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CY7C1311V18-250BZC

产品描述QDR SRAM, 2MX8, 0.45ns, CMOS, PBGA165, 13 X 15 MM, 1.20 MM HEIGHT, 1 MM PITCH, FBGA-165
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文件大小400KB,共22页
制造商Cypress(赛普拉斯)
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CY7C1311V18-250BZC概述

QDR SRAM, 2MX8, 0.45ns, CMOS, PBGA165, 13 X 15 MM, 1.20 MM HEIGHT, 1 MM PITCH, FBGA-165

CY7C1311V18-250BZC规格参数

参数名称属性值
是否无铅含铅
是否Rohs认证不符合
零件包装代码BGA
包装说明13 X 15 MM, 1.20 MM HEIGHT, 1 MM PITCH, FBGA-165
针数165
Reach Compliance Codecompliant
ECCN代码3A991.B.2.A
Base Number Matches1

CY7C1311V18-250BZC相似产品对比

CY7C1311V18-250BZC CY7C1315V18-200BZC CY7C1315V18-250BZC CY7C1315V18-167BZC CY7C1311V18-167BZC CY7C1311V18-200BZC CY7C1313V18-250BZC
描述 QDR SRAM, 2MX8, 0.45ns, CMOS, PBGA165, 13 X 15 MM, 1.20 MM HEIGHT, 1 MM PITCH, FBGA-165 QDR SRAM, 512KX36, 0.45ns, CMOS, PBGA165, 13 X 15 MM, 1.20 MM HEIGHT, 1 MM PITCH, FBGA-165 QDR SRAM, 512KX36, 0.45ns, CMOS, PBGA165, 13 X 15 MM, 1.20 MM HEIGHT, 1 MM PITCH, FBGA-165 QDR SRAM, 512KX36, 0.5ns, CMOS, PBGA165, 13 X 15 MM, 1.20 MM HEIGHT, 1 MM PITCH, FBGA-165 QDR SRAM, 2MX8, 0.5ns, CMOS, PBGA165, 13 X 15 MM, 1.20 MM HEIGHT, 1 MM PITCH, FBGA-165 QDR SRAM, 2MX8, 0.45ns, CMOS, PBGA165, 13 X 15 MM, 1.20 MM HEIGHT, 1 MM PITCH, FBGA-165 QDR SRAM, 1MX18, 0.45ns, CMOS, PBGA165, 13 X 15 MM, 1.20 MM HEIGHT, 1 MM PITCH, FBGA-165
是否Rohs认证 不符合 不符合 不符合 不符合 不符合 不符合 不符合
零件包装代码 BGA BGA BGA BGA BGA BGA BGA
包装说明 13 X 15 MM, 1.20 MM HEIGHT, 1 MM PITCH, FBGA-165 13 X 15 MM, 1.20 MM HEIGHT, 1 MM PITCH, FBGA-165 13 X 15 MM, 1.20 MM HEIGHT, 1 MM PITCH, FBGA-165 13 X 15 MM, 1.20 MM HEIGHT, 1 MM PITCH, FBGA-165 13 X 15 MM, 1.20 MM HEIGHT, 1 MM PITCH, FBGA-165 13 X 15 MM, 1.20 MM HEIGHT, 1 MM PITCH, FBGA-165 13 X 15 MM, 1.20 MM HEIGHT, 1 MM PITCH, FBGA-165
针数 165 165 165 165 165 165 165
Reach Compliance Code compliant compliant compliant compliant compliant compliant _compli
ECCN代码 3A991.B.2.A 3A991.B.2.A 3A991.B.2.A 3A991.B.2.A 3A991.B.2.A 3A991.B.2.A 3A991.B.2.A
是否无铅 含铅 - 含铅 - 含铅 含铅 -
Base Number Matches 1 1 1 1 1 - -
厂商名称 - Cypress(赛普拉斯) - Cypress(赛普拉斯) - Cypress(赛普拉斯) Cypress(赛普拉斯)
最长访问时间 - 0.45 ns 0.45 ns - - 0.45 ns 0.45 ns
其他特性 - PIPELINED ARCHITECTURE PIPELINED ARCHITECTURE - - PIPELINED ARCHITECTURE PIPELINED ARCHITECTURE
最大时钟频率 (fCLK) - 200 MHz 250 MHz - - 200 MHz 250 MHz
I/O 类型 - SEPARATE SEPARATE - - SEPARATE SEPARATE
JESD-30 代码 - R-PBGA-B165 R-PBGA-B165 - - R-PBGA-B165 R-PBGA-B165
JESD-609代码 - e0 e0 - - e0 e0
长度 - 15 mm 15 mm - - 15 mm 15 mm
内存密度 - 18874368 bit 18874368 bit - - 16777216 bit 18874368 bi
内存集成电路类型 - QDR SRAM QDR SRAM - - QDR SRAM QDR SRAM
内存宽度 - 36 36 - - 8 18
功能数量 - 1 1 - - 1 1
端子数量 - 165 165 - - 165 165
字数 - 524288 words 524288 words - - 2097152 words 1048576 words
字数代码 - 512000 512000 - - 2000000 1000000
工作模式 - SYNCHRONOUS SYNCHRONOUS - - SYNCHRONOUS SYNCHRONOUS
最高工作温度 - 70 °C 70 °C - - 70 °C 70 °C
组织 - 512KX36 512KX36 - - 2MX8 1MX18
输出特性 - 3-STATE 3-STATE - - 3-STATE 3-STATE
封装主体材料 - PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY - - PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY
封装代码 - TBGA TBGA - - TBGA TBGA
封装等效代码 - BGA165,11X15,40 BGA165,11X15,40 - - BGA165,11X15,40 BGA165,11X15,40
封装形状 - RECTANGULAR RECTANGULAR - - RECTANGULAR RECTANGULAR
封装形式 - GRID ARRAY, THIN PROFILE GRID ARRAY, THIN PROFILE - - GRID ARRAY, THIN PROFILE GRID ARRAY, THIN PROFILE
并行/串行 - PARALLEL PARALLEL - - PARALLEL PARALLEL
峰值回流温度(摄氏度) - 220 220 - - 220 NOT SPECIFIED
电源 - 1.5/1.8,1.8 V 1.5/1.8,1.8 V - - 1.5/1.8,1.8 V 1.5/1.8,1.8 V
认证状态 - Not Qualified Not Qualified - - Not Qualified Not Qualified
座面最大高度 - 1.2 mm 1.2 mm - - 1.2 mm 1.2 mm
最小待机电流 - 1.7 V 1.7 V - - 1.7 V 1.7 V
最大供电电压 (Vsup) - 1.9 V 1.9 V - - 1.9 V 1.9 V
最小供电电压 (Vsup) - 1.7 V 1.7 V - - 1.7 V 1.7 V
标称供电电压 (Vsup) - 1.8 V 1.8 V - - 1.8 V 1.8 V
表面贴装 - YES YES - - YES YES
技术 - CMOS CMOS - - CMOS CMOS
温度等级 - COMMERCIAL COMMERCIAL - - COMMERCIAL COMMERCIAL
端子面层 - Tin/Lead (Sn/Pb) Tin/Lead (Sn/Pb) - - Tin/Lead (Sn/Pb) Tin/Lead (Sn/Pb)
端子形式 - BALL BALL - - BALL BALL
端子节距 - 1 mm 1 mm - - 1 mm 1 mm
端子位置 - BOTTOM BOTTOM - - BOTTOM BOTTOM
处于峰值回流温度下的最长时间 - NOT SPECIFIED NOT SPECIFIED - - NOT SPECIFIED NOT SPECIFIED
宽度 - 13 mm 13 mm - - 13 mm 13 mm
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