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CY62148VL-70SI: 产品描述Standard SRAM, 512KX8, 70ns, CMOS, PDSO32, 0.450 INCH, PLASTIC, SOIC-32; 产品类别存储存储; 文件大小214KB，共7页; 制造商Cypress(赛普拉斯)

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CY62148VL-70SI概述

Standard SRAM, 512KX8, 70ns, CMOS, PDSO32, 0.450 INCH, PLASTIC, SOIC-32

CY62148VL-70SI规格参数

参数名称	属性值
是否无铅	含铅
是否Rohs认证	不符合
零件包装代码	SOIC
包装说明	0.450 INCH, PLASTIC, SOIC-32
针数	32
Reach Compliance Code	compliant
ECCN代码	3A991.B.2.A
最长访问时间	70 ns
I/O 类型	COMMON
JESD-30 代码	R-PDSO-G32
JESD-609代码	e0
内存密度	4194304 bit
内存集成电路类型	STANDARD SRAM
内存宽度	8
湿度敏感等级	3
功能数量	1
端子数量	32
字数	524288 words
字数代码	512000
工作模式	ASYNCHRONOUS
最高工作温度	85 °C
最低工作温度	-40 °C
组织	512KX8
输出特性	3-STATE
封装主体材料	PLASTIC/EPOXY
封装代码	SOP
封装等效代码	SOP32,.56
封装形状	RECTANGULAR
封装形式	SMALL OUTLINE
并行/串行	PARALLEL
峰值回流温度（摄氏度）	225
电源	2/3.3 V
认证状态	Not Qualified
最大待机电流	0.0000055 A
最小待机电流	1 V
最大压摆率	0.015 mA
最大供电电压 (Vsup)	3.6 V
最小供电电压 (Vsup)	2.7 V
标称供电电压 (Vsup)	3 V
表面贴装	YES
技术	CMOS
温度等级	INDUSTRIAL
端子面层	TIN LEAD
端子形式	GULL WING
端子节距	1.27 mm
端子位置	DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间	30
Base Number Matches	1

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fax id: 1093

PRELIMINARY

CY62148V

512K x 8 Static RAM

Features

• 2.7V−3.6V operation

• CMOS for optimum speed/power

• Low active power

— 180 mW (max.)

• Low standby power (Commercial LL version)

— 54

µW

(max.)

• Automatic power-down when deselected

• TTL-compatible inputs and outputs

• Easy memory expansion with CE and OE options

an automatic power-down feature that reduces power con-

sumption by more than 99% when deselected.

Writing to the device is accomplished by taking chip enable

(CE) and write enable (WE) inputs LOW. Data on the eight I/O

pins (I/O

through I/O

) is then written into the location speci-

fied on the address pins (A

through A

Reading from the device is accomplished by taking chip en-

able (CE) and output enable (OE) LOW while forcing write en-

able (WE) HIGH for read. Under these conditions, the contents

of the memory location specified by the address pins will ap-

pear on the I/O pins.

The eight input/output pins (I/O

through I/O

) are placed in a

high-impedance state when the device is deselected (CE

HIGH), the outputs are disabled (OE HIGH), or during a write

operation (CE LOW, and WE LOW).

The CY62148V is available in a standard 32 pin 450-mil-wide

body width SOIC and 32 pin TSOPII packages.

Functional Description

The CY62148V is a high-performance CMOS static RAM or-

ganized as 524,288 words by 8 bits. Easy memory expansion

is provided by an active LOW chip enable (CE), an active LOW

output enable (OE), and three-state drivers. This device has

Logic Block Diagram

Pin Configuration

Top View

SOIC

TSOPII

I/O

GND

I/O

62148V-2

I/O

INPUT BUFFER

I/O

ROW DECODER

I/O

SENSE AMPS

512K x 8

ARRAY

I/O

COLUMN

DECODER

POWER

DOWN

I/O

62148V-1

Cypress Semiconductor Corporation

•

3901 North First Street

•

San Jose

•

CA 95134

•

408-943-2600

December 9, 1997

CY62148VL-70SI相似产品对比

	CY62148VL-70SI	CY62148V-70SC	CY62148VL-70ZI	CY62148V-70ZC	CY62148V-70ZI	CY62148VL-70SC
描述	Standard SRAM, 512KX8, 70ns, CMOS, PDSO32, 0.450 INCH, PLASTIC, SOIC-32	Standard SRAM, 512KX8, 70ns, CMOS, PDSO32, 0.450 INCH, PLASTIC, SOIC-32	Standard SRAM, 512KX8, 70ns, CMOS, PDSO32, TSOP2-32	Standard SRAM, 512KX8, 70ns, CMOS, PDSO32, TSOP2-32	Standard SRAM, 512KX8, 70ns, CMOS, PDSO32, TSOP2-32	Standard SRAM, 512KX8, 70ns, CMOS, PDSO32, 0.450 INCH, PLASTIC, SOIC-32
是否无铅	含铅	含铅	含铅	含铅	含铅	含铅
是否Rohs认证	不符合	不符合	不符合	不符合	不符合	不符合
零件包装代码	SOIC	SOIC	TSOP2	TSOP2	TSOP2	SOIC
包装说明	0.450 INCH, PLASTIC, SOIC-32	0.450 INCH, PLASTIC, SOIC-32	TSOP2-32	TSOP2-32	TSOP2-32	0.450 INCH, PLASTIC, SOIC-32
针数	32	32	32	32	32	32
Reach Compliance Code	compliant	compliant	compliant	compliant	compliant	compliant
ECCN代码	3A991.B.2.A	3A991.B.2.A	3A991.B.2.A	3A991.B.2.A	3A991.B.2.A	3A991.B.2.A
最长访问时间	70 ns	70 ns	70 ns	70 ns	70 ns	70 ns
I/O 类型	COMMON	COMMON	COMMON	COMMON	COMMON	COMMON
JESD-30 代码	R-PDSO-G32	R-PDSO-G32	R-PDSO-G32	R-PDSO-G32	R-PDSO-G32	R-PDSO-G32
JESD-609代码	e0	e0	e0	e0	e0	e0
内存密度	4194304 bit	4194304 bit	4194304 bit	4194304 bit	4194304 bit	4194304 bit
内存集成电路类型	STANDARD SRAM	STANDARD SRAM	STANDARD SRAM	STANDARD SRAM	STANDARD SRAM	STANDARD SRAM
内存宽度	8	8	8	8	8	8
湿度敏感等级	3	3	3	3	3	3
功能数量	1	1	1	1	1	1
端子数量	32	32	32	32	32	32
字数	524288 words	524288 words	524288 words	524288 words	524288 words	524288 words
字数代码	512000	512000	512000	512000	512000	512000
工作模式	ASYNCHRONOUS	ASYNCHRONOUS	ASYNCHRONOUS	ASYNCHRONOUS	ASYNCHRONOUS	ASYNCHRONOUS
最高工作温度	85 °C	70 °C	85 °C	70 °C	85 °C	70 °C
组织	512KX8	512KX8	512KX8	512KX8	512KX8	512KX8
输出特性	3-STATE	3-STATE	3-STATE	3-STATE	3-STATE	3-STATE
封装主体材料	PLASTIC/EPOXY	PLASTIC/EPOXY	PLASTIC/EPOXY	PLASTIC/EPOXY	PLASTIC/EPOXY	PLASTIC/EPOXY
封装代码	SOP	SOP	SOP	SOP	SOP	SOP
封装等效代码	SOP32,.56	SOP32,.56	TSOP32,.46	TSOP32,.46	TSOP32,.46	SOP32,.56
封装形状	RECTANGULAR	RECTANGULAR	RECTANGULAR	RECTANGULAR	RECTANGULAR	RECTANGULAR
封装形式	SMALL OUTLINE	SMALL OUTLINE	SMALL OUTLINE	SMALL OUTLINE	SMALL OUTLINE	SMALL OUTLINE
并行/串行	PARALLEL	PARALLEL	PARALLEL	PARALLEL	PARALLEL	PARALLEL
峰值回流温度（摄氏度）	225	225	235	235	235	225
电源	2/3.3 V	3 V	2/3.3 V	3 V	3 V	3 V
认证状态	Not Qualified	Not Qualified	Not Qualified	Not Qualified	Not Qualified	Not Qualified
最大待机电流	0.0000055 A	0.0005 A	0.0000055 A	0.0005 A	0.0005 A	0.00005 A
最小待机电流	1 V	2.7 V	1 V	2.7 V	2.7 V	2.7 V
最大压摆率	0.015 mA	0.05 mA	0.015 mA	0.05 mA	0.05 mA	0.05 mA
最大供电电压 (Vsup)	3.6 V	3.6 V	3.6 V	3.6 V	3.6 V	3.6 V
最小供电电压 (Vsup)	2.7 V	2.7 V	2.7 V	2.7 V	2.7 V	2.7 V
标称供电电压 (Vsup)	3 V	3 V	3 V	3 V	3 V	3 V
表面贴装	YES	YES	YES	YES	YES	YES
技术	CMOS	CMOS	CMOS	CMOS	CMOS	CMOS
温度等级	INDUSTRIAL	COMMERCIAL	INDUSTRIAL	COMMERCIAL	INDUSTRIAL	COMMERCIAL
端子面层	TIN LEAD	Tin/Lead (Sn/Pb)	Tin/Lead (Sn/Pb)	Tin/Lead (Sn/Pb)	Tin/Lead (Sn/Pb)	Tin/Lead (Sn/Pb)
端子形式	GULL WING	GULL WING	GULL WING	GULL WING	GULL WING	GULL WING
端子节距	1.27 mm	1.27 mm	1.27 mm	1.27 mm	1.27 mm	1.27 mm
端子位置	DUAL	DUAL	DUAL	DUAL	DUAL	DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间	30	30	NOT SPECIFIED	NOT SPECIFIED	NOT SPECIFIED	30
Base Number Matches	1	1	1	1	1	-

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