D315CH30F4G2,D315CH30F4G2 pdf中文资料,D315CH30F4G2引脚图,D315CH30F4G2电路-Datasheet-电子工程世界

D315CH30F4G2: 产品描述Silicon Controlled Rectifier, 2110A I(T)RMS, 3000V V(DRM), 600V V(RRM), 1 Element; 产品类别模拟混合信号IC 触发装置; 文件大小273KB，共5页; 制造商IXYS

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D315CH30F4G2概述

Silicon Controlled Rectifier, 2110A I(T)RMS, 3000V V(DRM), 600V V(RRM), 1 Element

参数名称	属性值
包装说明	DISK BUTTON, O-CEDB-N2
Reach Compliance Code	unknown
其他特性	FAST
标称电路换相断开时间	140 µs
配置	SINGLE
关态电压最小值的临界上升速率	200 V/us
最大直流栅极触发电流	300 mA
最大直流栅极触发电压	3 V
JESD-30 代码	O-CEDB-N2
元件数量	1
端子数量	2
封装主体材料	CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED
封装形状	ROUND
封装形式	DISK BUTTON
认证状态	Not Qualified
最大均方根通态电流	2110 A
重复峰值关态漏电流最大值	100000 µA
断态重复峰值电压	3000 V
重复峰值反向电压	600 V
表面贴装	YES
端子形式	NO LEAD
端子位置	END
触发设备类型	SCR
Base Number Matches	1

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器件捷径: S0 S1 S2 S3 S4 S5 S6 S7 S8 S9 SA SB SC SD SE SF SG SH SI SJ SK SL SM SN SO SP SQ SR SS ST SU SV SW SX SY SZ T0 T1 T2 T3 T4 T5 T6 T7 T8 T9 TA TB TC TD TE TF TG TH TI TJ TK TL TM TN TO TP TQ TR TS TT TU TV TW TX TY TZ U0 U1 U2 U3 U4 U6 U7 U8 UA UB UC UD UE UF UG UH UI UJ UK UL UM UN UP UQ UR US UT UU UV UW UX UZ V0 V1 V2 V3 V4 V5 V6 V7 V8 V9 VA VB VC VD VE VF VG VH VI VJ VK VL VM VN VO VP VQ VR VS VT VU VV VW VX VY VZ W0 W1 W2 W3 W4 W5 W6 W7 W8 W9 WA WB WC WD WE WF WG WH WI WJ WK WL WM WN WO WP WR WS WT WU WV WW WY X0 X1 X2 X3 X4 X5 X7 X8 X9 XA XB XC XD XE XF XG XH XK XL XM XN XO XP XQ XR XS XT XU XV XW XX XY XZ Y0 Y1 Y2 Y4 Y5 Y6 Y9 YA YB YC YD YE YF YG YH YK YL YM YN YP YQ YR YS YT YX Z0 Z1 Z2 Z3 Z4 Z5 Z6 Z8 ZA ZB ZC ZD ZE ZF ZG ZH ZJ ZL ZM ZN ZP ZR ZS ZT ZU ZV ZW ZX ZY

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