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CY7C1413JV18-250BZI

产品描述2MX18 QDR SRAM, 0.45ns, PBGA165, 17 X 15 MM, 1.40 MM HEIGHT, MO-216, FBGA-165
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文件大小2MB,共27页
制造商Rochester Electronics
官网地址https://www.rocelec.com/
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CY7C1413JV18-250BZI概述

2MX18 QDR SRAM, 0.45ns, PBGA165, 17 X 15 MM, 1.40 MM HEIGHT, MO-216, FBGA-165

CY7C1413JV18-250BZI规格参数

参数名称属性值
零件包装代码BGA
包装说明17 X 15 MM, 1.40 MM HEIGHT, MO-216, FBGA-165
针数165
Reach Compliance Codeunknown
最长访问时间0.45 ns
其他特性PIPELINED ARCHITECTURE
JESD-30 代码R-PBGA-B165
长度17 mm
内存密度37748736 bit
内存集成电路类型QDR SRAM
内存宽度18
功能数量1
端子数量165
字数2097152 words
字数代码2000000
工作模式SYNCHRONOUS
最高工作温度85 °C
最低工作温度-40 °C
组织2MX18
封装主体材料PLASTIC/EPOXY
封装代码LBGA
封装形状RECTANGULAR
封装形式GRID ARRAY, LOW PROFILE
并行/串行PARALLEL
认证状态COMMERCIAL
座面最大高度1.4 mm
最大供电电压 (Vsup)1.9 V
最小供电电压 (Vsup)1.7 V
标称供电电压 (Vsup)1.8 V
表面贴装YES
温度等级INDUSTRIAL
端子形式BALL
端子节距1 mm
端子位置BOTTOM
宽度15 mm
Base Number Matches1

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描述 2MX18 QDR SRAM, 0.45ns, PBGA165, 17 X 15 MM, 1.40 MM HEIGHT, MO-216, FBGA-165 2MX18 QDR SRAM, 0.45ns, PBGA165, 17 X 15 MM, 1.40 MM HEIGHT, LEAD FREE, MO-216, FBGA-165 2MX18 QDR SRAM, 0.45ns, PBGA165, 17 X 15 MM, 1.40 MM HEIGHT, LEAD FREE, MO-216, FBGA-165 1MX36 QDR SRAM, 0.45ns, PBGA165, 17 X 15 MM, 1.40 MM HEIGHT, LEAD FREE, MO-216, FBGA-165 2MX18 QDR SRAM, 0.45ns, PBGA165, 17 X 15 MM, 1.40 MM HEIGHT, LEAD FREE, MO-216, FBGA-165
零件包装代码 BGA BGA BGA BGA BGA
包装说明 17 X 15 MM, 1.40 MM HEIGHT, MO-216, FBGA-165 17 X 15 MM, 1.40 MM HEIGHT, LEAD FREE, MO-216, FBGA-165 17 X 15 MM, 1.40 MM HEIGHT, LEAD FREE, MO-216, FBGA-165 17 X 15 MM, 1.40 MM HEIGHT, LEAD FREE, MO-216, FBGA-165 17 X 15 MM, 1.40 MM HEIGHT, LEAD FREE, MO-216, FBGA-165
针数 165 165 165 165 165
Reach Compliance Code unknown unknown unknown unknown unknown
最长访问时间 0.45 ns 0.45 ns 0.45 ns 0.45 ns 0.45 ns
其他特性 PIPELINED ARCHITECTURE PIPELINED ARCHITECTURE PIPELINED ARCHITECTURE PIPELINED ARCHITECTURE PIPELINED ARCHITECTURE
JESD-30 代码 R-PBGA-B165 R-PBGA-B165 R-PBGA-B165 R-PBGA-B165 R-PBGA-B165
长度 17 mm 17 mm 17 mm 17 mm 17 mm
内存密度 37748736 bit 37748736 bit 37748736 bit 37748736 bit 37748736 bit
内存集成电路类型 QDR SRAM QDR SRAM QDR SRAM QDR SRAM QDR SRAM
内存宽度 18 18 18 36 18
功能数量 1 1 1 1 1
端子数量 165 165 165 165 165
字数 2097152 words 2097152 words 2097152 words 1048576 words 2097152 words
字数代码 2000000 2000000 2000000 1000000 2000000
工作模式 SYNCHRONOUS SYNCHRONOUS SYNCHRONOUS SYNCHRONOUS SYNCHRONOUS
最高工作温度 85 °C 85 °C 70 °C 85 °C 70 °C
最低工作温度 -40 °C -40 °C - -40 °C -
组织 2MX18 2MX18 2MX18 1MX36 2MX18
封装主体材料 PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY
封装代码 LBGA LBGA LBGA LBGA LBGA
封装形状 RECTANGULAR RECTANGULAR RECTANGULAR RECTANGULAR RECTANGULAR
封装形式 GRID ARRAY, LOW PROFILE GRID ARRAY, LOW PROFILE GRID ARRAY, LOW PROFILE GRID ARRAY, LOW PROFILE GRID ARRAY, LOW PROFILE
并行/串行 PARALLEL PARALLEL PARALLEL PARALLEL PARALLEL
认证状态 COMMERCIAL COMMERCIAL COMMERCIAL COMMERCIAL COMMERCIAL
座面最大高度 1.4 mm 1.4 mm 1.4 mm 1.4 mm 1.4 mm
最大供电电压 (Vsup) 1.9 V 1.9 V 1.9 V 1.9 V 1.9 V
最小供电电压 (Vsup) 1.7 V 1.7 V 1.7 V 1.7 V 1.7 V
标称供电电压 (Vsup) 1.8 V 1.8 V 1.8 V 1.8 V 1.8 V
表面贴装 YES YES YES YES YES
温度等级 INDUSTRIAL INDUSTRIAL COMMERCIAL INDUSTRIAL COMMERCIAL
端子形式 BALL BALL BALL BALL BALL
端子节距 1 mm 1 mm 1 mm 1 mm 1 mm
端子位置 BOTTOM BOTTOM BOTTOM BOTTOM BOTTOM
宽度 15 mm 15 mm 15 mm 15 mm 15 mm
Base Number Matches 1 1 1 1 -
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