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Datasheet> 器件分类 > 分立半导体> 晶体管> CMLM0708ABKLEADFREE
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CMLM0708ABKLEADFREE

产品描述Transistor
产品类别分立半导体    晶体管   
文件大小585KB，共2页
制造商Central Semiconductor
标准
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CMLM0708ABKLEADFREE概述

Transistor

CMLM0708ABKLEADFREE规格参数

参数名称属性值
是否Rohs认证符合
包装说明,
Reach Compliance Codecompliant
最大漏极电流 (Abs) (ID)0.28 A
FET 技术METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JESD-609代码e3
湿度敏感等级1
工作模式ENHANCEMENT MODE
最高工作温度150 °C
极性/信道类型N-CHANNEL AND P-CHANNEL
最大功率耗散 (Abs)0.35 W
表面贴装YES
端子面层Matte Tin (Sn)
Base Number Matches1

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CMLM0708A
MULTI DISCRETE MODULE
™
SURFACE MOUNT
N-CHANNEL AND P-CHANNEL
COMPLEMENTARY MOSFETS
w w w. c e n t r a l s e m i . c o m
DESCRIPTION:
The CENTRAL SEMICONDUCTOR CMLM0708A is a
Multi Discrete Module™ consisting of complementary
N-Channel and P-Channel Enhancement-mode
MOSFETS packaged in a space saving PICOmini™
SOT-563 case. This device is designed for small
signal general purpose applications where size and
operational efficiency are prime requirements.
MARKING CODE: C78
SOT-563 CASE
FEATURES:
•
Dual Complementary MOSFETS
• Low rDS(ON) (3Ω MAX @ VGS=5.0V)
• Small SOT-563 Surface Mount Package
MAXIMUM RATINGS - CASE:
(TA=25°C)
Power Dissipation (Note 1)
Power Dissipation (Note 2)
Power Dissipation (Note 3)
Operating and Storage Junction Temperature
Thermal Resistance
MAXIMUM RATINGS:
(TA=25°C)
Drain-Source Voltage
Drain-Gate Voltage
Gate-Source Voltage
Continuous Drain Current
Continuous Source Current (Body Diode)
Maximum Pulsed Drain Current
Maximum Pulsed Source Current
SYMBOL
VDS
VDG
VGS
ID
IS
IDM
ISM
APPLICATIONS:
•
Switching Circuits
• DC/DC Converters
• Battery Powered Portable Equipment including Cell
Phones, Digital Cameras, Pagers, PDAs, Notebook PCs, etc.
SYMBOL
PD
PD
PD
TJ, Tstg
Θ
JA
N-Ch (Q1)
60
60
40
280
280
1.5
1.5
UNITS
mW
mW
mW
°C
°C/W
UNITS
V
V
V
mA
mA
A
A
350
300
150
-65 to +150
357
P-Ch (Q2)
50
50
20
280
280
1.5
1.5
ELECTRICAL CHARACTERISTICS:
(TA=25°C unless otherwise noted)
N-Ch (Q1)
SYMBOL
TEST CONDITIONS
MIN
MAX
IGSSF, IGSSR
VGS=20V, VDS=0
-
100
IDSS (N-Ch)
VDS=60V, VGS=0
-
1.0
IDSS (P-Ch)
VDS=50V, VGS=0
-
-
IDSS (N-Ch)
VDS=60V, VGS=0, TJ=125°C
-
500
IDSS (P-Ch)
VDS=50V, VGS=0, TJ=125°C
-
-
500
-
ID(ON) (N-Ch)
VGS=10V, VDS=10V
ID(ON) (P-Ch)
VGS=10V, VDS=10V
-
-
BVDSS
VGS=0, ID=10μA
60
-
Notes: (1) Ceramic or aluminum core PC Board with copper mounting pad area of 4.0mm
2
(2) FR-4 Epoxy PC Board with copper mounting pad area of 4.0mm
2
(3) FR-4 Epoxy PC Board with copper mounting pad area of 1.4mm
2
P-Ch
MIN
-
-
-
-
-
-
500
50
(Q2)
MAX
100
-
1.0
-
500
-
-
-
UNITS
nA
μA
μA
μA
μA
mA
mA
V
R1 (18-January 2010)

CMLM0708ABKLEADFREE相似产品对比

CMLM0708ABKLEADFREE CMLM0708ABK CMLM0708ATR
描述 Transistor Small Signal Field-Effect Transistor, 0.28A I(D), 60V, 2-Element, N-Channel and P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, PACKAGE-6 Small Signal Field-Effect Transistor, 0.28A I(D), 60V, 2-Element, N-Channel and P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, PACKAGE-6
是否Rohs认证 符合 不符合 不符合
包装说明 , PACKAGE-6 PACKAGE-6
Reach Compliance Code compliant not_compliant not_compliant
最大漏极电流 (Abs) (ID) 0.28 A 0.28 A 0.28 A
FET 技术 METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JESD-609代码 e3 e0 e0
工作模式 ENHANCEMENT MODE ENHANCEMENT MODE ENHANCEMENT MODE
最高工作温度 150 °C 150 °C 150 °C
极性/信道类型 N-CHANNEL AND P-CHANNEL N-CHANNEL AND P-CHANNEL N-CHANNEL AND P-CHANNEL
最大功率耗散 (Abs) 0.35 W 0.35 W 0.35 W
表面贴装 YES YES YES
端子面层 Matte Tin (Sn) Tin/Lead (Sn/Pb) Tin/Lead (Sn/Pb)
厂商名称 - Central Semiconductor Central Semiconductor
针数 - 6 6
ECCN代码 - EAR99 EAR99
配置 - SEPARATE, 2 ELEMENTS WITH BUILT-IN DIODE SEPARATE, 2 ELEMENTS WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压 - 60 V 60 V
最大漏极电流 (ID) - 0.28 A 0.28 A
最大漏源导通电阻 - 2 Ω 2 Ω
最大反馈电容 (Crss) - 5 pF 5 pF
JESD-30 代码 - R-PDSO-F6 R-PDSO-F6
元件数量 - 2 2
端子数量 - 6 6
封装主体材料 - PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY
封装形状 - RECTANGULAR RECTANGULAR
封装形式 - SMALL OUTLINE SMALL OUTLINE
峰值回流温度（摄氏度） - NOT SPECIFIED NOT SPECIFIED
认证状态 - Not Qualified Not Qualified
端子形式 - FLAT FLAT
端子位置 - DUAL DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间 - NOT SPECIFIED NOT SPECIFIED
晶体管应用 - SWITCHING SWITCHING
晶体管元件材料 - SILICON SILICON

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