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BDX69C

产品描述Transistor
产品类别分立半导体    晶体管   
文件大小169KB,共4页
制造商North American Philips Discrete Products Div
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BDX69C概述

Transistor

BDX69C规格参数

参数名称属性值
是否Rohs认证不符合
包装说明,
Reach Compliance Codeunknown
最大集电极电流 (IC)25 A
配置DARLINGTON
最小直流电流增益 (hFE)1000
JESD-609代码e0
最高工作温度200 °C
极性/信道类型NPN
最大功率耗散 (Abs)200 W
表面贴装NO
端子面层Tin/Lead (Sn/Pb)
Base Number Matches1

BDX69C相似产品对比

BDX69C BDX69 BDX69A BDX69B
描述 Transistor Transistor Transistor Transistor
是否Rohs认证 不符合 不符合 不符合 不符合
Reach Compliance Code unknown unknown unknown unknown
最大集电极电流 (IC) 25 A 25 A 25 A 25 A
配置 DARLINGTON DARLINGTON DARLINGTON DARLINGTON
最小直流电流增益 (hFE) 1000 1000 1000 1000
JESD-609代码 e0 e0 e0 e0
最高工作温度 200 °C 200 °C 200 °C 200 °C
极性/信道类型 NPN NPN NPN NPN
最大功率耗散 (Abs) 200 W 200 W 200 W 200 W
表面贴装 NO NO NO NO
端子面层 Tin/Lead (Sn/Pb) Tin/Lead (Sn/Pb) Tin/Lead (Sn/Pb) Tin/Lead (Sn/Pb)
Base Number Matches 1 1 1 1
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