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70P3337S250RM

产品描述FCBGA-576, Tray
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文件大小618KB,共20页
制造商IDT (Integrated Device Technology)
标准
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70P3337S250RM概述

FCBGA-576, Tray

70P3337S250RM规格参数

参数名称属性值
Brand NameIntegrated Device Technology
是否无铅含铅
是否Rohs认证符合
厂商名称IDT (Integrated Device Technology)
零件包装代码FCBGA
包装说明BGA,
针数576
制造商包装代码RM576
Reach Compliance Codenot_compliant
ECCN代码3A991.B.2.A
最长访问时间0.45 ns
JESD-30 代码S-PBGA-B576
JESD-609代码e1
长度25 mm
内存密度9437184 bit
内存集成电路类型QDR SRAM
内存宽度18
湿度敏感等级4
功能数量1
端子数量576
字数524288 words
字数代码512000
工作模式SYNCHRONOUS
最高工作温度70 °C
最低工作温度
组织512KX18
封装主体材料PLASTIC/EPOXY
封装代码BGA
封装形状SQUARE
封装形式GRID ARRAY
并行/串行PARALLEL
峰值回流温度(摄氏度)245
认证状态Not Qualified
座面最大高度2.55 mm
最大供电电压 (Vsup)1.9 V
最小供电电压 (Vsup)1.7 V
标称供电电压 (Vsup)1.8 V
表面贴装YES
技术CMOS
温度等级COMMERCIAL
端子面层Tin/Silver/Copper (Sn/Ag/Cu)
端子形式BALL
端子节距1 mm
端子位置BOTTOM
处于峰值回流温度下的最长时间NOT SPECIFIED
宽度25 mm
Base Number Matches1

70P3337S250RM相似产品对比

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描述 FCBGA-576, Tray FCBGA-576, Tray FCBGA-576, Tray FCBGA-576, Tray FCBGA-576, Tray FCBGA-576, Tray FCBGA-576, Tray
Brand Name Integrated Device Technology Integrated Device Technology Integrated Device Technology Integrated Device Technology Integrated Device Technology Integrated Device Technology Integrated Device Technology
是否无铅 含铅 含铅 含铅 含铅 含铅 含铅 含铅
是否Rohs认证 符合 符合 符合 符合 符合 符合 符合
厂商名称 IDT (Integrated Device Technology) IDT (Integrated Device Technology) IDT (Integrated Device Technology) IDT (Integrated Device Technology) IDT (Integrated Device Technology) IDT (Integrated Device Technology) IDT (Integrated Device Technology)
零件包装代码 FCBGA FCBGA FCBGA FCBGA FCBGA FCBGA FCBGA
针数 576 576 576 576 576 576 576
制造商包装代码 RM576 RM576 RM576 RM576 RM576 RM576 RM576
Reach Compliance Code not_compliant not_compliant not_compliant not_compliant not_compliant not_compliant _compli
包装说明 BGA, BGA, BGA, BGA, - BGA, BGA,
ECCN代码 3A991.B.2.A 3A991.B.2.A 3A991.B.2.A 3A991.B.2.A - 3A991.B.2.A 3A991
最长访问时间 0.45 ns - 0.45 ns 0.45 ns - 0.45 ns 0.45 ns
JESD-30 代码 S-PBGA-B576 - S-PBGA-B576 S-PBGA-B576 - S-PBGA-B576 S-PBGA-B576
JESD-609代码 e1 - e1 e1 e1 e1 e1
长度 25 mm - 25 mm 25 mm - 25 mm 25 mm
内存密度 9437184 bit - 18874368 bit 9437184 bit - 18874368 bit 9437184 bi
内存集成电路类型 QDR SRAM - QDR SRAM QDR SRAM QDR SRAM QDR SRAM QDR SRAM
内存宽度 18 - 18 18 - 18 18
湿度敏感等级 4 - 4 4 4 4 4
功能数量 1 - 1 1 - 1 1
端子数量 576 - 576 576 - 576 576
字数 524288 words - 1048576 words 524288 words - 1048576 words 524288 words
字数代码 512000 - 1000000 512000 - 1000000 512000
工作模式 SYNCHRONOUS - SYNCHRONOUS SYNCHRONOUS - SYNCHRONOUS SYNCHRONOUS
最高工作温度 70 °C - 85 °C 85 °C - 70 °C 70 °C
组织 512KX18 - 1MX18 512KX18 - 1MX18 512KX18
封装主体材料 PLASTIC/EPOXY - PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY - PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY
封装代码 BGA - BGA BGA - BGA BGA
封装形状 SQUARE - SQUARE SQUARE - SQUARE SQUARE
封装形式 GRID ARRAY - GRID ARRAY GRID ARRAY - GRID ARRAY GRID ARRAY
并行/串行 PARALLEL - PARALLEL PARALLEL - PARALLEL PARALLEL
峰值回流温度(摄氏度) 245 - 245 245 245 245 245
认证状态 Not Qualified - Not Qualified Not Qualified - Not Qualified Not Qualified
座面最大高度 2.55 mm - 2.55 mm 2.55 mm - 2.55 mm 2.55 mm
最大供电电压 (Vsup) 1.9 V - 1.9 V 1.9 V - 1.9 V 1.9 V
最小供电电压 (Vsup) 1.7 V - 1.7 V 1.7 V - 1.7 V 1.7 V
标称供电电压 (Vsup) 1.8 V - 1.8 V 1.8 V - 1.8 V 1.8 V
表面贴装 YES - YES YES - YES YES
技术 CMOS - CMOS CMOS - CMOS CMOS
温度等级 COMMERCIAL - INDUSTRIAL INDUSTRIAL - COMMERCIAL COMMERCIAL
端子面层 Tin/Silver/Copper (Sn/Ag/Cu) - Tin/Silver/Copper (Sn/Ag/Cu) Tin/Silver/Copper (Sn/Ag/Cu) Tin/Silver/Copper (Sn/Ag/Cu) Tin/Silver/Copper (Sn/Ag/Cu) Tin/Silver/Copper (Sn/Ag/Cu)
端子形式 BALL - BALL BALL - BALL BALL
端子节距 1 mm - 1 mm 1 mm - 1 mm 1 mm
端子位置 BOTTOM - BOTTOM BOTTOM - BOTTOM BOTTOM
处于峰值回流温度下的最长时间 NOT SPECIFIED - NOT SPECIFIED NOT SPECIFIED NOT SPECIFIED NOT SPECIFIED NOT SPECIFIED
宽度 25 mm - 25 mm 25 mm - 25 mm 25 mm

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