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Datasheet> 器件分类 > 分立半导体> 晶体管> CZT3019LEADFREE
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CZT3019LEADFREE

产品描述Power Bipolar Transistor, 1A I(C), 80V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, Plastic/Epoxy, 4 Pin, PLASTIC PACKAGE-4
产品类别分立半导体    晶体管   
文件大小530KB，共2页
制造商Central Semiconductor
标准  
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CZT3019LEADFREE概述

Power Bipolar Transistor, 1A I(C), 80V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, Plastic/Epoxy, 4 Pin, PLASTIC PACKAGE-4

CZT3019LEADFREE规格参数

参数名称属性值
是否无铅不含铅
是否Rohs认证符合
包装说明PLASTIC PACKAGE-4
针数4
Reach Compliance Codenot_compliant
ECCN代码EAR99
外壳连接COLLECTOR
最大集电极电流 (IC)1 A
集电极-发射极最大电压80 V
配置SINGLE
最小直流电流增益 (hFE)15
JESD-30 代码R-PDSO-G4
JESD-609代码e3
湿度敏感等级1
元件数量1
端子数量4
最高工作温度150 °C
封装主体材料PLASTIC/EPOXY
封装形状RECTANGULAR
封装形式SMALL OUTLINE
峰值回流温度（摄氏度）260
极性/信道类型NPN
认证状态Not Qualified
表面贴装YES
端子面层MATTE TIN (315)
端子形式GULL WING
端子位置DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间10
晶体管应用AMPLIFIER
晶体管元件材料SILICON
标称过渡频率 (fT)100 MHz
Base Number Matches1

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CZT3019
SURFACE MOUNT
NPN SILICON TRANSISTOR
w w w. c e n t r a l s e m i . c o m
DESCRIPTION:
The CENTRAL SEMICONDUCTOR CZT3019 type is
an NPN silicon transistor manufactured by the epitaxial
planar process, epoxy molded in a surface mount
package, designed for high current general purpose
amplifier applications.
MARKING: FULL PART NUMBER
SOT-223 CASE
MAXIMUM RATINGS:
(TA=25°C)
Collector-Base Voltage
Collector-Emitter Voltage
Emitter-Base Voltage
Continuous Collector Current
Peak Collector Current
Power Dissipation
Operating and Storage Junction Temperature
Thermal Resistance
SYMBOL
VCBO
VCEO
VEBO
IC
ICM
PD
TJ, Tstg
Θ
JA
UNITS
V
V
V
A
A
W
°C
°C/W
140
80
7.0
1.0
1.5
2.0
-65 to +150
62.5
ELECTRICAL CHARACTERISTICS:
(TA=25°C unless otherwise noted)
SYMBOL
TEST CONDITIONS
MIN
ICBO
VCB=90V
IEBO
VEB=5.0V
BVCBO
BVCEO
BVEBO
VCE(SAT)
VCE(SAT)
VBE(SAT)
hFE
hFE
hFE
hFE
hFE
fT
Cob
Cib
NF
IC=100μA
IC=30mA
IE=100μA
IC=150mA,
IC=500mA,
IC=150mA,
VCE=10V,
VCE=10V,
VCE=10V,
IB=15mA
IB=50mA
IB=15mA
50
90
100
50
15
100
140
80
7.0
MAX
10
10
UNITS
nA
nA
V
V
V
0.2
0.5
1.1
V
V
V
IC=0.1mA
IC=10mA
IC=150mA
300
VCE=10V, IC=500mA
VCE=10V, IC=1.0A
VCE=10V, IC=50mA, f=20MHz
VCB=10V, IE=0, f=1.0MHz
VEB=0.5V, IC=0, f=1.0MHz
VCE=10V, IC=100μA,
RS=1.0kΩ, f=1.0kHz
400
12
60
4.0
MHz
pF
pF
dB
R6 (9-November 2010)

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