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GLZ10B_R1_10001

产品描述精度:- 稳压值(典型值):9.41V(Min)~9.9V(Max) 反向漏电流:200nA @ 7V 最大功率:500mW 9.9V(max) 500mW
产品类别分立半导体    二极管   
文件大小315KB,共7页
制造商强茂(PANJIT)
官网地址http://www.panjit.com.tw/
标准

PANJIT 是一家全球 IDM,提供广泛的产品组合,包括 MOSFET、肖特基二极管、SiC 器件、双极结型晶体管和电桥等。公司旨在满足客户在汽车、电源、工业、计算、消费和通信等各种应用领域的需求。他们的愿景是通过质量可靠、节能高效的产品为世界提供电源,为人们带来更绿色、更智能的未来。公司核心价值观包括创新、责任、以客户为中心、学习与成长、相互信任和协作。

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GLZ10B_R1_10001概述

精度:- 稳压值(典型值):9.41V(Min)~9.9V(Max) 反向漏电流:200nA @ 7V 最大功率:500mW 9.9V(max) 500mW

GLZ10B_R1_10001规格参数

参数名称属性值
是否无铅不含铅
是否Rohs认证符合
厂商名称强茂(PANJIT)
包装说明O-LELF-R2
Reach Compliance Codecompliant
ECCN代码EAR99
外壳连接ISOLATED
配置SINGLE
二极管元件材料SILICON
二极管类型ZENER DIODE
最大动态阻抗8 Ω
最大正向电压 (VF)1 V
JESD-30 代码O-LELF-R2
膝阻抗最大值120 Ω
元件数量1
端子数量2
最高工作温度175 °C
最低工作温度-55 °C
封装主体材料GLASS
封装形状RECTANGULAR
封装形式LONG FORM
极性UNIDIRECTIONAL
最大功率耗散0.5 W
标称参考电压10 V
最大反向电流0.2 µA
反向测试电压7 V
表面贴装YES
技术ZENER
端子形式WRAP AROUND
端子位置END
最大电压容差5.9%
工作测试电流20 mA
Base Number Matches1
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