电子工程世界电子工程世界电子工程世界

关键词

搜索

型号

搜索

NAND08GW3C2AZL1E

产品描述8/16 Gbit, 2112 byte page, 3 V supply, multilevel, multiplane, NAND Flash memory
产品类别存储    存储   
文件大小1MB,共58页
制造商Numonyx ( Micron )
官网地址https://www.micron.com
下载文档 详细参数 全文预览

NAND08GW3C2AZL1E概述

8/16 Gbit, 2112 byte page, 3 V supply, multilevel, multiplane, NAND Flash memory

NAND08GW3C2AZL1E规格参数

参数名称属性值
零件包装代码LGA
包装说明VBGA,
针数52
Reach Compliance Codeunknow
ECCN代码3A991.B.1.A
最长访问时间60000 ns
JESD-30 代码R-PBGA-B52
长度16.9 mm
内存密度8589934592 bi
内存集成电路类型FLASH
内存宽度8
功能数量1
端子数量52
字数1073741824 words
字数代码1000000000
工作模式ASYNCHRONOUS
最高工作温度70 °C
最低工作温度
组织1GX8
封装主体材料PLASTIC/EPOXY
封装代码VBGA
封装形状RECTANGULAR
封装形式GRID ARRAY, VERY THIN PROFILE
并行/串行PARALLEL
编程电压3 V
认证状态Not Qualified
座面最大高度0.65 mm
最大供电电压 (Vsup)3.6 V
最小供电电压 (Vsup)2.7 V
标称供电电压 (Vsup)3 V
表面贴装YES
技术CMOS
温度等级COMMERCIAL
端子形式BALL
端子节距1 mm
端子位置BOTTOM
宽度12 mm
Base Number Matches1

文档预览

下载PDF文档
NAND08GW3C2A
NAND16GW3C4A
8/16 Gbit, 2112 byte page,
3 V supply, multilevel, multiplane, NAND Flash memory
Features
High density multilevel cell (MLC) Flash
memory
– Up to 16 Gbit memory array
– Up to 512 Mbit spare area
– Cost-effective solutions for mass storage
applications
NAND interface
– x 8 bus width
– Multiplexed address/data
Supply voltage: V
DD
= 2.7 to 3.6 V
Page size: (2048 + 64 spare) bytes
Block size: (256K + 8K spare) bytes
Multiplane architecture
– Array split into two independent planes
– Program/erase operations can be
performed on both planes at the same time
Page read/program
– Random access: 60 µs (max)
– Sequential access: 25 ns (min)
– Page program operation time: 800 µs (typ)
Multipage program time (2 pages): 800 µs (typ)
Fast block erase
– Block erase time: 2.5 ms (typ)
Multiblock erase time (2 blocks): 2.5 ms (typ)
Status register
Electronic signature
Serial number option
Chip enable ‘don’t care’
TSOP48 12 x 20 mm (N)
LGA52 12 x 17 mm (N)
Data protection
– Hardware program/erase locked during
power transitions
Development tools
– Error correction code models
– Bad block management and wear leveling
algorithm
– HW simulation models
Data integrity
– 10,000 program/erase cycles (with ECC)
– 10 years data retention
ECOPACK
®
packages available
January 2008
Rev 2
1/58
www.numonyx.com
1

技术资料推荐更多

 
EEWorld订阅号

 
EEWorld服务号

 
汽车开发圈

 
机器人开发圈

About Us 关于我们 客户服务 联系方式 器件索引 网站地图 最新更新 手机版

站点相关: 大学堂 TI培训 Datasheet 电子工程 索引文件: 789  2118  624  111  1462  49  36  30  12  24 

器件索引   0 1 2 3 4 5 6 7 8 9 A B C D E F G H I J K L M N O P Q R S T U V W X Y Z

北京市海淀区中关村大街18号B座15层1530室 电话:(010)82350740 邮编:100190

电子工程世界版权所有 京B2-20211791 京ICP备10001474号-1 电信业务审批[2006]字第258号函 京公网安备 11010802033920号 Copyright © 2005-2026 EEWORLD.com.cn, Inc. All rights reserved