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CTLDM7120-M621HTIN/LEAD

产品描述Small Signal Field-Effect Transistor,
产品类别分立半导体    晶体管   
文件大小600KB,共4页
制造商Central Semiconductor
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CTLDM7120-M621HTIN/LEAD概述

Small Signal Field-Effect Transistor,

CTLDM7120-M621HTIN/LEAD规格参数

参数名称属性值
是否Rohs认证不符合
Reach Compliance Codecompliant
JESD-609代码e0
峰值回流温度(摄氏度)NOT SPECIFIED
端子面层Tin/Lead (Sn/Pb)
处于峰值回流温度下的最长时间NOT SPECIFIED
Base Number Matches1

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CTLDM7120-M621H
SURFACE MOUNT
N-CHANNEL
ENHANCEMENT-MODE
SILICON MOSFET
w w w. c e n t r a l s e m i . c o m
DESCRIPTION:
The CENTRAL SEMICONDUCTOR CTLDM7120-M621H is
an Enhancement-mode N-Channel Field Effect Transistor,
manufactured by the N-Channel DMOS Process, designed
for high speed pulsed amplifier and driver applications.
This MOSFET offers Low r
DS(ON)
and Low Threshold
Voltage.
MARKING CODE: CNH
TLM621H CASE
• Device is
Halogen Free
by design
FEATURES:
ESD protection up to 2kV
Low rDS(ON) (0.25Ω MAX @ VGS=1.5V)
High current (ID=1.0A)
Logic level compatibility
SYMBOL
VDS
VGS
ID
IDM
PD
TJ, Tstg
Θ
JA
UNITS
V
V
A
A
W
°C
°C/W
APPLICATIONS:
Load/Power switches
Power supply converter circuits
Battery powered portable equipment
MAXIMUM RATINGS:
(TA=25°C)
Drain-Source Voltage
Gate-Source Voltage
Continuous Drain Current (Steady State)
Maximum Pulsed Drain Current, tp=10μs
Power Dissipation (Note 1)
Operating and Storage Junction Temperature
Thermal Resistance (Note 1)
20
8.0
1.0
4.0
1.6
-65 to +150
75
ELECTRICAL CHARACTERISTICS:
(TA=25°C unless
SYMBOL
TEST CONDITIONS
IGSSF, IGSSR VGS=8.0V, VDS=0
IDSS
VDS=20V, VGS=0
BVDSS
VGS=0, ID=250μA
VGS(th)
VDS=10V, ID=1.0mA
VSD
VGS=0, IS=1.0A
rDS(ON)
VGS=4.5V, ID=0.5A
rDS(ON)
VGS=2.5V, ID=0.5A
rDS(ON)
VGS=1.5V, ID=0.1A
Qg(tot)
VDS=10V, VGS=4.5V, ID=1.0A
Qgs
VDS=10V, VGS=4.5V, ID=1.0A
Qgd
VDS=10V, VGS=4.5V, ID=1.0A
gFS
VDS=10V, ID=0.5A
Crss
VDS=10V, VGS=0, f=1.0MHz
Ciss
VDS=10V, VGS=0, f=1.0MHz
Coss
VDS=10V, VGS=0, f=1.0MHz
ton
VDD=10V, VGS=5.0V, ID=0.5A
toff
VDD=10V, VGS=5.0V, ID=0.5A
otherwise noted)
MIN
TYP
MAX
10
10
1.2
1.1
0.10
0.14
0.25
20
0.5
0.075
0.10
0.17
2.4
0.25
0.65
4.2
45
220
120
25
140
UNITS
μA
μA
V
V
V
Ω
Ω
Ω
nC
nC
nC
S
pF
pF
pF
ns
ns
Notes: (1) Mounted on a 4-layer JEDEC test board with one thermal vias connecting the
exposed thermal pad to the first buried plane. PCB was constructed as per
JEDEC standards JESD51-5 and JESD51-7.
R3 (2-August 2011)

CTLDM7120-M621HTIN/LEAD相似产品对比

CTLDM7120-M621HTIN/LEAD CTLDM7120-M621HPBFREE
描述 Small Signal Field-Effect Transistor, Small Signal Field-Effect Transistor,
是否Rohs认证 不符合 符合
Reach Compliance Code compliant compliant
峰值回流温度(摄氏度) NOT SPECIFIED NOT SPECIFIED
处于峰值回流温度下的最长时间 NOT SPECIFIED NOT SPECIFIED
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