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BDX62B

产品描述Transistor
产品类别分立半导体    晶体管   
文件大小456KB,共9页
制造商North American Philips Discrete Products Div
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BDX62B概述

Transistor

BDX62B规格参数

参数名称属性值
是否Rohs认证不符合
包装说明,
Reach Compliance Codeunknown
最大集电极电流 (IC)8 A
配置DARLINGTON
最小直流电流增益 (hFE)1000
JESD-609代码e0
最高工作温度200 °C
极性/信道类型PNP
最大功率耗散 (Abs)90 W
表面贴装NO
端子面层Tin/Lead (Sn/Pb)
标称过渡频率 (fT)7 MHz
Base Number Matches1

BDX62B相似产品对比

BDX62B BDX62A BDX62 BDX62C
描述 Transistor Transistor Transistor Transistor
是否Rohs认证 不符合 不符合 不符合 不符合
Reach Compliance Code unknown unknown unknown unknown
最大集电极电流 (IC) 8 A 8 A 8 A 8 A
配置 DARLINGTON DARLINGTON DARLINGTON DARLINGTON
最小直流电流增益 (hFE) 1000 1000 1000 1000
JESD-609代码 e0 e0 e0 e0
最高工作温度 200 °C 200 °C 200 °C 200 °C
极性/信道类型 PNP PNP PNP PNP
最大功率耗散 (Abs) 90 W 90 W 90 W 90 W
表面贴装 NO NO NO NO
端子面层 Tin/Lead (Sn/Pb) Tin/Lead (Sn/Pb) Tin/Lead (Sn/Pb) Tin/Lead (Sn/Pb)
标称过渡频率 (fT) 7 MHz 7 MHz 7 MHz 7 MHz
厂商名称 - North American Philips Discrete Products Div North American Philips Discrete Products Div North American Philips Discrete Products Div

 
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