8102306CX放大器基础信息:
8102306CX是一款OPERATIONAL AMPLIFIER。常用的包装方式为DIP,
8102306CX放大器核心信息:
8102306CX的最低工作温度是-55 °C,最高工作温度是125 °C。其峰值回流温度为NOT APPLICABLE25℃下的最大偏置电流为:0.05 µA他的最大平均偏置电流为0.05 µA而其最大的输入失调电流(IIO)则仅为0.02 µA
如何简单看一个放大器效率?看它的压摆率,8102306CX的标称压摆率有13 V/us。厂商给出的8102306CX的最大压摆率为3.5 mA,而最小压摆率为5 V/us。其最小电压增益为15000。而在运放闭环使用时,某个指定闭环增益(一般为 1 或者 2、 10 等)下,8102306CX增益变为低频增益的 0.707 倍时的频率为3000 kHz。8102306CX的功率为NO。其可编程功率为NO。
8102306CX的标称供电电压为15 V,其对应的标称负供电电压为-15 V。8102306CX的输入失调电压为15000 µV(输入失调电压:使运算放大器输出端为0V(或接近0V)所需加于两输入端之间的补偿电压。)
8102306CX的相关尺寸:
8102306CX的宽度为:7.62 mm,长度为19.56 mm8102306CX拥有14个端子.其端子位置类型为:DUAL。端子节距为2.54 mm。共有针脚:14
8102306CX放大器其他信息:
8102306CX采用了VOLTAGE-FEEDBACK的架构。其属于低偏置类放大器。其不属于低失调类放大器。8102306CX的频率补偿情况是:YES。其温度等级为:MILITARY。
其不属于微功率放大器。其对应的的JESD-30代码为:R-GDIP-T14。8102306CX的封装代码是:DIP。8102306CX封装的材料多为CERAMIC, GLASS-SEALED。而其封装形状为RECTANGULAR。
8102306CX封装引脚的形式有:IN-LINE。其端子形式有:THROUGH-HOLE。座面最大高度为5.08 mm。
8102306CX放大器基础信息:
8102306CX是一款OPERATIONAL AMPLIFIER。常用的包装方式为DIP,
8102306CX放大器核心信息:
8102306CX的最低工作温度是-55 °C,最高工作温度是125 °C。其峰值回流温度为NOT APPLICABLE25℃下的最大偏置电流为:0.05 µA他的最大平均偏置电流为0.05 µA而其最大的输入失调电流(IIO)则仅为0.02 µA
如何简单看一个放大器效率?看它的压摆率,8102306CX的标称压摆率有13 V/us。厂商给出的8102306CX的最大压摆率为3.5 mA,而最小压摆率为5 V/us。其最小电压增益为15000。而在运放闭环使用时,某个指定闭环增益(一般为 1 或者 2、 10 等)下,8102306CX增益变为低频增益的 0.707 倍时的频率为3000 kHz。8102306CX的功率为NO。其可编程功率为NO。
8102306CX的标称供电电压为15 V,其对应的标称负供电电压为-15 V。8102306CX的输入失调电压为15000 µV(输入失调电压:使运算放大器输出端为0V(或接近0V)所需加于两输入端之间的补偿电压。)
8102306CX的相关尺寸:
8102306CX的宽度为:7.62 mm,长度为19.56 mm8102306CX拥有14个端子.其端子位置类型为:DUAL。端子节距为2.54 mm。共有针脚:14
8102306CX放大器其他信息:
8102306CX采用了VOLTAGE-FEEDBACK的架构。其属于低偏置类放大器。其不属于低失调类放大器。8102306CX的频率补偿情况是:YES。其温度等级为:MILITARY。
其不属于微功率放大器。其对应的的JESD-30代码为:R-GDIP-T14。8102306CX的封装代码是:DIP。8102306CX封装的材料多为CERAMIC, GLASS-SEALED。而其封装形状为RECTANGULAR。
8102306CX封装引脚的形式有:IN-LINE。其端子形式有:THROUGH-HOLE。座面最大高度为5.08 mm。
| 参数名称 | 属性值 |
| 厂商名称 | Texas Instruments(德州仪器) |
| 零件包装代码 | DIP |
| 包装说明 | DIP, |
| 针数 | 14 |
| Reach Compliance Code | compliant |
| ECCN代码 | EAR99 |
| 放大器类型 | OPERATIONAL AMPLIFIER |
| 架构 | VOLTAGE-FEEDBACK |
| 最大平均偏置电流 (IIB) | 0.05 µA |
| 25C 时的最大偏置电流 (IIB) | 0.05 µA |
| 最小共模抑制比 | 80 dB |
| 标称共模抑制比 | 86 dB |
| 频率补偿 | YES |
| 最大输入失调电流 (IIO) | 0.02 µA |
| 最大输入失调电压 | 15000 µV |
| JESD-30 代码 | R-GDIP-T14 |
| 长度 | 19.56 mm |
| 低-偏置 | YES |
| 低-失调 | NO |
| 微功率 | NO |
| 负供电电压上限 | -18 V |
| 标称负供电电压 (Vsup) | -15 V |
| 功能数量 | 4 |
| 端子数量 | 14 |
| 最高工作温度 | 125 °C |
| 最低工作温度 | -55 °C |
| 封装主体材料 | CERAMIC, GLASS-SEALED |
| 封装代码 | DIP |
| 封装形状 | RECTANGULAR |
| 封装形式 | IN-LINE |
| 峰值回流温度(摄氏度) | NOT APPLICABLE |
| 功率 | NO |
| 可编程功率 | NO |
| 认证状态 | Qualified |
| 座面最大高度 | 5.08 mm |
| 最小摆率 | 5 V/us |
| 标称压摆率 | 13 V/us |
| 最大压摆率 | 3.5 mA |
| 供电电压上限 | 18 V |
| 标称供电电压 (Vsup) | 15 V |
| 表面贴装 | NO |
| 技术 | BIPOLAR |
| 温度等级 | MILITARY |
| 端子形式 | THROUGH-HOLE |
| 端子节距 | 2.54 mm |
| 端子位置 | DUAL |
| 处于峰值回流温度下的最长时间 | NOT APPLICABLE |
| 标称均一增益带宽 | 3000 kHz |
| 最小电压增益 | 15000 |
| 宽度 | 7.62 mm |
| Base Number Matches | 1 |
| 8102306CX | 8102304PA | 81023042A | |
|---|---|---|---|
| 描述 | QUAD OP-AMP, 15000uV OFFSET-MAX, 3MHz BAND WIDTH, CDIP14, CERAMIC, DIP-14 | OP-AMP, 9000uV OFFSET-MAX, 3MHz BAND WIDTH, CDIP8, CERAMIC, DIP-8 | OP-AMP, 9000uV OFFSET-MAX, 3MHz BAND WIDTH, CQCC20, CC-20 |
| 厂商名称 | Texas Instruments(德州仪器) | Texas Instruments(德州仪器) | Texas Instruments(德州仪器) |
| 零件包装代码 | DIP | DIP | QLCC |
| 包装说明 | DIP, | DIP, DIP8,.3 | QCCN, LCC20,.35SQ |
| 针数 | 14 | 8 | 20 |
| Reach Compliance Code | compliant | not_compliant | not_compliant |
| ECCN代码 | EAR99 | EAR99 | EAR99 |
| 放大器类型 | OPERATIONAL AMPLIFIER | OPERATIONAL AMPLIFIER | OPERATIONAL AMPLIFIER |
| 架构 | VOLTAGE-FEEDBACK | VOLTAGE-FEEDBACK | VOLTAGE-FEEDBACK |
| 最大平均偏置电流 (IIB) | 0.05 µA | 0.05 µA | 0.05 µA |
| 标称共模抑制比 | 86 dB | 86 dB | 86 dB |
| 频率补偿 | YES | YES | YES |
| 最大输入失调电流 (IIO) | 0.02 µA | 0.02 µA | 0.02 µA |
| 最大输入失调电压 | 15000 µV | 9000 µV | 9000 µV |
| JESD-30 代码 | R-GDIP-T14 | R-GDIP-T8 | S-CQCC-N20 |
| 长度 | 19.56 mm | 9.58 mm | 8.89 mm |
| 低-偏置 | YES | YES | YES |
| 低-失调 | NO | NO | NO |
| 负供电电压上限 | -18 V | -18 V | -18 V |
| 标称负供电电压 (Vsup) | -15 V | -15 V | -15 V |
| 功能数量 | 4 | 1 | 1 |
| 端子数量 | 14 | 8 | 20 |
| 最高工作温度 | 125 °C | 125 °C | 125 °C |
| 最低工作温度 | -55 °C | -55 °C | -55 °C |
| 封装主体材料 | CERAMIC, GLASS-SEALED | CERAMIC, GLASS-SEALED | CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED |
| 封装代码 | DIP | DIP | QCCN |
| 封装形状 | RECTANGULAR | RECTANGULAR | SQUARE |
| 封装形式 | IN-LINE | IN-LINE | CHIP CARRIER |
| 峰值回流温度(摄氏度) | NOT APPLICABLE | NOT SPECIFIED | NOT SPECIFIED |
| 认证状态 | Qualified | Not Qualified | Not Qualified |
| 座面最大高度 | 5.08 mm | 5.08 mm | 2.03 mm |
| 标称压摆率 | 13 V/us | 13 V/us | 13 V/us |
| 供电电压上限 | 18 V | 18 V | 18 V |
| 标称供电电压 (Vsup) | 15 V | 15 V | 15 V |
| 表面贴装 | NO | NO | YES |
| 技术 | BIPOLAR | BIFET | BIFET |
| 温度等级 | MILITARY | MILITARY | MILITARY |
| 端子形式 | THROUGH-HOLE | THROUGH-HOLE | NO LEAD |
| 端子节距 | 2.54 mm | 2.54 mm | 1.27 mm |
| 端子位置 | DUAL | DUAL | QUAD |
| 处于峰值回流温度下的最长时间 | NOT APPLICABLE | NOT SPECIFIED | NOT SPECIFIED |
| 标称均一增益带宽 | 3000 kHz | 3000 kHz | 3000 kHz |
| 宽度 | 7.62 mm | 7.62 mm | 8.89 mm |
| Base Number Matches | 1 | 1 | 1 |
| 是否Rohs认证 | - | 不符合 | 不符合 |
| 封装等效代码 | - | DIP8,.3 | LCC20,.35SQ |
| 电源 | - | +-15 V | +-15 V |
| 筛选级别 | - | 38535Q/M;38534H;883B | 38535Q/M;38534H;883B |
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