16 M-WORD BY 64-BIT DDR SYNCHRONOUS DYNAMIC RAM MODULE (SO DIMM)
MC-45D16CD641KS | MC-45D16CD641KS-C75 | MC-45D16CD641KS-C80 | |
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描述 | 16 M-WORD BY 64-BIT DDR SYNCHRONOUS DYNAMIC RAM MODULE (SO DIMM) | 16 M-WORD BY 64-BIT DDR SYNCHRONOUS DYNAMIC RAM MODULE (SO DIMM) | 16 M-WORD BY 64-BIT DDR SYNCHRONOUS DYNAMIC RAM MODULE (SO DIMM) |
是否Rohs认证 | - | 不符合 | 不符合 |
厂商名称 | - | ELPIDA | ELPIDA |
零件包装代码 | - | MODULE | MODULE |
包装说明 | - | DIMM, DIMM200,24 | DIMM, DIMM200,24 |
针数 | - | 200 | 200 |
Reach Compliance Code | - | unknow | unknow |
ECCN代码 | - | EAR99 | EAR99 |
访问模式 | - | DUAL BANK PAGE BURST | DUAL BANK PAGE BURST |
最长访问时间 | - | 0.75 ns | 0.8 ns |
其他特性 | - | AUTO/SELF REFRESH | AUTO/SELF REFRESH |
最大时钟频率 (fCLK) | - | 133 MHz | 125 MHz |
I/O 类型 | - | COMMON | COMMON |
JESD-30 代码 | - | R-XDMA-N200 | R-XDMA-N200 |
内存密度 | - | 1073741824 bi | 1073741824 bi |
内存集成电路类型 | - | DDR DRAM MODULE | DDR DRAM MODULE |
内存宽度 | - | 64 | 64 |
功能数量 | - | 1 | 1 |
端口数量 | - | 1 | 1 |
端子数量 | - | 200 | 200 |
字数 | - | 16777216 words | 16777216 words |
字数代码 | - | 16000000 | 16000000 |
工作模式 | - | SYNCHRONOUS | SYNCHRONOUS |
最高工作温度 | - | 70 °C | 70 °C |
组织 | - | 16MX64 | 16MX64 |
输出特性 | - | 3-STATE | 3-STATE |
封装主体材料 | - | UNSPECIFIED | UNSPECIFIED |
封装代码 | - | DIMM | DIMM |
封装等效代码 | - | DIMM200,24 | DIMM200,24 |
封装形状 | - | RECTANGULAR | RECTANGULAR |
封装形式 | - | MICROELECTRONIC ASSEMBLY | MICROELECTRONIC ASSEMBLY |
电源 | - | 2.5 V | 2.5 V |
认证状态 | - | Not Qualified | Not Qualified |
刷新周期 | - | 4096 | 4096 |
自我刷新 | - | YES | YES |
最大待机电流 | - | 0.08 A | 0.08 A |
最大压摆率 | - | 1.36 mA | 1.28 mA |
最大供电电压 (Vsup) | - | 2.7 V | 2.7 V |
最小供电电压 (Vsup) | - | 2.3 V | 2.3 V |
标称供电电压 (Vsup) | - | 2.5 V | 2.5 V |
表面贴装 | - | NO | NO |
技术 | - | MOS | MOS |
温度等级 | - | COMMERCIAL | COMMERCIAL |
端子形式 | - | NO LEAD | NO LEAD |
端子节距 | - | 0.6 mm | 0.6 mm |
端子位置 | - | DUAL | DUAL |
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