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BZT55C3313

产品描述Zener Diode, 33V V(Z), 6.06%, 0.5W, Silicon, Unidirectional, HERMETIC SEALED, GLASS, QUADROMELF-2
产品类别分立半导体    二极管   
文件大小66KB,共3页
制造商Diodes Incorporated
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BZT55C3313概述

Zener Diode, 33V V(Z), 6.06%, 0.5W, Silicon, Unidirectional, HERMETIC SEALED, GLASS, QUADROMELF-2

BZT55C3313规格参数

参数名称属性值
零件包装代码MELF
包装说明O-LELF-R2
针数2
Reach Compliance Codeunknown
ECCN代码EAR99
其他特性LOW NOISE
外壳连接ISOLATED
配置SINGLE
二极管元件材料SILICON
二极管类型ZENER DIODE
JESD-30 代码O-LELF-R2
元件数量1
端子数量2
最高工作温度175 °C
最低工作温度-65 °C
封装主体材料GLASS
封装形状ROUND
封装形式LONG FORM
极性UNIDIRECTIONAL
最大功率耗散0.5 W
认证状态Not Qualified
标称参考电压33 V
表面贴装YES
技术ZENER
端子形式WRAP AROUND
端子位置END
最大电压容差6.06%
工作测试电流5 mA
Base Number Matches1

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BZT55C2V4 - BZT55C75
500mW SURFACE MOUNT ZENER DIODE
Features
·
·
·
·
·
500mW Power Dissipation
High Stability
Low Noise
Outline Similar to JEDEC 213AA
Hemetic Package
A
B
Mechanical Data
·
·
·
·
·
Case: QuadroMELF, Glass
Terminals: Solderable per MIL-STD-202,
Method 208
Polarity: Cathode Band
Marking: Cathode Band Only
Weight: 0.034 grams (approx.)
QuadroMELF
Dim
A
B
C
D
Min
3.3
1.4
Max
3.7
1.6
1.7Æ Typical
0.3 Typical
All Dimensions in mm
Maximum Ratings and Electrical Characteristics
Characteristic
Power Dissipation
Zener Current
Thermal Resistance, Junction to Ambient Air
Forward Voltage
Operating and Storage Temperature Range
(Note 1)
(Note 1)
(Note 1)
P
d
I
Z
R
qJA
V
F
@ T
A
= 25°C unless otherwise specified
Value
500
P
d
/V
Z
300
1.5
-65 to +175
Unit
mW
mA
K/W
V
°C
Symbol
@ I
F
= 200mA
T
j,
T
STG
Notes:
1. Valid provided that electrodes are kept at ambient temperature.
2. Tested with pulses, T
p
£
100ms.
DS30006 Rev. C-2
1 of 3
C
D
BZT55C2V4-BZT55C75
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