OP-AMP, 9000uV OFFSET-MAX, 3MHz BAND WIDTH, CQCC20, CC-20
| 参数名称 | 属性值 |
| 是否无铅 | 含铅 |
| 是否Rohs认证 | 不符合 |
| 厂商名称 | Texas Instruments(德州仪器) |
| 零件包装代码 | QLCC |
| 包装说明 | QCCN, LCC20,.35SQ |
| 针数 | 20 |
| Reach Compliance Code | not_compliant |
| ECCN代码 | EAR99 |
| 放大器类型 | OPERATIONAL AMPLIFIER |
| 架构 | VOLTAGE-FEEDBACK |
| 最大平均偏置电流 (IIB) | 0.05 µA |
| 标称共模抑制比 | 86 dB |
| 频率补偿 | YES |
| 最大输入失调电流 (IIO) | 0.02 µA |
| 最大输入失调电压 | 9000 µV |
| JESD-30 代码 | S-CQCC-N20 |
| 长度 | 8.89 mm |
| 低-偏置 | YES |
| 低-失调 | NO |
| 负供电电压上限 | -18 V |
| 标称负供电电压 (Vsup) | -15 V |
| 功能数量 | 1 |
| 端子数量 | 20 |
| 最高工作温度 | 125 °C |
| 最低工作温度 | -55 °C |
| 封装主体材料 | CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED |
| 封装代码 | QCCN |
| 封装等效代码 | LCC20,.35SQ |
| 封装形状 | SQUARE |
| 封装形式 | CHIP CARRIER |
| 峰值回流温度（摄氏度） | NOT SPECIFIED |
| 电源 | +-15 V |
| 认证状态 | Not Qualified |
| 筛选级别 | 38535Q/M;38534H;883B |
| 座面最大高度 | 2.03 mm |
| 标称压摆率 | 13 V/us |
| 供电电压上限 | 18 V |
| 标称供电电压 (Vsup) | 15 V |
| 表面贴装 | YES |
| 技术 | BIFET |
| 温度等级 | MILITARY |
| 端子形式 | NO LEAD |
| 端子节距 | 1.27 mm |
| 端子位置 | QUAD |
| 处于峰值回流温度下的最长时间 | NOT SPECIFIED |
| 标称均一增益带宽 | 3000 kHz |
| 宽度 | 8.89 mm |
| Base Number Matches | 1 |
| 81023042A | 8102304PA | 8102306CX | |
|---|---|---|---|
| 描述 | OP-AMP, 9000uV OFFSET-MAX, 3MHz BAND WIDTH, CQCC20, CC-20 | OP-AMP, 9000uV OFFSET-MAX, 3MHz BAND WIDTH, CDIP8, CERAMIC, DIP-8 | QUAD OP-AMP, 15000uV OFFSET-MAX, 3MHz BAND WIDTH, CDIP14, CERAMIC, DIP-14 |
| 厂商名称 | Texas Instruments(德州仪器) | Texas Instruments(德州仪器) | Texas Instruments(德州仪器) |
| 零件包装代码 | QLCC | DIP | DIP |
| 包装说明 | QCCN, LCC20,.35SQ | DIP, DIP8,.3 | DIP, |
| 针数 | 20 | 8 | 14 |
| Reach Compliance Code | not_compliant | not_compliant | compliant |
| ECCN代码 | EAR99 | EAR99 | EAR99 |
| 放大器类型 | OPERATIONAL AMPLIFIER | OPERATIONAL AMPLIFIER | OPERATIONAL AMPLIFIER |
| 架构 | VOLTAGE-FEEDBACK | VOLTAGE-FEEDBACK | VOLTAGE-FEEDBACK |
| 最大平均偏置电流 (IIB) | 0.05 µA | 0.05 µA | 0.05 µA |
| 标称共模抑制比 | 86 dB | 86 dB | 86 dB |
| 频率补偿 | YES | YES | YES |
| 最大输入失调电流 (IIO) | 0.02 µA | 0.02 µA | 0.02 µA |
| 最大输入失调电压 | 9000 µV | 9000 µV | 15000 µV |
| JESD-30 代码 | S-CQCC-N20 | R-GDIP-T8 | R-GDIP-T14 |
| 长度 | 8.89 mm | 9.58 mm | 19.56 mm |
| 低-偏置 | YES | YES | YES |
| 低-失调 | NO | NO | NO |
| 负供电电压上限 | -18 V | -18 V | -18 V |
| 标称负供电电压 (Vsup) | -15 V | -15 V | -15 V |
| 功能数量 | 1 | 1 | 4 |
| 端子数量 | 20 | 8 | 14 |
| 最高工作温度 | 125 °C | 125 °C | 125 °C |
| 最低工作温度 | -55 °C | -55 °C | -55 °C |
| 封装主体材料 | CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED | CERAMIC, GLASS-SEALED | CERAMIC, GLASS-SEALED |
| 封装代码 | QCCN | DIP | DIP |
| 封装形状 | SQUARE | RECTANGULAR | RECTANGULAR |
| 封装形式 | CHIP CARRIER | IN-LINE | IN-LINE |
| 峰值回流温度（摄氏度） | NOT SPECIFIED | NOT SPECIFIED | NOT APPLICABLE |
| 认证状态 | Not Qualified | Not Qualified | Qualified |
| 座面最大高度 | 2.03 mm | 5.08 mm | 5.08 mm |
| 标称压摆率 | 13 V/us | 13 V/us | 13 V/us |
| 供电电压上限 | 18 V | 18 V | 18 V |
| 标称供电电压 (Vsup) | 15 V | 15 V | 15 V |
| 表面贴装 | YES | NO | NO |
| 技术 | BIFET | BIFET | BIPOLAR |
| 温度等级 | MILITARY | MILITARY | MILITARY |
| 端子形式 | NO LEAD | THROUGH-HOLE | THROUGH-HOLE |
| 端子节距 | 1.27 mm | 2.54 mm | 2.54 mm |
| 端子位置 | QUAD | DUAL | DUAL |
| 处于峰值回流温度下的最长时间 | NOT SPECIFIED | NOT SPECIFIED | NOT APPLICABLE |
| 标称均一增益带宽 | 3000 kHz | 3000 kHz | 3000 kHz |
| 宽度 | 8.89 mm | 7.62 mm | 7.62 mm |
| Base Number Matches | 1 | 1 | 1 |
| 是否Rohs认证 | 不符合 | 不符合 | - |
| 封装等效代码 | LCC20,.35SQ | DIP8,.3 | - |
| 电源 | +-15 V | +-15 V | - |
| 筛选级别 | 38535Q/M;38534H;883B | 38535Q/M;38534H;883B | - |
电子工程世界版权所有
京B2-20211791
京ICP备10001474号-1
电信业务审批[2006]字第258号函
京公网安备 11010802033920号
Copyright © 2005-2026 EEWORLD.com.cn, Inc. All rights reserved
电子工程世界
