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CY7C1362V25-133BAC

产品描述Cache SRAM, 512KX18, 4.2ns, CMOS, PBGA119, FBGA-119
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文件大小2MB,共30页
制造商Cypress(赛普拉斯)
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CY7C1362V25-133BAC概述

Cache SRAM, 512KX18, 4.2ns, CMOS, PBGA119, FBGA-119

CY7C1362V25-133BAC规格参数

参数名称属性值
是否无铅含铅
是否Rohs认证不符合
零件包装代码BGA
包装说明FBGA-119
针数119
Reach Compliance Codecompliant
ECCN代码3A991.B.2.A
最长访问时间4.2 ns
I/O 类型COMMON
JESD-30 代码R-PBGA-B119
JESD-609代码e0
内存密度9437184 bit
内存集成电路类型CACHE SRAM
内存宽度18
功能数量1
端子数量119
字数524288 words
字数代码512000
工作模式SYNCHRONOUS
最高工作温度70 °C
最低工作温度
组织512KX18
输出特性3-STATE
封装主体材料PLASTIC/EPOXY
封装代码BGA
封装等效代码BGA119(UNSPEC)
封装形状RECTANGULAR
封装形式GRID ARRAY
并行/串行PARALLEL
峰值回流温度(摄氏度)225
电源2.5 V
认证状态Not Qualified
最大待机电流0.01 A
最小待机电流2.38 V
最大压摆率0.35 mA
最大供电电压 (Vsup)2.625 V
最小供电电压 (Vsup)2.375 V
标称供电电压 (Vsup)2.5 V
表面贴装YES
技术CMOS
温度等级COMMERCIAL
端子面层Tin/Lead (Sn/Pb)
端子形式BALL
端子位置BOTTOM
处于峰值回流温度下的最长时间30
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