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MC-458CB646PFB-A80

产品描述8M-WORD BY 64-BIT SYNCHRONOUS DYNAMIC RAM MODULE UNBUFFERED TYPE
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文件大小141KB,共16页
制造商ELPIDA
官网地址http://www.elpida.com/en
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MC-458CB646PFB-A80概述

8M-WORD BY 64-BIT SYNCHRONOUS DYNAMIC RAM MODULE UNBUFFERED TYPE

MC-458CB646PFB-A80规格参数

参数名称属性值
是否Rohs认证不符合
厂商名称ELPIDA
零件包装代码DIMM
包装说明DIMM, DIMM168
针数168
Reach Compliance Codeunknow
ECCN代码EAR99
访问模式FOUR BANK PAGE BURST
最长访问时间6 ns
其他特性AUTO/SELF REFRESH
最大时钟频率 (fCLK)125 MHz
I/O 类型COMMON
JESD-30 代码R-XDMA-N168
内存密度536870912 bi
内存集成电路类型SYNCHRONOUS DRAM MODULE
内存宽度64
湿度敏感等级1
功能数量1
端口数量1
端子数量168
字数8388608 words
字数代码8000000
工作模式SYNCHRONOUS
最高工作温度70 °C
最低工作温度
组织8MX64
输出特性3-STATE
封装主体材料UNSPECIFIED
封装代码DIMM
封装等效代码DIMM168
封装形状RECTANGULAR
封装形式MICROELECTRONIC ASSEMBLY
峰值回流温度(摄氏度)225
电源3.3 V
认证状态Not Qualified
刷新周期4096
自我刷新YES
最大待机电流0.004 A
最大压摆率0.92 mA
最大供电电压 (Vsup)3.6 V
最小供电电压 (Vsup)3 V
标称供电电压 (Vsup)3.3 V
表面贴装NO
技术MOS
温度等级COMMERCIAL
端子形式NO LEAD
端子节距1.27 mm
端子位置DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间NOT SPECIFIED

MC-458CB646PFB-A80相似产品对比

MC-458CB646PFB-A80 MC-458CB646 MC-458CB646EFB-A80 MC-458CB646PFB-A10 MC-458CB646XFB-A10
描述 8M-WORD BY 64-BIT SYNCHRONOUS DYNAMIC RAM MODULE UNBUFFERED TYPE 8M-WORD BY 64-BIT SYNCHRONOUS DYNAMIC RAM MODULE UNBUFFERED TYPE 8M-WORD BY 64-BIT SYNCHRONOUS DYNAMIC RAM MODULE UNBUFFERED TYPE 8M-WORD BY 64-BIT SYNCHRONOUS DYNAMIC RAM MODULE UNBUFFERED TYPE 8M-WORD BY 64-BIT SYNCHRONOUS DYNAMIC RAM MODULE UNBUFFERED TYPE
是否Rohs认证 不符合 - 不符合 不符合 不符合
厂商名称 ELPIDA - ELPIDA ELPIDA ELPIDA
零件包装代码 DIMM - DIMM DIMM DIMM
包装说明 DIMM, DIMM168 - DIMM, DIMM168 DIMM, DIMM168 DIMM, DIMM168
针数 168 - 168 168 168
Reach Compliance Code unknow - unknow unknow unknow
ECCN代码 EAR99 - EAR99 EAR99 EAR99
访问模式 FOUR BANK PAGE BURST - FOUR BANK PAGE BURST FOUR BANK PAGE BURST FOUR BANK PAGE BURST
最长访问时间 6 ns - 6 ns 6 ns 6 ns
其他特性 AUTO/SELF REFRESH - AUTO/SELF REFRESH AUTO/SELF REFRESH AUTO/SELF REFRESH
最大时钟频率 (fCLK) 125 MHz - 125 MHz 100 MHz 100 MHz
I/O 类型 COMMON - COMMON COMMON COMMON
JESD-30 代码 R-XDMA-N168 - R-XDMA-N168 R-XDMA-N168 R-XDMA-N168
内存密度 536870912 bi - 536870912 bi 536870912 bi 536870912 bi
内存集成电路类型 SYNCHRONOUS DRAM MODULE - SYNCHRONOUS DRAM MODULE SYNCHRONOUS DRAM MODULE SYNCHRONOUS DRAM MODULE
内存宽度 64 - 64 64 64
湿度敏感等级 1 - 1 1 1
功能数量 1 - 1 1 1
端口数量 1 - 1 1 1
端子数量 168 - 168 168 168
字数 8388608 words - 8388608 words 8388608 words 8388608 words
字数代码 8000000 - 8000000 8000000 8000000
工作模式 SYNCHRONOUS - SYNCHRONOUS SYNCHRONOUS SYNCHRONOUS
最高工作温度 70 °C - 70 °C 70 °C 70 °C
组织 8MX64 - 8MX64 8MX64 8MX64
输出特性 3-STATE - 3-STATE 3-STATE 3-STATE
封装主体材料 UNSPECIFIED - UNSPECIFIED UNSPECIFIED UNSPECIFIED
封装代码 DIMM - DIMM DIMM DIMM
封装等效代码 DIMM168 - DIMM168 DIMM168 DIMM168
封装形状 RECTANGULAR - RECTANGULAR RECTANGULAR RECTANGULAR
封装形式 MICROELECTRONIC ASSEMBLY - MICROELECTRONIC ASSEMBLY MICROELECTRONIC ASSEMBLY MICROELECTRONIC ASSEMBLY
峰值回流温度(摄氏度) 225 - 225 225 225
电源 3.3 V - 3.3 V 3.3 V 3.3 V
认证状态 Not Qualified - Not Qualified Not Qualified Not Qualified
刷新周期 4096 - 4096 4096 4096
自我刷新 YES - YES YES YES
最大待机电流 0.004 A - 0.004 A 0.004 A 0.004 A
最大压摆率 0.92 mA - 0.92 mA 0.92 mA 0.92 mA
最大供电电压 (Vsup) 3.6 V - 3.6 V 3.6 V 3.6 V
最小供电电压 (Vsup) 3 V - 3 V 3 V 3 V
标称供电电压 (Vsup) 3.3 V - 3.3 V 3.3 V 3.3 V
表面贴装 NO - NO NO NO
技术 MOS - MOS MOS MOS
温度等级 COMMERCIAL - COMMERCIAL COMMERCIAL COMMERCIAL
端子形式 NO LEAD - NO LEAD NO LEAD NO LEAD
端子节距 1.27 mm - 1.27 mm 1.27 mm 1.27 mm
端子位置 DUAL - DUAL DUAL DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间 NOT SPECIFIED - NOT SPECIFIED NOT SPECIFIED NOT SPECIFIED

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