Datasheet> 器件分类 > 分立半导体> 二极管> CN3JR

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CN3JR: 产品描述Rectifier Diode, 1 Phase, 1 Element, 3A, 600V V(RRM), Silicon,; 产品类别分立半导体二极管; 文件大小17KB，共2页; 制造商EIC [EIC discrete Semiconductors]; 标准

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CN3JR概述

Rectifier Diode, 1 Phase, 1 Element, 3A, 600V V(RRM), Silicon,

CN3JR规格参数

参数名称	属性值
是否Rohs认证	符合
包装说明	O-CEDB-N2
Reach Compliance Code	compliant
ECCN代码	EAR99
其他特性	HIGH RELIABILITY
应用	GENERAL PURPOSE
配置	SINGLE
二极管元件材料	SILICON
二极管类型	RECTIFIER DIODE
最大正向电压 (VF)	1.1 V
JESD-30 代码	O-CEDB-N2
最大非重复峰值正向电流	200 A
元件数量	1
相数	1
端子数量	2
最高工作温度	175 °C
最低工作温度	-65 °C
最大输出电流	3 A
封装主体材料	CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED
封装形状	ROUND
封装形式	DISK BUTTON
最大重复峰值反向电压	600 V
最大反向电流	5 µA
表面贴装	YES
端子形式	NO LEAD
端子位置	END
Base Number Matches	1

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CN3A - CN3M

PRV : 50 - 1000 Volts

Io : 3.0 Amperes

FEATURES :

High current capability

High surge current capability

High reliability

Low reverse current

Low forward voltage drop

Chip form

CELL RECTIFIER DIODES

C3A

3.94

3.18

Anode

1.30

Cathode

0.51

MECHANICAL DATA :

* Case : C3A

* Terminals : Solderable per MIL-STD-202,

Method 208 guaranteed

* Polarity : Cathode to bigger size slug, For

Anode to bigger size slug use "R" suffix.

* Mounting position : Any

* Weight : 0.11 gram

Dimensions in millimeter

0.38

MAXIMUM RATINGS AND ELECTRICAL CHARACTERISTICS

Rating at 25

C ambient temperature unless otherwise specified.

Single phase, half wave, 60 Hz, resistive or inductive load.

For capacitive load, derate current by 20%.

RATING

Maximum Repetitive Peak Reverse Voltage

Maximum RMS Voltage

Maximum DC Blocking Voltage

Maximum Average Forward Current Tc = 75°C

Peak Forward Surge Current Single half sine wave

superimposed on rated load (JEDEC Method)

Maximum Forward Voltage at I

= 3 Amps.

Maximum DC Reverse Current

at rated DC Blocking Voltage

Ta = 25

°C

Ta = 100

°C

SYMBOL

CN3A CN3B CN3D CN3G CN3J CN3K CN3M

UNIT

RRM

RMS

F(AV)

100

200

140

200

400

280

400

3.0

600

420

600

800

560

800

1000

700

1000

Volts

Amps.

FSM

R(H)

STG

200

1.1

5.0

1.0

- 65 to + 175

Amps.

Volts

µA

°C/W

°C

Typical Junction Capacitance (Note 1)

Thermal Resistance, Junction to Case

Junction Temperature Range

Storage Temperature Range

Note

: (1) Measured at 1.0 MHz and applied reverse Voltage of 4.0 V

UPDATE : APRIL 23, 1998

CN3JR相似产品对比

	CN3JR	CN3AR	CN3BR	CN3DR	CN3GR	CN3KR	CN3MR
描述	Rectifier Diode, 1 Phase, 1 Element, 3A, 600V V(RRM), Silicon,	Rectifier Diode, 1 Phase, 1 Element, 3A, 50V V(RRM), Silicon,	Rectifier Diode, 1 Phase, 1 Element, 3A, 100V V(RRM), Silicon,	Rectifier Diode, 1 Phase, 1 Element, 3A, 200V V(RRM), Silicon,	Rectifier Diode, 1 Phase, 1 Element, 3A, 400V V(RRM), Silicon,	Rectifier Diode, 1 Phase, 1 Element, 3A, 800V V(RRM), Silicon,	Rectifier Diode, 1 Phase, 1 Element, 3A, 1000V V(RRM), Silicon,
是否Rohs认证	符合	符合	符合	符合	符合	符合	符合
包装说明	O-CEDB-N2	O-CEDB-N2	O-CEDB-N2	O-CEDB-N2	O-CEDB-N2	O-CEDB-N2	O-CEDB-N2
Reach Compliance Code	compliant	compliant	compliant	compliant	compliant	compliant	compliant
ECCN代码	EAR99	EAR99	EAR99	EAR99	EAR99	EAR99	EAR99
其他特性	HIGH RELIABILITY	HIGH RELIABILITY	HIGH RELIABILITY	HIGH RELIABILITY	HIGH RELIABILITY	HIGH RELIABILITY	HIGH RELIABILITY
应用	GENERAL PURPOSE	GENERAL PURPOSE	GENERAL PURPOSE	GENERAL PURPOSE	GENERAL PURPOSE	GENERAL PURPOSE	GENERAL PURPOSE
配置	SINGLE	SINGLE	SINGLE	SINGLE	SINGLE	SINGLE	SINGLE
二极管元件材料	SILICON	SILICON	SILICON	SILICON	SILICON	SILICON	SILICON
二极管类型	RECTIFIER DIODE	RECTIFIER DIODE	RECTIFIER DIODE	RECTIFIER DIODE	RECTIFIER DIODE	RECTIFIER DIODE	RECTIFIER DIODE
最大正向电压 (VF)	1.1 V	1.1 V	1.1 V	1.1 V	1.1 V	1.1 V	1.1 V
JESD-30 代码	O-CEDB-N2	O-CEDB-N2	O-CEDB-N2	O-CEDB-N2	O-CEDB-N2	O-CEDB-N2	O-CEDB-N2
最大非重复峰值正向电流	200 A	200 A	200 A	200 A	200 A	200 A	200 A
元件数量	1	1	1	1	1	1	1
相数	1	1	1	1	1	1	1
端子数量	2	2	2	2	2	2	2
最高工作温度	175 °C	175 °C	175 °C	175 °C	175 °C	175 °C	175 °C
最低工作温度	-65 °C	-65 °C	-65 °C	-65 °C	-65 °C	-65 °C	-65 °C
最大输出电流	3 A	3 A	3 A	3 A	3 A	3 A	3 A
封装主体材料	CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED	CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED	CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED	CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED	CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED	CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED	CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED
封装形状	ROUND	ROUND	ROUND	ROUND	ROUND	ROUND	ROUND
封装形式	DISK BUTTON	DISK BUTTON	DISK BUTTON	DISK BUTTON	DISK BUTTON	DISK BUTTON	DISK BUTTON
最大重复峰值反向电压	600 V	50 V	100 V	200 V	400 V	800 V	1000 V
最大反向电流	5 µA	5 µA	5 µA	5 µA	5 µA	5 µA	5 µA
表面贴装	YES	YES	YES	YES	YES	YES	YES
端子形式	NO LEAD	NO LEAD	NO LEAD	NO LEAD	NO LEAD	NO LEAD	NO LEAD
端子位置	END	END	END	END	END	END	END
Base Number Matches	1	1	1	1	1	1	1

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