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MC-45D16CD641KS

产品描述16 M-WORD BY 64-BIT DDR SYNCHRONOUS DYNAMIC RAM MODULE (SO DIMM)
文件大小22KB,共1页
制造商ELPIDA
官网地址http://www.elpida.com/en
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MC-45D16CD641KS概述

16 M-WORD BY 64-BIT DDR SYNCHRONOUS DYNAMIC RAM MODULE (SO DIMM)

MC-45D16CD641KS相似产品对比

MC-45D16CD641KS MC-45D16CD641KS-C75 MC-45D16CD641KS-C80
描述 16 M-WORD BY 64-BIT DDR SYNCHRONOUS DYNAMIC RAM MODULE (SO DIMM) 16 M-WORD BY 64-BIT DDR SYNCHRONOUS DYNAMIC RAM MODULE (SO DIMM) 16 M-WORD BY 64-BIT DDR SYNCHRONOUS DYNAMIC RAM MODULE (SO DIMM)
是否Rohs认证 - 不符合 不符合
厂商名称 - ELPIDA ELPIDA
零件包装代码 - MODULE MODULE
包装说明 - DIMM, DIMM200,24 DIMM, DIMM200,24
针数 - 200 200
Reach Compliance Code - unknow unknow
ECCN代码 - EAR99 EAR99
访问模式 - DUAL BANK PAGE BURST DUAL BANK PAGE BURST
最长访问时间 - 0.75 ns 0.8 ns
其他特性 - AUTO/SELF REFRESH AUTO/SELF REFRESH
最大时钟频率 (fCLK) - 133 MHz 125 MHz
I/O 类型 - COMMON COMMON
JESD-30 代码 - R-XDMA-N200 R-XDMA-N200
内存密度 - 1073741824 bi 1073741824 bi
内存集成电路类型 - DDR DRAM MODULE DDR DRAM MODULE
内存宽度 - 64 64
功能数量 - 1 1
端口数量 - 1 1
端子数量 - 200 200
字数 - 16777216 words 16777216 words
字数代码 - 16000000 16000000
工作模式 - SYNCHRONOUS SYNCHRONOUS
最高工作温度 - 70 °C 70 °C
组织 - 16MX64 16MX64
输出特性 - 3-STATE 3-STATE
封装主体材料 - UNSPECIFIED UNSPECIFIED
封装代码 - DIMM DIMM
封装等效代码 - DIMM200,24 DIMM200,24
封装形状 - RECTANGULAR RECTANGULAR
封装形式 - MICROELECTRONIC ASSEMBLY MICROELECTRONIC ASSEMBLY
电源 - 2.5 V 2.5 V
认证状态 - Not Qualified Not Qualified
刷新周期 - 4096 4096
自我刷新 - YES YES
最大待机电流 - 0.08 A 0.08 A
最大压摆率 - 1.36 mA 1.28 mA
最大供电电压 (Vsup) - 2.7 V 2.7 V
最小供电电压 (Vsup) - 2.3 V 2.3 V
标称供电电压 (Vsup) - 2.5 V 2.5 V
表面贴装 - NO NO
技术 - MOS MOS
温度等级 - COMMERCIAL COMMERCIAL
端子形式 - NO LEAD NO LEAD
端子节距 - 0.6 mm 0.6 mm
端子位置 - DUAL DUAL
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