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NAND08GW3B4CN1F: 产品描述512M X 8 FLASH 3V PROM, 25000 ns, PDSO48; 产品类别存储存储; 文件大小2MB，共69页; 制造商Numonyx ( Micron ); 官网地址https://www.micron.com

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NAND08GW3B4CN1F概述

512M X 8 FLASH 3V PROM, 25000 ns, PDSO48

512M × 8 FLASH 3V 可编程只读存储器, 25000 ns, PDSO48

NAND08GW3B4CN1F规格参数

参数名称	属性值
厂商名称	Numonyx ( Micron )
零件包装代码	TSOP
包装说明	TSSOP,
针数	48
Reach Compliance Code	unknow
ECCN代码	3A991.B.1.A
最长访问时间	25000 ns
JESD-30 代码	R-PDSO-G48
长度	18.4 mm
内存密度	8589934592 bi
内存集成电路类型	FLASH
内存宽度	8
功能数量	1
端子数量	48
字数	1073741824 words
字数代码	1000000000
工作模式	ASYNCHRONOUS
最高工作温度	70 °C
最低工作温度
组织	1GX8
封装主体材料	PLASTIC/EPOXY
封装代码	TSSOP
封装形状	RECTANGULAR
封装形式	SMALL OUTLINE, THIN PROFILE, SHRINK PITCH
并行/串行	PARALLEL
编程电压	3 V
认证状态	Not Qualified
座面最大高度	1.2 mm
最大供电电压 (Vsup)	3.6 V
最小供电电压 (Vsup)	2.7 V
标称供电电压 (Vsup)	3 V
表面贴装	YES
技术	CMOS
温度等级	COMMERCIAL
端子形式	GULL WING
端子节距	0.5 mm
端子位置	DUAL
宽度	12 mm

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NAND04G-B2D, NAND08G-BxC

4 Gbit, 8 Gbit, 2112 byte/1056 word page

multiplane architecture, 1.8 V or 3 V, NAND Flash memories

Preliminary Data

Features

■

High density NAND Flash Memory

– Up to 8 Gbit memory array

– Cost-effective solution for mass storage

applications

NAND interface

– x8 or 16x bus width

– Multiplexed address/data

Supply voltage: 1.8 V or 3.0 V device

Page size

– x8 device: (2048 + 64 spare) bytes

– x16 device: (1024 + 32 spare) words

Block size

– x8 device: (128K + 4 K spare) bytes

– x16 device: (64K + 2 K spare) words

Multiplane architecture

– Array split into two independent planes

– Program/erase operations can be

performed on both planes at the same time

Page read/program

– Random access: 25 µs (max)

– Sequential access: 25 ns (min)

– Page program time: 200 µs (typ)

– Multiplane page program time (2 pages):

200 µs (typ)

Copy back program with automatic error

detection code (EDC)

Cache read mode

Fast block erase

– Block erase time: 1.5 ms (typ)

– Multiblock erase time (2 blocks):

1.5 ms (typ)

Status Register

Electronic signature

Chip Enable ‘don’t care’

Serial number option

NAND08G-BxC

TSOP48 12 x 20 mm (N)

LGA

■

LGA52 12 x 17 mm (ZL)

■

Data protection:

– Hardware program/erase disabled during

power transitions

– Non-volatile protection option

ONFI 1.0 compliant command set

Data integrity

– 100 000 program/erase cycles (with ECC

(error correction code))

– 10 years data retention

ECOPACK

packages

Device Summary

Part number

NAND04GR3B2D

■

Table 1.

Reference

■

NAND04G-B2D

NAND04GW3B2D

NAND04GR4B2D

(1)

NAND04GW4B2D

(1)

NAND08GR3B2C,

NAND08GW3B2C

NAND08GR4B2C

(1)

NAND08GW4B2C

(1)

NAND08GR3B4C

NAND08GW3B4C

■

1. x16 organization only available for MCP products.

December 2007

Rev 3

1/69

www.numonyx.com

This is preliminary information on a new product now in development or undergoing evaluation. Details are subject to

change without notice.

Contents

NAND04G-B2D, NAND08G-BxC

Contents

Description . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 7

Memory array organization . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 14

Signal descriptions . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 16

3.1

3.2

3.3

3.4

3.5

3.6

3.7

3.8

3.9

3.10

3.11

Inputs/outputs (I/O0-I/O7) . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 16

Inputs/Outputs (I/O8-I/O15) . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 16

Address Latch Enable (AL) . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 16

Command Latch Enable (CL) . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 16

Chip Enable (E) . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 16

Read Enable (R) . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 16

Write Enable (W) . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 17

Write Protect (WP) . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 17

Ready/Busy (RB) . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 17

supply voltage . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 17

ground . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 17

Bus operations . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 18

4.1

4.2

4.3

4.4

4.5

4.6

Command input . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 18

Address input . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 18

Data input . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 18

Data output . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 18

Write protect . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 19

Standby . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 19

Command set . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 21

Device operations . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 22

6.1

Read memory array . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 22

6.1.1

6.1.2

Random read . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 22

Page read . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 22

6.2

Cache read . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 24

2/69

NAND04G-B2D, NAND08G-BxC

Contents

6.3

Page program . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 26

6.3.1

6.3.2

Sequential input . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 26

Random data input in page . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 26

6.4

6.5

6.6

6.7

6.8

6.9

6.10

6.11

Multiplane page program . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 28

Copy back program . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 29

Multiplane copy back program . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 30

Block erase . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 31

Multiplane block erase . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 32

Error detection code (EDC) . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 32

Reset . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 33

Read Status Register . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 34

6.11.1

6.11.2

6.11.3

6.11.4

6.11.5

Write protection bit (SR7) . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 34

P/E/R Controller and cache ready/busy bit (SR6) . . . . . . . . . . . . . . . . . 34

P/E/R Controller bit (SR5) . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 34

Error bit (SR0) . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 34

SR4, SR3, SR2 and SR1 are reserved . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 35

6.12

6.13

6.14

6.15

6.16

Read status enhanced . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 35

Read EDC Status Register . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 35

Read electronic signature . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 36

Read ONFI signature . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 39

Read parameter page . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 39

Concurrent operations and extended read status . . . . . . . . . . . . . . . . 43

Data protection . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 43

Software algorithms . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 44

9.1

9.2

9.3

9.4

9.5

Bad block management . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 44

NAND Flash memory failure modes . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 45

Garbage collection . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 46

Wear-leveling algorithm . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 46

Error correction code . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 47

Program and erase times and endurance cycles . . . . . . . . . . . . . . . . . 48

3/69

NAND04G-B2D, NAND08G-BxC

List of tables

Table 1.

Table 2.

Table 3.

Table 4.

Table 5.

Table 6.

Table 7.

Table 8.

Table 9.

Table 10.

Table 11.

Table 12.

Table 13.

Table 14.

Table 15.

Table 16.

Table 17.

Table 18.

Table 19.

Table 20.

Table 21.

Table 22.

Table 23.

Table 24.

Table 25.

Table 26.

Table 27.

Table 28.

Table 29.

Table 30.

Table 31.

Table 32.

Table 33.

Table 34.

Table 35.

Device Summary . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 1

Product description . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 8

Signal names . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 10

Valid Blocks . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 14

Bus operations . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 19

Address insertion (x8 devices) . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 19

Address insertion (x16 devices) . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 20

Address definition (x8 devices) . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 20

Address definition (x16 devices) . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 20

Commands . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 21

Copy back program addresses . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 29

Address definition for EDC units (x8 devices) . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 33

Address definition for EDC units (x16 devices) . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 33

Status Register bits. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 35

EDC Status Register bits . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 36

Electronic signature . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 37

Electronic signature byte 3 . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 37

Electronic signature byte 4 . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 38

Electronic signature byte 5 . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 38

Read ONFI signature . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 39

Parameter page data structure . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 40

Extended Read Status Register commands . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 43

Block failure . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 45

Program erase times and program erase endurance cycles . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 48

Absolute maximum ratings . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 49

Operating and AC measurement conditions . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 50

Capacitance . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 50

DC characteristics (1.8 V devices) . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 51

DC characteristics (3 V devices). . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 52

AC characteristics for command, address, data input . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 52

AC characteristics for operations . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 53

TSOP48 - 48 lead plastic thin small outline, 12 x 20 mm, package mechanical data. . . . . 65

LGA52 12 x 17 mm, 1 mm pitch, package mechanical data . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 66

Ordering information scheme . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 67

Document revision history . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 68

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　　医学超声成像(超声检查、超声诊断学，sonography)是一种基于超声波的医学影像学诊断技术，使肌肉和内脏器官 - 包括其大小、结构和病理学病灶——可视化。产科超声检查在妊娠时的产前诊断广泛使用。　　超声频率的选择是对影像的空间分辨率和患者探查深度的折中。典型的诊断超声扫描操作采用的频率范围为2至13MHz。　　虽然物理学上使用的名词“超声”用于指所有频率在人耳听阈上限(20KH...[详细]
NEC设长春分公司主营车用功率半导体

　　为进一步强化车载半导体的销售业务，NEC电子全资子公司日电电子(中国)有限公司日前在吉林省长春市成立分公司，并以技术支持为中心展开营销活动。此次新设立的长春分公司是继NEC电子中国2005年在上海、深圳和成都设立分公司后的第四个分公司。长春分公司成立后，包括NEC电子(中国)北京总部及香港日电电子有限公司在内，NEC电子在中国的营销网点共将达到6个。　　长春分公司成立初期主要以车载用微控...[详细]
未来几年忆阻器发展将迎来黄金时期

　　电子电路理论中的第四种无源元件——忆阻器（Memristor），通过控制衬底（基片）材料有望在2009年制作出一种新的存储器，从而向制造原型迈进一大步。　　4月，HP Labs研究者声称他们已经制造出忆阻器，加州大学伯克利分校的蔡少棠教授在1971年的一篇论文中，假定其为第四种无源元件，其他三种则是电阻器、电容器和电感器。　　如今，HP Labs已经证实了怎样控制忆阻器材料，它会随着流...[详细]
ARM LPC2210在脑血氧监测仪中的应用

　　引言　　氧是人体新陈代谢的重要物质,脑组织新陈代谢率高,耗氧量占全身总量的20％左右。在心脑血管疾病及脑外伤病人的临床抢救与治疗中,如果缺乏对脑组织供氧的监护手段,就有可能造成脑组织神经功能的丧失或损害。因此,提供一种连续监测大脑供氧状况的临床设备,对提高心脑血管和脑外伤等多种疾病的诊断和治疗具有重大意义。在健康监护和临床诊断中,对脑组织血氧参数的监测是不可缺少的。　　本文即应用A...[详细]
无线射频识别技术(RFID)

　　无线射频识别技术(RFID)作为本世纪最有发展前途的信息技术之一，已得到全球业界的高度重视；中国拥有产品门类最为齐全的装备制造业，又是全球IT产品最重要的生产加工基地和消费市场，同时还是世界第三大贸易国。这些都为中国电子标签产业与应用的发展提供了巨大的市场空间、带来了难得的发展机遇，RFID技术与电子标签应用必将成为中国信息产业发展和信息化建设的一个新机遇、成为国民经济新的增长点。　　未来...[详细]
最新技术为ADC器件发展注入强劲动力

　　10多年来，模数转换器(ADC)作为产业发展助力剂已在工业过程控制、医疗仪器、通信系统和雷达等产品中得到广泛应用。其参数性能的不断提高使得这些‘蓝领’器件能紧跟上最新技术要求。　　2007年2月份在旧金山举办的国际固态电路会议(ISSCC)展示了ADC的丰收成果。有关Nyquist Track的大量论文重新定义了这方面的技术发展水平，其中有两个已进入新的领域。另外也不要忘记来自一般怀疑者...[详细]
家庭医疗设备组件市场将稳健成长

　　根据市场研究公司IMS Research最近发表的一份报告预测，家庭医疗设备组件市场将出现强劲成长，预期2011年该市场规模将达14亿美元，平均每年成长10%左右。其中半数以上的成长动力将来自微控制器、模块IC和LCD显示器且该市场将较不受半导体产业的荣衰周期波动影响。　　根据另一份由InMedica旗下医疗电子部门公布的预测数字也显示，消费性医疗设备市场将迅猛成长，2011年制造商的营...[详细]
ARM MPU在医疗电子系统中的应用

　　当前，全球医疗电子行业正逐渐展现出诱人的发展前景，产品更新换代的速度不断提高，同时，由于医疗电子产品自身的特殊性，对元器件的性能、功耗、可靠性和集成度等方面都提出了极高的要求。　　全球各大著名的半导体厂商纷纷推出一系列适合该应用领域的产品。　　基于ARM内核的32位嵌入式微处理器(MPU)，以其高性能、低功耗和丰富的片内资源，成为目前众多医疗电子产品开发平台的首选。其中，Cirrus ...[详细]
可嵌入心电震发生器的电击系统方案

　　可嵌入心电震发生器（Implantable Cardivoerter Defibrillators-ICD）已通用几年了。ICD在连接到心脏的两个电极之间施加高压脉冲，它随时检测心脏纤维性颤动。此脉冲可高达800V，在几毫秒期间电流达几十安培。　　用电荷泵产生高电压并把它存储存一个大电容器上。通常，电击（脉冲）通过一个2相脉冲传送到心脏。图1示出2相电震发生器系统和产生所需双相脉冲的高压桥...[详细]
东南亚正在成为下一个液晶电视增长热点

　　在价格下降、用户对液晶电视的了解增强、本地区经济充满活力和消费者日益富裕等因素的综合推动下，2007-2012年东南亚液晶电视出货量将增长七倍以上。　　2012年东南亚液晶电视出货量将从2007年时的160万台增长到1350万台，复合年增长率高达53.9%。2012年出货量是2007年的八倍多。2012年该地区的液晶电视销售额将从2007年时的12亿美元上升到63亿美元，复合年增长率为3...[详细]
LSI推出针对Silverlight™ 的内容处理方案

2008 年 7 月 14 日， LSI 公司宣布推出针对 Microsoft® Silverlight™ 平台的内容处理解决方案，进一步扩大其产品系列范围。与最初的基于视频加速技术的内容处理产品系列相比，新系列还将包括 LSI™ Tarari® 系列内容处理器解决方案。因此该系列已经成为一套完整的解决方案，可支持安全性、服务质量、基于内容计费以及带宽管理等功...[详细]

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