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DNA30EM2200PZ

产品描述Rectifier Diode, 1 Phase, 1 Element, 30A, 2200V V(RRM), Silicon, TO-263AB, ROHS COMPLIANT, PLASTIC, D2PAK-3/2
产品类别分立半导体    二极管   
文件大小140KB,共5页
制造商IXYS
标准
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DNA30EM2200PZ概述

Rectifier Diode, 1 Phase, 1 Element, 30A, 2200V V(RRM), Silicon, TO-263AB, ROHS COMPLIANT, PLASTIC, D2PAK-3/2

DNA30EM2200PZ规格参数

参数名称属性值
是否Rohs认证符合
零件包装代码D2PAK
包装说明ROHS COMPLIANT, PLASTIC, D2PAK-3/2
针数3
Reach Compliance Codecompliant
ECCN代码EAR99
其他特性LOW LEAKAGE CURRENT
应用HIGH VOLTAGE
外壳连接ANODE
配置SINGLE
二极管元件材料SILICON
二极管类型RECTIFIER DIODE
最大正向电压 (VF)1.53 V
JEDEC-95代码TO-263AB
JESD-30 代码R-PSSO-G2
最大非重复峰值正向电流340 A
元件数量1
相数1
端子数量2
最高工作温度175 °C
最低工作温度-55 °C
最大输出电流30 A
封装主体材料PLASTIC/EPOXY
封装形状RECTANGULAR
封装形式SMALL OUTLINE
峰值回流温度(摄氏度)NOT SPECIFIED
最大功率耗散210 W
最大重复峰值反向电压2200 V
最大反向电流40 µA
表面贴装YES
端子形式GULL WING
端子位置SINGLE
处于峰值回流温度下的最长时间NOT SPECIFIED
Base Number Matches1

 
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