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CMOS64-02M

产品描述SRAM Module, 8KX8, 150ns, CMOS, CDIP28
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文件大小118KB,共2页
制造商Integrated Circuits Inc
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CMOS64-02M概述

SRAM Module, 8KX8, 150ns, CMOS, CDIP28

CMOS64-02M规格参数

参数名称属性值
是否Rohs认证不符合
包装说明DIP, DIP28,.6
Reach Compliance Codeunknown
最长访问时间150 ns
JESD-30 代码R-XDIP-T28
JESD-609代码e0
内存密度65536 bit
内存集成电路类型SRAM MODULE
内存宽度8
端子数量28
字数8192 words
字数代码8000
工作模式ASYNCHRONOUS
最高工作温度125 °C
最低工作温度-55 °C
组织8KX8
输出特性3-STATE
封装主体材料CERAMIC
封装代码DIP
封装等效代码DIP28,.6
封装形状RECTANGULAR
封装形式IN-LINE
并行/串行PARALLEL
认证状态Not Qualified
筛选级别MIL-STD-883 Class B (Modified)
最大待机电流0.02 A
最大压摆率0.09 mA
表面贴装NO
技术CMOS
温度等级MILITARY
端子面层Tin/Lead (Sn/Pb)
端子形式THROUGH-HOLE
端子节距2.54 mm
端子位置DUAL
Base Number Matches1

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This Material Copyrighted By Its Respective Manufacturer

CMOS64-02M相似产品对比

CMOS64-02M CMOS64-02A CMOS64-02
描述 SRAM Module, 8KX8, 150ns, CMOS, CDIP28 SRAM Module, 8KX8, 150ns, CMOS, CDIP28 SRAM Module, 8KX8, 250ns, CMOS, CDIP28
是否Rohs认证 不符合 不符合 不符合
包装说明 DIP, DIP28,.6 DIP, DIP28,.6 DIP, DIP28,.6
Reach Compliance Code unknown unknown unknown
最长访问时间 150 ns 150 ns 250 ns
JESD-30 代码 R-XDIP-T28 R-XDIP-T28 R-XDIP-T28
JESD-609代码 e0 e0 e0
内存密度 65536 bit 65536 bit 65536 bit
内存集成电路类型 SRAM MODULE SRAM MODULE SRAM MODULE
内存宽度 8 8 8
端子数量 28 28 28
字数 8192 words 8192 words 8192 words
字数代码 8000 8000 8000
工作模式 ASYNCHRONOUS ASYNCHRONOUS ASYNCHRONOUS
最高工作温度 125 °C 125 °C 125 °C
最低工作温度 -55 °C -55 °C -55 °C
组织 8KX8 8KX8 8KX8
输出特性 3-STATE 3-STATE 3-STATE
封装主体材料 CERAMIC CERAMIC CERAMIC
封装代码 DIP DIP DIP
封装等效代码 DIP28,.6 DIP28,.6 DIP28,.6
封装形状 RECTANGULAR RECTANGULAR RECTANGULAR
封装形式 IN-LINE IN-LINE IN-LINE
并行/串行 PARALLEL PARALLEL PARALLEL
认证状态 Not Qualified Not Qualified Not Qualified
最大待机电流 0.02 A 0.02 A 0.005 A
最大压摆率 0.09 mA 0.09 mA 0.05 mA
表面贴装 NO NO NO
技术 CMOS CMOS CMOS
温度等级 MILITARY MILITARY MILITARY
端子面层 Tin/Lead (Sn/Pb) Tin/Lead (Sn/Pb) Tin/Lead (Sn/Pb)
端子形式 THROUGH-HOLE THROUGH-HOLE THROUGH-HOLE
端子节距 2.54 mm 2.54 mm 2.54 mm
端子位置 DUAL DUAL DUAL
Base Number Matches 1 1 1
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