Datasheet> 器件分类 > 存储> 存储> NAND02GW3B2CZA1F

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NAND02GW3B2CZA1F: 产品描述128M X 8 FLASH 1.8V PROM, 25000 ns, PBGA63; 产品类别存储存储; 文件大小1MB，共60页; 制造商Numonyx ( Micron ); 官网地址https://www.micron.com; 标准

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NAND02GW3B2CZA1F概述

128M X 8 FLASH 1.8V PROM, 25000 ns, PBGA63

128M × 8 FLASH 1.8V 可编程只读存储器, 25000 ns, PBGA63

NAND02GW3B2CZA1F规格参数

参数名称	属性值
是否无铅	不含铅
是否Rohs认证	符合
零件包装代码	BGA
包装说明	TFBGA, BGA63,10X12,32
针数	63
Reach Compliance Code	unknow
ECCN代码	3A991.B.1.A
最长访问时间	25000 ns
命令用户界面	YES
数据轮询	NO
JESD-30 代码	R-PBGA-B63
长度	12 mm
内存密度	2147483648 bi
内存集成电路类型	FLASH
内存宽度	8
功能数量	1
部门数/规模	2K
端子数量	63
字数	268435456 words
字数代码	256000000
工作模式	ASYNCHRONOUS
最高工作温度	70 °C
最低工作温度
组织	256MX8
封装主体材料	PLASTIC/EPOXY
封装代码	TFBGA
封装等效代码	BGA63,10X12,32
封装形状	RECTANGULAR
封装形式	GRID ARRAY, THIN PROFILE, FINE PITCH
页面大小	2K words
并行/串行	PARALLEL
峰值回流温度（摄氏度）	NOT SPECIFIED
电源	3/3.3 V
编程电压	3 V
认证状态	Not Qualified
就绪/忙碌	YES
座面最大高度	1.05 mm
部门规模	128K
最大待机电流	0.00005 A
最大压摆率	0.02 mA
最大供电电压 (Vsup)	3.6 V
最小供电电压 (Vsup)	2.7 V
标称供电电压 (Vsup)	3 V
表面贴装	YES
技术	CMOS
温度等级	COMMERCIAL
端子形式	BALL
端子节距	0.8 mm
端子位置	BOTTOM
处于峰值回流温度下的最长时间	NOT SPECIFIED
切换位	NO
类型	NAND TYPE
宽度	9.5 mm
Base Number Matches	1

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NAND01G-B2B

NAND02G-B2C

1-Gbit, 2-Gbit,

2112-byte/1056-word page, 1.8 V/3 V, NAND flash memory

Features

■

High density NAND flash memories

– Up to 2 Gbits of memory array

– Cost effective solutions for mass storage

applications

NAND interface

– x8 or x16 bus width

– Multiplexed address/ data

– Pinout compatibility for all densities

Supply voltage: 1.8 V/3.0 V

Page size

– x8 device: (2048 + 64 spare) bytes

– x16 device: (1024 + 32 spare) words

Block size

– x8 device: (128 K + 4 K spare) bytes

– x16 device: (64 K + 2 K spare) words

Page read/program

– Random access: 25 µs (max)

– Sequential access: 30 ns (min)

– Page program time: 200 µs (typ)

Copy back program mode

Cache program and cache read modes

Fast block erase: 2 ms (typ)

Status register

Electronic signature

Chip enable ‘don’t care’

■

TSOP48 12 x 20 mm

FBGA

■

VFBGA63 9.5 x 12 x 1 mm

VFBGA63 9 x 11 x 1 mm

■

Serial number option

Data protection

– Hardware block locking

– Hardware program/erase locked during

power transitions

Data integrity

– 100 000 program/erase cycles per block

(with ECC)

– 10 years data retention

ECOPACK

packages

Development tools

– Error correction code models

– Bad blocks management and wear leveling

algorithms

– Hardware simulation models

■

Table 1.

Device summary

Reference

NAND01G-B2B

Part number

NAND01GR3B2B, NAND01GW3B2B

NAND01GR4B2B

NAND01GW4B2B

(1)

NAND02GR3B2C, NAND02GW3B2C

NAND02G-B2C

NAND02GR4B2C, NAND02GW4B2C

(1)

1. x16 organization only available for MCP products.

April 2008

Rev 5

1/60

www.numonyx.com

Contents

NAND01G-B2B, NAND02G-B2C

Contents

Description . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 7

Memory array organization . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 12

2.1

Bad blocks . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 12

Signals description . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 14

3.1

3.2

3.3

3.4

3.5

3.6

3.7

3.8

3.9

3.10

3.11

Inputs/outputs (I/O0-I/O7) . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 14

Inputs/outputs (I/O8-I/O15) . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 14

Address Latch Enable (AL) . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 14

Command Latch Enable (CL) . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 14

Chip Enable (E) . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 14

Read Enable (R) . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 14

Write Enable (W) . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 15

Write Protect (WP) . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 15

Ready/Busy (RB) . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 15

supply voltage . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 15

ground . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 15

Bus operations . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 16

4.1

4.2

4.3

4.4

4.5

4.6

Command input . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 16

Address input . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 16

Data input . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 16

Data output . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 16

Write Protect . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 17

Standby . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 17

Command set . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 19

Device operations . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 20

6.1

Read memory array . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 20

6.1.1

6.1.2

Random read . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 20

Page read . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 20

2/60

NAND01G-B2B, NAND02G-B2C

Contents

6.2

6.3

Cache read . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 23

Page program . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 24

6.3.1

6.3.2

Sequential input . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 24

Random data input in a page . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 24

6.4

6.5

6.6

6.7

6.8

Copy back program . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 26

Cache program . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 28

Block erase . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 29

Reset . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 29

Read status register . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 30

6.8.1

6.8.2

6.8.3

6.8.4

6.8.5

6.8.6

Write protection bit (SR7) . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 30

P/E/R controller and cache ready/busy bit (SR6) . . . . . . . . . . . . . . . . . 30

P/E/R controller bit (SR5) . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 30

Cache program error bit (SR1) . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 31

Error bit (SR0) . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 31

SR4, SR3 and SR2 are reserved . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 31

6.9

Read electronic signature . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 32

Data protection . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 34

Software algorithms . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 35

8.1

8.2

8.3

8.4

8.5

8.6

Bad block management . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 35

NAND flash memory failure modes . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 35

Garbage collection . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 37

Wear-leveling algorithm . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 37

Error correction code . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 37

Hardware simulation models . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 38

8.6.1

8.6.2

Behavioral simulation models . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 38

IBIS simulations models . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 38

Program and erase times and endurance cycles . . . . . . . . . . . . . . . . . 39

Maximum ratings . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 40

DC and AC parameters . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 41

11.1

11.2

Ready/Busy signal electrical characteristics . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 52

Data protection . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 54

3/60

NAND01G-B2B, NAND02G-B2C

List of tables

Table 1.

Table 2.

Table 3.

Table 4.

Table 5.

Table 6.

Table 7.

Table 8.

Table 9.

Table 10.

Table 11.

Table 12.

Table 13.

Table 14.

Table 15.

Table 16.

Table 17.

Table 18.

Table 19.

Table 20.

Table 21.

Table 22.

Table 23.

Table 24.

Table 25.

Table 26.

Table 27.

Table 28.

Table 29.

Table 30.

Device summary . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 1

Product description . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 8

Signal names . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 9

Valid blocks. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 12

Bus operations . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 17

Address insertion, x8 devices . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 17

Address insertion, x16 devices . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 18

Address definitions, x8 . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 18

Address definitions, x16 . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 18

Commands . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 19

Copy back program x8 addresses . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 26

Copy back program x16 addresses . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 26

Status register bits . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 31

Electronic signature . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 32

Electronic signature byte 3 . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 32

Electronic signature byte/word 4. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 33

NAND flash failure modes . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 36

Program, erase times and program erase endurance cycles . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 39

Absolute maximum ratings . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 40

Operating and AC measurement conditions . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 41

Capacitance . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 41

DC characteristics, 1.8 V devices . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 43

DC characteristics, 3 V devices . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 43

AC characteristics for command, address, data input . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 44

AC characteristics for operations . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 45

TSOP48 - 48 lead plastic thin small outline, 12 x 20 mm, package mechanical data. . . . . 55

VFBGA63 9.5 x 12 mm - 6 x 8 ball array, 0.80 mm pitch, package mechanical data. . . . . 56

VFBGA63 9 x 11 mm - 6 x 8 active ball array, 0.80 mm pitch, package mechanical data . 57

Ordering information scheme . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 58

Document revision history . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 59

5/60

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【摘要】为了提高智能网联汽车横向主动安全，将转向系统（EPS）的非预期功能安全场景识别和定义融入系统设计与开发环节。结合场景域分析、等价类和边界值技术，通过解构EPS相关车辆模型变体和横向运动场景，从EPS已知的运行场景中拓展出更多可能存在风险的工作场景。同时，利用基于半实物仿真的驾驶员在环系统（DIL），凭借其“人-车-环境”闭环的优势，使得更多未知风险场景转变为有效的已知场景，进而优化现有...[详细]
燃油车进入智能化拐点，电子电气架构“下放”

过去十年，燃油车的叙事始终是“衰退”与“替代”。在新能源汽车的攻势下，传统车企被迫在电动化的转型赛道上加速。但真正能延长燃油车生命力的，不是新的动力总成，而是智能化架构的“下放”。大众与小鹏联合开发的CEA区域控制电子电气架构，原本是为电动车设计的集中式计算系统，如今正被移植到燃油与混合动力车型。这不是一次简单的技术平移，而是对燃油车定义的重塑：它不再只是依赖机械性能的过渡产品...[详细]
择用符合自己逆变电源方法

市场上的逆变器电源产品,大体可分两种,一种是正弦波逆变器,一种是方波逆变器,有些工程师也喜欢把纯正弦波逆变器的另分一类,那就是正弦波,纯正弦波,方波。 1.正弦波,它输出的波形就如同我们用的市电一样的波,但它输出的波形要比市电的好,所以这种产品的对于所有的用电设备都合适.但它的价格较高,一般300W的就卖到800多元.一般用天高精密设备,探测,研发,军事等地方多.而对于家电,我们也不必用哪么高要...[详细]
电动汽车的轻量化可从哪些途径来实现

汽车轻量化对于汽车来说还是一个比较陌生的一个词汇，随着对环保要求的不断提高，相关法规对于车辆更低油耗也提出了更高的标准，轻量化成为了汽车降低油耗和电动汽车增加续航里程的一种途径，根据目前市面上大多数轻量化设计的车型来看，在不涉及到安全的问题的情况下面，轻量化可以从车身的材料上面，和车辆的结构设计上面去进行实现，车辆的轻量化也是必然的趋势。对于车身材料而言，就更加的要进行着重的考虑了，首先不...[详细]
决定自动驾驶激光雷达感知质量的因素有哪些？

激光雷达（LiDAR）对于自动驾驶汽车来说，就是让自动驾驶汽车“看得见路”的感觉器官，它的工作原理简单描述，就是将激光束打出去、把回波接回来，最后生成三维点云的交通环境。对于车企来说，并不是把“激光雷达”挂在车上，就意味着车辆一定能够能看得清楚、判断得准交通环境，其实激光雷达探测环境的好坏有非常多的影响因素。先从对于激光雷达最重要的，也是直观的“看得多远、看得多细、看得多稳”这三件...[详细]
基于SG3525的非接触式小功率电能传输系统设计

传统的电能传输，主要通过导线进行传输，电源与负载之间需直接物理接触。在日常生活中，随着用电设备的增加，直接的物理接触既不方便又增加了用电的安全隐患。另外，随着人工器官以及水下探测装置的发展，非接触充电成为一种迫切的需求。由于非接触式电能传输属于松散耦合，电能传输效率较低。一般采用高频逆变电路，通过提高频率来提高传输效率。在高频逆变电路中，许多控制芯片价格昂贵，使用复杂。SG3525是美国硅...[详细]
瑞萨电子推出创新三电平拓扑结构的全新USB-C电源解决方案

瑞萨电子推出创新三电平拓扑结构的全新USB-C电源解决方案，在提升性能的同时缩小系统尺寸全新解决方案兼顾卓越的热效率和优异的功率损耗，适用于多端口USB-PD充电器、便携式电源站等多种应用 2025 年 8 月 20 日，中国北京讯 - 全球半导体解决方案供应商瑞萨电子今日宣布推出RAA489300/RAA489301高性能降压控制器。该新款控制器采用三电平降压拓扑结构，专为U...[详细]
新能源电动汽车的缺点主要体现在哪些方面

新能源电动汽车节能，环保，用车成本低，以及享受国家政策的大力支持，随着新能源电动汽车的销售增长，对于新能源电动汽车的选择上面来说，也吸引了越来越多的人选择，从新能源电动汽车优点上面来说，占有的优点有很多，但电动汽车有优点也就有缺点。从电动汽车的缺点上面来说，首先车辆的充电速度慢，对于电动汽车来说，虽然有快充和慢充，但是从快充的角度上面而言，并不能像燃油车加油那样的快，一般正常的充电时间为8...[详细]

器件捷径: 00 01 02 03 04 05 06 07 08 09 0A 0C 0F 0J 0L 0M 0R 0S 0T 0Z 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 1A 1B 1C 1D 1E 1F 1H 1K 1M 1N 1P 1S 1T 1V 1X 1Z 20 21 22 23 24 25 26 27 28 29 2A 2B 2C 2D 2E 2F 2G 2K 2M 2N 2P 2Q 2R 2S 2T 2W 2Z 30 31 32 33 34 35 36 37 38 39 3A 3B 3C 3D 3E 3F 3G 3H 3J 3K 3L 3M 3N 3P 3R 3S 3T 3V 40 41 42 43 44 45 46 47 48 49 4A 4B 4C 4D 4M 4N 4P 4S 4T 50 51 52 53 54 55 56 57 58 59 5A 5B 5C 5E 5G 5H 5K 5M 5N 5P 5S 5T 5V 60 61 62 63 64 65 66 67 68 69 6A 6C 6E 6F 6M 6N 6P 6R 6S 6T 70 71 72 73 74 75 76 77 78 79 7A 7B 7C 7M 7N 7P 7Q 7V 7W 7X 80 81 82 83 84 85 86 87 88 89 8A 8D 8E 8L 8N 8P 8S 8T 8W 8Y 8Z 90 91 92 93 94 95 96 97 98 99 9A 9B 9C 9D 9F 9G 9H 9L 9S 9T 9W

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