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K4D553235F-VC2A

产品描述DDR DRAM, 8MX32, 0.55ns, CMOS, PBGA144
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文件大小386KB,共18页
制造商SAMSUNG(三星)
官网地址http://www.samsung.com/Products/Semiconductor/
标准  
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K4D553235F-VC2A概述

DDR DRAM, 8MX32, 0.55ns, CMOS, PBGA144

K4D553235F-VC2A规格参数

参数名称属性值
是否无铅不含铅
是否Rohs认证符合
厂商名称SAMSUNG(三星)
包装说明FBGA, BGA144,12X12,32
Reach Compliance Codeunknown
最长访问时间0.55 ns
最大时钟频率 (fCLK)300 MHz
I/O 类型COMMON
交错的突发长度2,4,8
JESD-30 代码S-PBGA-B144
内存密度268435456 bit
内存集成电路类型DDR DRAM
内存宽度32
湿度敏感等级3
端子数量144
字数8388608 words
字数代码8000000
最高工作温度65 °C
最低工作温度
组织8MX32
输出特性3-STATE
封装主体材料PLASTIC/EPOXY
封装代码FBGA
封装等效代码BGA144,12X12,32
封装形状SQUARE
封装形式GRID ARRAY, FINE PITCH
峰值回流温度(摄氏度)260
电源1.8 V
认证状态Not Qualified
刷新周期4096
连续突发长度2,4,8
最大压摆率0.342 mA
标称供电电压 (Vsup)1.8 V
表面贴装YES
技术CMOS
温度等级COMMERCIAL
端子形式BALL
端子节距0.8 mm
端子位置BOTTOM
处于峰值回流温度下的最长时间NOT SPECIFIED
Base Number Matches1

K4D553235F-VC2A相似产品对比

K4D553235F-VC2A K4D553235F-GC2A0 K4D553235F-GC250 K4D553235F-VC33 K4D553235F-VC2A0 K4D553235F-VC330 K4D553235F-VC250 K4D553235F-GC330 K4D553235F-GC33T K4D553235F-VC2AT
描述 DDR DRAM, 8MX32, 0.55ns, CMOS, PBGA144 DDR DRAM, 8MX32, 0.55ns, CMOS, PBGA144, FBGA-144 DDR DRAM, 8MX32, 0.45ns, CMOS, PBGA144, FBGA-144 DDR DRAM, 8MX32, 0.55ns, CMOS, PBGA144 DDR DRAM, 8MX32, 0.55ns, CMOS, PBGA144, LEAD FREE, FBGA-144 DDR DRAM, 8MX32, 0.55ns, CMOS, PBGA144, LEAD FREE, FBGA-144 DDR DRAM, 8MX32, 0.45ns, CMOS, PBGA144, LEAD FREE, FBGA-144 DDR DRAM, 8MX32, 0.55ns, CMOS, PBGA144, FBGA-144 DDR DRAM, 8MX32, 0.55ns, CMOS, PBGA144, FBGA-144 DDR DRAM, 8MX32, 0.55ns, CMOS, PBGA144
是否Rohs认证 符合 不符合 不符合 符合 符合 符合 符合 不符合 不符合 符合
包装说明 FBGA, BGA144,12X12,32 LFBGA, BGA144,12X12,32 LFBGA, BGA144,12X12,32 FBGA, BGA144,12X12,32 LFBGA, BGA144,12X12,32 LFBGA, BGA144,12X12,32 LFBGA, BGA144,12X12,32 LFBGA, BGA144,12X12,32 LFBGA, BGA144,12X12,32 FBGA, BGA144,12X12,32
Reach Compliance Code unknown compliant compliant unknown compliant compliant compliant compliant compliant compliant
最长访问时间 0.55 ns 0.55 ns 0.45 ns 0.55 ns 0.55 ns 0.55 ns 0.45 ns 0.55 ns 0.55 ns 0.55 ns
最大时钟频率 (fCLK) 300 MHz 300 MHz 400 MHz 300 MHz 300 MHz 300 MHz 400 MHz 300 MHz 300 MHz 300 MHz
I/O 类型 COMMON COMMON COMMON COMMON COMMON COMMON COMMON COMMON COMMON COMMON
交错的突发长度 2,4,8 2,4,8 2,4,8 2,4,8 2,4,8 2,4,8 2,4,8 2,4,8 2,4,8 2,4,8
JESD-30 代码 S-PBGA-B144 S-PBGA-B144 S-PBGA-B144 S-PBGA-B144 S-PBGA-B144 S-PBGA-B144 S-PBGA-B144 S-PBGA-B144 S-PBGA-B144 S-PBGA-B144
内存密度 268435456 bit 268435456 bit 268435456 bit 268435456 bit 268435456 bit 268435456 bit 268435456 bit 268435456 bit 268435456 bit 268435456 bit
内存集成电路类型 DDR DRAM DDR DRAM DDR DRAM DDR DRAM DDR DRAM DDR DRAM DDR DRAM DDR DRAM DDR DRAM DDR DRAM
内存宽度 32 32 32 32 32 32 32 32 32 32
端子数量 144 144 144 144 144 144 144 144 144 144
字数 8388608 words 8388608 words 8388608 words 8388608 words 8388608 words 8388608 words 8388608 words 8388608 words 8388608 words 8388608 words
字数代码 8000000 8000000 8000000 8000000 8000000 8000000 8000000 8000000 8000000 8000000
最高工作温度 65 °C 65 °C 65 °C 65 °C 65 °C 65 °C 65 °C 65 °C 65 °C 65 °C
组织 8MX32 8MX32 8MX32 8MX32 8MX32 8MX32 8MX32 8MX32 8MX32 8MX32
输出特性 3-STATE 3-STATE 3-STATE 3-STATE 3-STATE 3-STATE 3-STATE 3-STATE 3-STATE 3-STATE
封装主体材料 PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY
封装代码 FBGA LFBGA LFBGA FBGA LFBGA LFBGA LFBGA LFBGA LFBGA FBGA
封装等效代码 BGA144,12X12,32 BGA144,12X12,32 BGA144,12X12,32 BGA144,12X12,32 BGA144,12X12,32 BGA144,12X12,32 BGA144,12X12,32 BGA144,12X12,32 BGA144,12X12,32 BGA144,12X12,32
封装形状 SQUARE SQUARE SQUARE SQUARE SQUARE SQUARE SQUARE SQUARE SQUARE SQUARE
封装形式 GRID ARRAY, FINE PITCH GRID ARRAY, LOW PROFILE, FINE PITCH GRID ARRAY, LOW PROFILE, FINE PITCH GRID ARRAY, FINE PITCH GRID ARRAY, LOW PROFILE, FINE PITCH GRID ARRAY, LOW PROFILE, FINE PITCH GRID ARRAY, LOW PROFILE, FINE PITCH GRID ARRAY, LOW PROFILE, FINE PITCH GRID ARRAY, LOW PROFILE, FINE PITCH GRID ARRAY, FINE PITCH
峰值回流温度(摄氏度) 260 NOT SPECIFIED NOT SPECIFIED 260 260 260 260 NOT SPECIFIED 225 225
电源 1.8 V 1.8 V 1.8 V 1.8 V 1.8 V 1.8 V 1.8 V 1.8 V 1.8 V 1.8 V
认证状态 Not Qualified Not Qualified Not Qualified Not Qualified Not Qualified Not Qualified Not Qualified Not Qualified Not Qualified Not Qualified
刷新周期 4096 4096 4096 4096 4096 4096 4096 4096 4096 4096
连续突发长度 2,4,8 2,4,8 2,4,8 2,4,8 2,4,8 2,4,8 2,4,8 2,4,8 2,4,8 2,4,8
最大压摆率 0.342 mA 0.342 mA 0.368 mA 0.314 mA 0.342 mA 0.314 mA 0.368 mA 0.314 mA 0.314 mA 0.342 mA
标称供电电压 (Vsup) 1.8 V 1.8 V 1.8 V 1.8 V 1.8 V 1.8 V 1.8 V 1.8 V 1.8 V 1.8 V
表面贴装 YES YES YES YES YES YES YES YES YES YES
技术 CMOS CMOS CMOS CMOS CMOS CMOS CMOS CMOS CMOS CMOS
温度等级 COMMERCIAL COMMERCIAL COMMERCIAL COMMERCIAL COMMERCIAL COMMERCIAL COMMERCIAL COMMERCIAL COMMERCIAL COMMERCIAL
端子形式 BALL BALL BALL BALL BALL BALL BALL BALL BALL BALL
端子节距 0.8 mm 0.8 mm 0.8 mm 0.8 mm 0.8 mm 0.8 mm 0.8 mm 0.8 mm 0.8 mm 0.8 mm
端子位置 BOTTOM BOTTOM BOTTOM BOTTOM BOTTOM BOTTOM BOTTOM BOTTOM BOTTOM BOTTOM
处于峰值回流温度下的最长时间 NOT SPECIFIED NOT SPECIFIED NOT SPECIFIED NOT SPECIFIED NOT SPECIFIED NOT SPECIFIED NOT SPECIFIED NOT SPECIFIED NOT SPECIFIED NOT SPECIFIED
厂商名称 SAMSUNG(三星) SAMSUNG(三星) - SAMSUNG(三星) SAMSUNG(三星) SAMSUNG(三星) SAMSUNG(三星) SAMSUNG(三星) SAMSUNG(三星) -
湿度敏感等级 3 - - 3 3 3 3 - 1 1
零件包装代码 - BGA BGA - BGA BGA BGA BGA BGA -
针数 - 144 144 - 144 144 144 144 144 -
ECCN代码 - EAR99 EAR99 - EAR99 EAR99 EAR99 EAR99 EAR99 EAR99
访问模式 - FOUR BANK PAGE BURST FOUR BANK PAGE BURST - FOUR BANK PAGE BURST FOUR BANK PAGE BURST FOUR BANK PAGE BURST FOUR BANK PAGE BURST FOUR BANK PAGE BURST -
其他特性 - AUTO/SELF REFRESH AUTO/SELF REFRESH - AUTO/SELF REFRESH AUTO/SELF REFRESH AUTO/SELF REFRESH AUTO/SELF REFRESH AUTO/SELF REFRESH -
长度 - 12 mm 12 mm - 12 mm 12 mm 12 mm 12 mm 12 mm -
功能数量 - 1 1 - 1 1 1 1 1 -
端口数量 - 1 1 - 1 1 1 1 1 -
工作模式 - SYNCHRONOUS SYNCHRONOUS - SYNCHRONOUS SYNCHRONOUS SYNCHRONOUS SYNCHRONOUS SYNCHRONOUS -
座面最大高度 - 1.4 mm 1.4 mm - 1.4 mm 1.4 mm 1.4 mm 1.4 mm 1.4 mm -
自我刷新 - YES YES - YES YES YES YES YES -
最大供电电压 (Vsup) - 1.9 V 1.9 V - 1.9 V 1.9 V 1.9 V 1.9 V 1.9 V -
最小供电电压 (Vsup) - 1.7 V 1.7 V - 1.7 V 1.7 V 1.7 V 1.7 V 1.7 V -
宽度 - 12 mm 12 mm - 12 mm 12 mm 12 mm 12 mm 12 mm -
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