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PD100N8C

产品描述Rectifier Diode, 1 Phase, 2 Element, 100A, 800V V(RRM), Silicon,
产品类别分立半导体    二极管   
文件大小359KB,共2页
制造商Nihon Inter Electronics Corporation
官网地址http://www.niec.co.jp
下载文档 详细参数 选型对比 全文预览

PD100N8C概述

Rectifier Diode, 1 Phase, 2 Element, 100A, 800V V(RRM), Silicon,

PD100N8C规格参数

参数名称属性值
包装说明R-XUFM-X3
Reach Compliance Codeunknown
应用GENERAL PURPOSE
外壳连接ISOLATED
配置SERIES CONNECTED, CENTER TAP, 2 ELEMENTS
二极管元件材料SILICON
二极管类型RECTIFIER DIODE
最大正向电压 (VF)1.48 V
JESD-30 代码R-XUFM-X3
最大非重复峰值正向电流2000 A
元件数量2
相数1
端子数量3
最高工作温度150 °C
最低工作温度-40 °C
最大输出电流100 A
封装主体材料UNSPECIFIED
封装形状RECTANGULAR
封装形式FLANGE MOUNT
最大重复峰值反向电压800 V
最大反向电流10000 µA
表面贴装NO
端子形式UNSPECIFIED
端子位置UPPER
Base Number Matches1

PD100N8C相似产品对比

PD100N8C
描述 Rectifier Diode, 1 Phase, 2 Element, 100A, 800V V(RRM), Silicon,
包装说明 R-XUFM-X3
Reach Compliance Code unknown
应用 GENERAL PURPOSE
外壳连接 ISOLATED
配置 SERIES CONNECTED, CENTER TAP, 2 ELEMENTS
二极管元件材料 SILICON
二极管类型 RECTIFIER DIODE
最大正向电压 (VF) 1.48 V
JESD-30 代码 R-XUFM-X3
最大非重复峰值正向电流 2000 A
元件数量 2
相数 1
端子数量 3
最高工作温度 150 °C
最低工作温度 -40 °C
最大输出电流 100 A
封装主体材料 UNSPECIFIED
封装形状 RECTANGULAR
封装形式 FLANGE MOUNT
最大重复峰值反向电压 800 V
最大反向电流 10000 µA
表面贴装 NO
端子形式 UNSPECIFIED
端子位置 UPPER
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