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CN3MR

产品描述Rectifier Diode, 1 Phase, 1 Element, 3A, 1000V V(RRM), Silicon,
产品类别分立半导体    二极管   
文件大小17KB,共2页
制造商EIC [EIC discrete Semiconductors]
标准
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CN3MR概述

Rectifier Diode, 1 Phase, 1 Element, 3A, 1000V V(RRM), Silicon,

CN3MR规格参数

参数名称属性值
是否Rohs认证符合
包装说明O-CEDB-N2
Reach Compliance Codecompliant
ECCN代码EAR99
其他特性HIGH RELIABILITY
应用GENERAL PURPOSE
配置SINGLE
二极管元件材料SILICON
二极管类型RECTIFIER DIODE
最大正向电压 (VF)1.1 V
JESD-30 代码O-CEDB-N2
最大非重复峰值正向电流200 A
元件数量1
相数1
端子数量2
最高工作温度175 °C
最低工作温度-65 °C
最大输出电流3 A
封装主体材料CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED
封装形状ROUND
封装形式DISK BUTTON
最大重复峰值反向电压1000 V
最大反向电流5 µA
表面贴装YES
端子形式NO LEAD
端子位置END
Base Number Matches1

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CN3A - CN3M
PRV : 50 - 1000 Volts
Io : 3.0 Amperes
FEATURES :
*
*
*
*
*
*
High current capability
High surge current capability
High reliability
Low reverse current
Low forward voltage drop
Chip form
CELL RECTIFIER DIODES
C3A
3.94
3.18
Anode
1.30
Cathode
0.51
MECHANICAL DATA :
* Case : C3A
* Terminals : Solderable per MIL-STD-202,
Method 208 guaranteed
* Polarity : Cathode to bigger size slug, For
Anode to bigger size slug use "R" suffix.
* Mounting position : Any
* Weight : 0.11 gram
Dimensions in millimeter
0.38
MAXIMUM RATINGS AND ELECTRICAL CHARACTERISTICS
Rating at 25
°
C ambient temperature unless otherwise specified.
Single phase, half wave, 60 Hz, resistive or inductive load.
For capacitive load, derate current by 20%.
RATING
Maximum Repetitive Peak Reverse Voltage
Maximum RMS Voltage
Maximum DC Blocking Voltage
Maximum Average Forward Current Tc = 75°C
Peak Forward Surge Current Single half sine wave
superimposed on rated load (JEDEC Method)
Maximum Forward Voltage at I
F
= 3 Amps.
Maximum DC Reverse Current
at rated DC Blocking Voltage
Ta = 25
°C
Ta = 100
°C
SYMBOL
CN3A CN3B CN3D CN3G CN3J CN3K CN3M
UNIT
V
RRM
V
RMS
V
DC
I
F(AV)
50
35
50
100
70
100
200
140
200
400
280
400
3.0
600
420
600
800
560
800
1000
700
1000
Volts
Volts
Volts
Amps.
I
FSM
V
F
I
R
I
R(H)
C
J
R
θ
JC
T
J
T
STG
200
1.1
5.0
1.0
28
15
- 65 to + 175
- 65 to + 175
Amps.
Volts
µA
mA
pF
°C/W
°C
°C
Typical Junction Capacitance (Note 1)
Thermal Resistance, Junction to Case
Junction Temperature Range
Storage Temperature Range
Note
: (1) Measured at 1.0 MHz and applied reverse Voltage of 4.0 V
DC
UPDATE : APRIL 23, 1998

CN3MR相似产品对比

CN3MR CN3AR CN3BR CN3DR CN3GR CN3JR CN3KR
描述 Rectifier Diode, 1 Phase, 1 Element, 3A, 1000V V(RRM), Silicon, Rectifier Diode, 1 Phase, 1 Element, 3A, 50V V(RRM), Silicon, Rectifier Diode, 1 Phase, 1 Element, 3A, 100V V(RRM), Silicon, Rectifier Diode, 1 Phase, 1 Element, 3A, 200V V(RRM), Silicon, Rectifier Diode, 1 Phase, 1 Element, 3A, 400V V(RRM), Silicon, Rectifier Diode, 1 Phase, 1 Element, 3A, 600V V(RRM), Silicon, Rectifier Diode, 1 Phase, 1 Element, 3A, 800V V(RRM), Silicon,
是否Rohs认证 符合 符合 符合 符合 符合 符合 符合
包装说明 O-CEDB-N2 O-CEDB-N2 O-CEDB-N2 O-CEDB-N2 O-CEDB-N2 O-CEDB-N2 O-CEDB-N2
Reach Compliance Code compliant compliant compliant compliant compliant compliant compliant
ECCN代码 EAR99 EAR99 EAR99 EAR99 EAR99 EAR99 EAR99
其他特性 HIGH RELIABILITY HIGH RELIABILITY HIGH RELIABILITY HIGH RELIABILITY HIGH RELIABILITY HIGH RELIABILITY HIGH RELIABILITY
应用 GENERAL PURPOSE GENERAL PURPOSE GENERAL PURPOSE GENERAL PURPOSE GENERAL PURPOSE GENERAL PURPOSE GENERAL PURPOSE
配置 SINGLE SINGLE SINGLE SINGLE SINGLE SINGLE SINGLE
二极管元件材料 SILICON SILICON SILICON SILICON SILICON SILICON SILICON
二极管类型 RECTIFIER DIODE RECTIFIER DIODE RECTIFIER DIODE RECTIFIER DIODE RECTIFIER DIODE RECTIFIER DIODE RECTIFIER DIODE
最大正向电压 (VF) 1.1 V 1.1 V 1.1 V 1.1 V 1.1 V 1.1 V 1.1 V
JESD-30 代码 O-CEDB-N2 O-CEDB-N2 O-CEDB-N2 O-CEDB-N2 O-CEDB-N2 O-CEDB-N2 O-CEDB-N2
最大非重复峰值正向电流 200 A 200 A 200 A 200 A 200 A 200 A 200 A
元件数量 1 1 1 1 1 1 1
相数 1 1 1 1 1 1 1
端子数量 2 2 2 2 2 2 2
最高工作温度 175 °C 175 °C 175 °C 175 °C 175 °C 175 °C 175 °C
最低工作温度 -65 °C -65 °C -65 °C -65 °C -65 °C -65 °C -65 °C
最大输出电流 3 A 3 A 3 A 3 A 3 A 3 A 3 A
封装主体材料 CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED
封装形状 ROUND ROUND ROUND ROUND ROUND ROUND ROUND
封装形式 DISK BUTTON DISK BUTTON DISK BUTTON DISK BUTTON DISK BUTTON DISK BUTTON DISK BUTTON
最大重复峰值反向电压 1000 V 50 V 100 V 200 V 400 V 600 V 800 V
最大反向电流 5 µA 5 µA 5 µA 5 µA 5 µA 5 µA 5 µA
表面贴装 YES YES YES YES YES YES YES
端子形式 NO LEAD NO LEAD NO LEAD NO LEAD NO LEAD NO LEAD NO LEAD
端子位置 END END END END END END END
Base Number Matches 1 1 1 1 1 1 1
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