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MB85RS256PNF-G-JN-ERE1

产品描述Memory FRAM CMOS 256 K (32 K 】 8) Bit SPI
产品类别存储    存储   
文件大小127KB,共20页
制造商FUJITSU(富士通)
官网地址http://edevice.fujitsu.com/fmd/en/index.html
标准
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MB85RS256PNF-G-JN-ERE1概述

Memory FRAM CMOS 256 K (32 K 】 8) Bit SPI

MB85RS256PNF-G-JN-ERE1规格参数

参数名称属性值
是否Rohs认证符合
厂商名称FUJITSU(富士通)
包装说明SOP, SOP8,.25
Reach Compliance Codecompli
JESD-30 代码R-PDSO-G8
长度5.05 mm
内存密度262144 bi
内存集成电路类型MEMORY CIRCUIT
内存宽度8
功能数量1
端子数量8
字数32768 words
字数代码32000
工作模式SYNCHRONOUS
最高工作温度85 °C
最低工作温度-20 °C
组织32KX8
封装主体材料PLASTIC/EPOXY
封装代码SOP
封装等效代码SOP8,.25
封装形状RECTANGULAR
封装形式SMALL OUTLINE
峰值回流温度(摄氏度)NOT SPECIFIED
电源3.3 V
认证状态Not Qualified
座面最大高度1.75 mm
最大待机电流0.00005 A
最大压摆率0.01 mA
最大供电电压 (Vsup)3.6 V
最小供电电压 (Vsup)3 V
标称供电电压 (Vsup)3.3 V
表面贴装YES
技术CMOS
温度等级OTHER
端子形式GULL WING
端子节距1.27 mm
端子位置DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间NOT SPECIFIED
宽度3.9 mm

MB85RS256PNF-G-JN-ERE1相似产品对比

MB85RS256PNF-G-JN-ERE1 MB85RS256 MB85RS256PNF-G-JNE1 MB85RS256_09
描述 Memory FRAM CMOS 256 K (32 K 】 8) Bit SPI Memory FRAM CMOS 256 K (32 K 】 8) Bit SPI Memory FRAM CMOS 256 K (32 K 】 8) Bit SPI Memory FRAM CMOS 256 K (32 K 】 8) Bit SPI
包装说明 SOP, SOP8,.25 SOP, SOP8,.25 SOP, SOP8,.25 -
Reach Compliance Code compli compli compli -
JESD-30 代码 R-PDSO-G8 R-PDSO-G8 R-PDSO-G8 -
内存密度 262144 bi 262144 bi 262144 bi -
内存集成电路类型 MEMORY CIRCUIT NON-VOLATILE SRAM MEMORY CIRCUIT -
内存宽度 8 8 8 -
端子数量 8 8 8 -
字数 32768 words 32768 words 32768 words -
字数代码 32000 32000 32000 -
最高工作温度 85 °C 85 °C 85 °C -
最低工作温度 -20 °C -20 °C -20 °C -
组织 32KX8 32KX8 32KX8 -
封装主体材料 PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY -
封装代码 SOP SOP SOP -
封装等效代码 SOP8,.25 SOP8,.25 SOP8,.25 -
封装形状 RECTANGULAR RECTANGULAR RECTANGULAR -
封装形式 SMALL OUTLINE SMALL OUTLINE SMALL OUTLINE -
电源 3.3 V 3.3 V 3.3 V -
认证状态 Not Qualified Not Qualified Not Qualified -
最大待机电流 0.00005 A 0.00005 A 0.00005 A -
最大压摆率 0.01 mA 0.01 mA 0.01 mA -
标称供电电压 (Vsup) 3.3 V 3.3 V 3.3 V -
表面贴装 YES YES YES -
技术 CMOS CMOS CMOS -
温度等级 OTHER OTHER OTHER -
端子形式 GULL WING GULL WING GULL WING -
端子节距 1.27 mm 1.27 mm 1.27 mm -
端子位置 DUAL DUAL DUAL -
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1.开启电压VT  ·开启电压(又称阈值电压):使得源极S和漏极D之间开始形成导电沟道所需的栅极电压;  ·标准的N沟道MOS管,VT约为3~6V;  ·通过工艺上的改进,可以使MOS管的VT值降到2~3V。  2. 直流输入电阻RGS  ·即在栅源极之间加的电压与栅极电流之比  ·这一特性有时以流过栅极的栅流表示  ·MOS管的RGS可以很容易地超过1010Ω。  3. 漏源击穿电压BVDS  ...
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