARALLEL
电源	3.3 V	3.3 V	3.3 V	3.3 V	3.3 V	3.3 V	3.3 V	3.3 V
认证状态	Not Qualified	Not Qualified	Not Qualified	Not Qualified	Not Qualified	Not Qualified	Not Qualified	Not Qualified
座面最大高度	1.2 mm	1.2 mm	1.2 mm	1.2 mm	1.2 mm	3.556 mm	3.556 mm	3.556 mm
最大待机电流	0.002 A	0.002 A	0.002 A	0.002 A	0.002 A	0.002 A	0.002 A	0.002 A
最小待机电流	3 V	3 V	3 V	3 V	3 V	3 V	3 V	3 V
最大压摆率	0.09 mA	0.1 mA	0.085 mA	0.09 mA	0.09 mA	0.1 mA	0.1 mA	0.085 mA
最大供电电压 (Vsup)	3.6 V	3.6 V	3.6 V	3.6 V	3.6 V	3.6 V	3.6 V	3.6 V
最小供电电压 (Vsup)	3 V	3 V	3 V	3 V	3 V	3 V	3 V	3 V
标称供电电压 (Vsup)	3.3 V	3.3 V	3.3 V	3.3 V	3.3 V	3.3 V	3.3 V	3.3 V
表面贴装	YES	YES	YES	YES	YES	YES	YES	YES
技术	CMOS	CMOS	CMOS	CMOS	CMOS	CMOS	CMOS	CMOS
温度等级	COMMERCIAL	COMMERCIAL	COMMERCIAL	INDUSTRIAL	INDUSTRIAL	INDUSTRIAL	INDUSTRIAL	COMMERCIAL
端子形式	GULL WING	GULL WING	GULL WING	GULL WING	GULL WING	J BEND	J BEND	J BEND
端子节距	0.55 mm	0.55 mm	0.55 mm	0.55 mm	0.55 mm	1.27 mm	1.27 mm	1.27 mm
端子位置	DUAL	DUAL	DUAL	DUAL	DUAL	DUAL	DUAL	DUAL
宽度	8 mm	8 mm	8 mm	8 mm	8 mm	7.5184 mm	7.5184 mm	7.5184 mm
JESD-609代码	e0	e0	e0	e0	-	e0	-	e0
端子面层	Tin/Lead (Sn85Pb15)	Tin/Lead (Sn85Pb15)	Tin/Lead (Sn85Pb15)	Tin/Lead (Sn85Pb15)	-	Tin/Lead (Sn85Pb15)	-	Tin/Lead (Sn85Pb15)
Base Number Matches	1	1	1	1	1	1	1	-

推荐资源

嵌入式单片机安卓画板研发和培训，高薪包就业!: 嵌入式单片机安卓画板研发和培训，高薪包就业! 改变人生轨迹规划职业蓝图! ----信盈达成就您的高薪梦想! 技术顾问：欧阳老师15989362803，QQ:877037118 信盈达科技有限公 ......; tiao58 Linux开发

智能测产系统中的海量数据存储技术: 智能测产系统中的海量数据存储技术...; cscl 测试/测量

提问+MSP430的应用场合讨论: MSP430的应用场合都有哪些，医疗方面感觉大有作为，低功耗的便携医疗设备应该很有前途...; lyncxy119 微控制器 MCU

如何提高电子产品的抗干扰能力和电磁兼容性如何提高电子产品的抗干扰能力和电磁兼容: 本文对如何提高电子产品的抗干扰能力和电磁兼容性如何提高电子产品的抗干扰能力和电磁兼容性作了特别分析！...; fighting 测试/测量

C6000的内联函数优化: 通过下面的方法改进C语言程序，可使编译出的代码性能显著提高： (1)使用intrinsics(内联函数)替代复杂的C／C++代码； (2)使用字(Word)访问存放在32位寄存器的高16位和低16位字段的数据； (3) ......; fish001 微控制器 MCU

热载流子二极管有什么作用？: 热载流子二极管（Hot-carrier diode）有什么作用呢？热载流子探测（Hot-Carrier Detector）是怎么回事？本帖最后由 lixiaohai8211 于 2010-3-13 15:15 编辑 ]...; lixiaohai8211 模拟电子

STM32F4 编程手册学习1_编程模型

1. 处理器模式与特权等级处理器模式分为以下两种：线程模式：用来执行应用软件；处理器从reset出来时，进入线程模式； CONTROL寄存器控制软件的执行状态时特权的还是非特权的。处理模式：用来处理异常；完成异常处理后，进入线程模式；该模式下，软件运行在特权等级上。特权等级有以下两种：非特权：对于MSR、MRS指令受限的权限，不能使用CPS指令；不能使用系统定时器...[详细]
单片机main函数退出后发生什么——以stm32为例

网上搜索可能因为大家不太关心这种情况，我没有找到有关论述单片机main函数退出的文章。不过在ST Community、阿莫BBS、StackOverflow看到有人在问同样的问题，下面摘录了一些不同角度的回答： C语言环境角度，三种可能性编译器在main函数后加入隐性的无限循环编译器在main外面添加一层无限循环 CPU继续向下取址运行（也就是跑飞了）单片机设计角度，退出会引发异常、...[详细]
SIMATIC S7-1500 PLC左移指令（SHL）及样

TIA博途软件位移指令能将将累加器的内容逐位向左或者向右移动。移动的位数由N决定，向左移N位相当于累加器的内容乘以2N，向右移相当于累加器的内容处理2N。移位指令在逻辑控制中使用也很方便。 (1)左移指令(SHL) 当左移指令（SHL）的EN位为高电平“1”时，将执行移位指令，将IN端制定的内容送入累加器1低字中，并左移N端制定的位数，然后写入OUT端指令的目的地址中，左移指令（SHL）和参...[详细]
这可能是你没见过的！R型电梯变压器的神奇之处！

现在我们住的房子大部分都是电梯楼，主要原因是上下楼梯比较方便！它还能让生活更舒适。它甚至有助于提高房地产的附加值。最重要的是，别墅用的电梯不贵，一台几万元。有了这个装置，可以节省老人和孩子上下楼梯的时间，方便、安全、快捷。为了降低振动和噪声，使电梯环境质量达到相关标准的要求，目前许多电梯厂家。通常配电设备会选择使用r型电梯变压器来改变电压。在安全改变电压的同时，其多重保护功能也可以降低电梯的事故...[详细]
从两个层面来说电动汽车为什么不适合跑长途

纯电动汽车跑长途是否是个伪命题？至少就我个人的观点来看，至少就目前的技术水准以及基建水平来看，我认为是的。以下我会从两个大的层面来和大家聊聊，为什么纯电动汽车不适合跑长途。开着纯电动汽车跑长途，你需要对你的路程做出一个十分精准的规划，到哪里需要进行充电、需要预留多少的安全电量、具体路线的选择等等。除此以外，当你花了非常多的心思，对自己的旅程做出安排之后，实际路途中如果遇上一次充电桩的损坏、...[详细]
自备智能手机，实现门禁控制和电脑桌面登录

主题：自备终端(BYOD)发展趋势;用员工自己的移动设备来控制对工作设施及设备的使用，会对信息安全产生怎样的影响;在不使公司有安全风险或不损害员工隐私的前提下，有哪些方式能安全地实现这样的设施及设备使用。自备终端(Bring Your Own Device，简称BYOD)，即企业允许员工离职时保留自己的手机，这种做法正日益流行。如今智能手机功能也越来越多，我们不仅能用自己的手机访问电脑、网...[详细]
解析Android移动设备的传感器技术

在移动技术中，传感器是被测量信号输入的首要技术，也是传感器系统中的元件组成部分，它包括载体和电路连接的敏感元件和转换元件，但是传感器系统却是组合某种信息处理能力元件的传感器。Android平台应用的传感器技术有姿态传感器技术、光电传感器技术、磁场传感器技术和加速度传感器技术等诸多耀眼的传感器技术，传感器系统功能非常强大，很多人还不知道是传感器为用户提供了巨大的便利。传感器是一种检测装置，是实...[详细]
苹果印度扩张计划遇到新麻烦，富士康被曝在当地召回约 300 名中国工程师

8 月 25 日消息，苹果在印度的扩张遇到新麻烦。据彭博社报道，富士康科技集团已从印度召回约 300 名中国工程师，使苹果在当地的生产计划再度受阻。这些工程师来自富士康旗下裕展科技位于泰米尔纳德邦的工厂，这是数月以来第二次发生类似情况。裕展工厂主要生产旧款 iPhone 的金属外壳和显示模组，并未参与新一代 iPhone 17 的制造。该工厂才投产数月，而苹果的显示器依旧大量依赖进口。苹果...[详细]
工信部推动制定首个电器电子产品有害物质管控强制性国家标准

8 月 22 日消息，据工信部官网消息，近日，我国电器电子产品有害物质管控领域首个强制性国家标准《电器电子产品有害物质限制使用要求》（GB 26572—2025）经国家标准化管理委员会批准发布，将于 2027 年 8 月 1 日正式实施。该标准由工业和信息化部提出并归口管理，中国电子技术标准化研究院联合电器电子行业生产制造企业、认证检测机构、行业协会及科研院所等 60 余家单位共同研制。从官方...[详细]
电动汽车的轮胎真的是越大就越费电吗

轮胎对于汽车来说，是很重要的一个部件，关乎车辆的用车体验，我们在日常生活中和汽车几乎是分不开的对于轮胎来说，根据轮胎对于车辆在行车当中的作用来说，轮胎越大对于车辆的稳定性就越好，但是不足点就是车辆会导致车辆的对于车辆的在运转的过程当中加大轮胎与路面之间的阻力，而不管是纯电动汽车还是燃油车，都会有这种的影响，对于电动汽车来说，轮胎越大是费电的。首先从轮胎的结构上面来说，轮胎在结构上面，是由轮...[详细]
了解这几点，飞创直线电机模组如何选型轻松搞定

直线电机模组因行程长、速度快、精度高、运行平稳、寿命长等优势，成为各领域的“甜点”，不同型号的直线电机模组可以达到不同的效果，直线电机模组选型正确与否，不仅影响产品的使用，还影响着直线模组后续功能的发挥，给设备和项目推进带来各种问题，因此我们在选购直线电机模组时，需要了解以下几点。飞创直线电机模组的选型可以根据负载、有效行程、重复定位精度、运行速度和加速度、应用环境、安装方式这几个重要参数...[详细]
麦格纳推出集成式舱内感知系统：将摄像头与雷达融合用于舱内主动安全

麦格纳推出的集成式舱内感知系统将视觉与毫米波雷达数据融合，用于检测乘员存在、识别儿童滞留、监测驾驶员疲劳及生命体征，支持无接触安全带检测等功能。图片来源：麦格纳该系统通过多模态验证提升检测鲁棒性，可直接响应法规要求（例如儿童滞留报警）并与车载HVAC、座椅和安全控制单元联动，实现出车前的自动巡检与离车提醒。该类集成方案特别适配家庭化MPV、带自动驾驶功能的大型商用车以及共享出行业务...[详细]
7年后回看自动驾驶：我们当初的预测对错几何？

我的职业生涯始终与半导体行业紧密相连，从产品管理到内容营销，我曾在多个岗位上做过无数预测与展望。无论是产品需求预测，还是新兴技术趋势研判，我都有过精准命中，也不乏误判失手。最近，我重读了自己在2018年5月撰写的“自动驾驶汽车是如何工作的？”一文。时至今日，这篇文章仍是美光阅读量最高的文章之一。在自动驾驶和汽车解决方案备受关注的今天，让我们看看这篇文章的独到之处。当时看来，这不过是篇寻常...[详细]
1--STM32 ADC1与ADC2 16通道DMA采集笔记

最近在搞ADC，网上还是很多资源的，以下为参考链接： 1、对STM32 ADC单次转换模式连续转换模式扫描模式的理解： https://www.cnblogs.com/zhanghankui/p/5192324.html/ 2、STM32F103ADC的工作模式和触发方式的探索与理解： http://www.stmcu.org.cn/module/forum/thread-598744-1...[详细]
STM32F103-串口IAP

一、IAP是什么 IAP即为In Application Programming,解释为在应用中编程，用户自己的程序在运行过程中对User Flash的部分区域进行烧写。即是一种对单片机flash擦写的一种编程方案。通常情况下，一片stm32单片机的flash只有一个用户程序，而IAP编程则是将单片机的flash分成至少两大区域，一部分叫做bootloader区，一部分叫做app用户代码区，还...[详细]

器件捷径: L0 L1 L2 L3 L4 L5 L6 L7 L8 L9 LA LB LC LD LE LF LG LH LI LJ LK LL LM LN LO LP LQ LR LS LT LU LV LW LX LY LZ M0 M1 M2 M3 M4 M5 M6 M7 M8 M9 MA MB MC MD ME MF MG MH MI MJ MK ML MM MN MO MP MQ MR MS MT MU MV MW MX MY MZ N0 N1 N2 N3 N4 N5 N6 N7 N8 NA NB NC ND NE NF NG NH NI NJ NK NL NM NN NO NP NQ NR NS NT NU NV NX NZ O0 O1 O2 O3 OA OB OC OD OE OF OG OH OI OJ OK OL OM ON OP OQ OR OS OT OV OX OY OZ P0 P1 P2 P3 P4 P5 P6 P7 P8 P9 PA PB PC PD PE PF PG PH PI PJ PK PL PM PN PO PP PQ PR PS PT PU PV PW PX PY PZ Q1 Q2 Q3 Q4 Q5 Q6 Q8 Q9 QA QB QC QE QF QG QH QK QL QM QP QR QS QT QV QW QX QY R0 R1 R2 R3 R4 R5 R6 R7 R8 R9 RA RB RC RD RE RF RG RH RI RJ RK RL RM RN RO RP RQ RR RS RT RU RV RW RX RY RZ

热门器件

开源项目推荐更多

热门活动更多

热门文章更多

技术资料推荐更多