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CY62148V-70ZC

产品描述Standard SRAM, 512KX8, 70ns, CMOS, PDSO32, TSOP2-32
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文件大小214KB,共7页
制造商Cypress(赛普拉斯)
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CY62148V-70ZC概述

Standard SRAM, 512KX8, 70ns, CMOS, PDSO32, TSOP2-32

CY62148V-70ZC规格参数

参数名称属性值
是否无铅含铅
是否Rohs认证不符合
零件包装代码TSOP2
包装说明TSOP2-32
针数32
Reach Compliance Codecompliant
ECCN代码3A991.B.2.A
最长访问时间70 ns
I/O 类型COMMON
JESD-30 代码R-PDSO-G32
JESD-609代码e0
内存密度4194304 bit
内存集成电路类型STANDARD SRAM
内存宽度8
湿度敏感等级3
功能数量1
端子数量32
字数524288 words
字数代码512000
工作模式ASYNCHRONOUS
最高工作温度70 °C
最低工作温度
组织512KX8
输出特性3-STATE
封装主体材料PLASTIC/EPOXY
封装代码SOP
封装等效代码TSOP32,.46
封装形状RECTANGULAR
封装形式SMALL OUTLINE
并行/串行PARALLEL
峰值回流温度(摄氏度)235
电源3 V
认证状态Not Qualified
最大待机电流0.0005 A
最小待机电流2.7 V
最大压摆率0.05 mA
最大供电电压 (Vsup)3.6 V
最小供电电压 (Vsup)2.7 V
标称供电电压 (Vsup)3 V
表面贴装YES
技术CMOS
温度等级COMMERCIAL
端子面层Tin/Lead (Sn/Pb)
端子形式GULL WING
端子节距1.27 mm
端子位置DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间NOT SPECIFIED
Base Number Matches1

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fax id: 1093
PRELIMINARY
CY62148V
512K x 8 Static RAM
Features
• 2.7V−3.6V operation
• CMOS for optimum speed/power
• Low active power
— 180 mW (max.)
• Low standby power (Commercial LL version)
— 54
µW
(max.)
• Automatic power-down when deselected
• TTL-compatible inputs and outputs
• Easy memory expansion with CE and OE options
an automatic power-down feature that reduces power con-
sumption by more than 99% when deselected.
Writing to the device is accomplished by taking chip enable
(CE) and write enable (WE) inputs LOW. Data on the eight I/O
pins (I/O
0
through I/O
7
) is then written into the location speci-
fied on the address pins (A
0
through A
18
).
Reading from the device is accomplished by taking chip en-
able (CE) and output enable (OE) LOW while forcing write en-
able (WE) HIGH for read. Under these conditions, the contents
of the memory location specified by the address pins will ap-
pear on the I/O pins.
The eight input/output pins (I/O
0
through I/O
7
) are placed in a
high-impedance state when the device is deselected (CE
HIGH), the outputs are disabled (OE HIGH), or during a write
operation (CE LOW, and WE LOW).
The CY62148V is available in a standard 32 pin 450-mil-wide
body width SOIC and 32 pin TSOPII packages.
Functional Description
The CY62148V is a high-performance CMOS static RAM or-
ganized as 524,288 words by 8 bits. Easy memory expansion
is provided by an active LOW chip enable (CE), an active LOW
output enable (OE), and three-state drivers. This device has
Logic Block Diagram
Pin Configuration
Top View
SOIC
TSOPII
A
17
A
16
A
14
A
12
A
7
A
6
A
5
A
4
A
3
A
2
A
1
A
0
I/O
0
I/O
1
I/O
2
GND
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
13
14
15
16
32
31
30
29
28
27
26
25
24
23
22
21
20
19
18
17
V
CC
A
15
A
18
WE
A
13
A
8
A
9
A
11
OE
A
10
CE
I/O
7
I/O
6
I/O
5
I/O
4
I/O
3
62148V-2
I/O
0
INPUT BUFFER
A
0
A
1
A
4
A
5
A
6
A
7
A
12
A
14
A
16
A
17
I/O
1
ROW DECODER
I/O
2
SENSE AMPS
512K x 8
ARRAY
I/O
3
I/O
4
I/O
5
CE
WE
COLUMN
DECODER
POWER
DOWN
I/O
6
I/O
7
A
2
A
3
A
15
A
18
A
13
A
8
A
9
A
11
A
10
OE
62148V-1
Cypress Semiconductor Corporation
3901 North First Street
San Jose
CA 95134
408-943-2600
December 9, 1997

CY62148V-70ZC相似产品对比

CY62148V-70ZC CY62148V-70SC CY62148VL-70SI CY62148VL-70ZI CY62148V-70ZI CY62148VL-70SC
描述 Standard SRAM, 512KX8, 70ns, CMOS, PDSO32, TSOP2-32 Standard SRAM, 512KX8, 70ns, CMOS, PDSO32, 0.450 INCH, PLASTIC, SOIC-32 Standard SRAM, 512KX8, 70ns, CMOS, PDSO32, 0.450 INCH, PLASTIC, SOIC-32 Standard SRAM, 512KX8, 70ns, CMOS, PDSO32, TSOP2-32 Standard SRAM, 512KX8, 70ns, CMOS, PDSO32, TSOP2-32 Standard SRAM, 512KX8, 70ns, CMOS, PDSO32, 0.450 INCH, PLASTIC, SOIC-32
是否无铅 含铅 含铅 含铅 含铅 含铅 含铅
是否Rohs认证 不符合 不符合 不符合 不符合 不符合 不符合
零件包装代码 TSOP2 SOIC SOIC TSOP2 TSOP2 SOIC
包装说明 TSOP2-32 0.450 INCH, PLASTIC, SOIC-32 0.450 INCH, PLASTIC, SOIC-32 TSOP2-32 TSOP2-32 0.450 INCH, PLASTIC, SOIC-32
针数 32 32 32 32 32 32
Reach Compliance Code compliant compliant compliant compliant compliant compliant
ECCN代码 3A991.B.2.A 3A991.B.2.A 3A991.B.2.A 3A991.B.2.A 3A991.B.2.A 3A991.B.2.A
最长访问时间 70 ns 70 ns 70 ns 70 ns 70 ns 70 ns
I/O 类型 COMMON COMMON COMMON COMMON COMMON COMMON
JESD-30 代码 R-PDSO-G32 R-PDSO-G32 R-PDSO-G32 R-PDSO-G32 R-PDSO-G32 R-PDSO-G32
JESD-609代码 e0 e0 e0 e0 e0 e0
内存密度 4194304 bit 4194304 bit 4194304 bit 4194304 bit 4194304 bit 4194304 bit
内存集成电路类型 STANDARD SRAM STANDARD SRAM STANDARD SRAM STANDARD SRAM STANDARD SRAM STANDARD SRAM
内存宽度 8 8 8 8 8 8
湿度敏感等级 3 3 3 3 3 3
功能数量 1 1 1 1 1 1
端子数量 32 32 32 32 32 32
字数 524288 words 524288 words 524288 words 524288 words 524288 words 524288 words
字数代码 512000 512000 512000 512000 512000 512000
工作模式 ASYNCHRONOUS ASYNCHRONOUS ASYNCHRONOUS ASYNCHRONOUS ASYNCHRONOUS ASYNCHRONOUS
最高工作温度 70 °C 70 °C 85 °C 85 °C 85 °C 70 °C
组织 512KX8 512KX8 512KX8 512KX8 512KX8 512KX8
输出特性 3-STATE 3-STATE 3-STATE 3-STATE 3-STATE 3-STATE
封装主体材料 PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY
封装代码 SOP SOP SOP SOP SOP SOP
封装等效代码 TSOP32,.46 SOP32,.56 SOP32,.56 TSOP32,.46 TSOP32,.46 SOP32,.56
封装形状 RECTANGULAR RECTANGULAR RECTANGULAR RECTANGULAR RECTANGULAR RECTANGULAR
封装形式 SMALL OUTLINE SMALL OUTLINE SMALL OUTLINE SMALL OUTLINE SMALL OUTLINE SMALL OUTLINE
并行/串行 PARALLEL PARALLEL PARALLEL PARALLEL PARALLEL PARALLEL
峰值回流温度(摄氏度) 235 225 225 235 235 225
电源 3 V 3 V 2/3.3 V 2/3.3 V 3 V 3 V
认证状态 Not Qualified Not Qualified Not Qualified Not Qualified Not Qualified Not Qualified
最大待机电流 0.0005 A 0.0005 A 0.0000055 A 0.0000055 A 0.0005 A 0.00005 A
最小待机电流 2.7 V 2.7 V 1 V 1 V 2.7 V 2.7 V
最大压摆率 0.05 mA 0.05 mA 0.015 mA 0.015 mA 0.05 mA 0.05 mA
最大供电电压 (Vsup) 3.6 V 3.6 V 3.6 V 3.6 V 3.6 V 3.6 V
最小供电电压 (Vsup) 2.7 V 2.7 V 2.7 V 2.7 V 2.7 V 2.7 V
标称供电电压 (Vsup) 3 V 3 V 3 V 3 V 3 V 3 V
表面贴装 YES YES YES YES YES YES
技术 CMOS CMOS CMOS CMOS CMOS CMOS
温度等级 COMMERCIAL COMMERCIAL INDUSTRIAL INDUSTRIAL INDUSTRIAL COMMERCIAL
端子面层 Tin/Lead (Sn/Pb) Tin/Lead (Sn/Pb) TIN LEAD Tin/Lead (Sn/Pb) Tin/Lead (Sn/Pb) Tin/Lead (Sn/Pb)
端子形式 GULL WING GULL WING GULL WING GULL WING GULL WING GULL WING
端子节距 1.27 mm 1.27 mm 1.27 mm 1.27 mm 1.27 mm 1.27 mm
端子位置 DUAL DUAL DUAL DUAL DUAL DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间 NOT SPECIFIED 30 30 NOT SPECIFIED NOT SPECIFIED 30
Base Number Matches 1 1 1 1 1 -
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