电子工程世界电子工程世界电子工程世界

关键词

搜索

型号

搜索

BFG590/X

产品描述Transistor,
产品类别分立半导体    晶体管   
文件大小91KB,共2页
制造商North American Philips Discrete Products Div
下载文档 详细参数 选型对比 全文预览

BFG590/X概述

Transistor,

BFG590/X规格参数

参数名称属性值
是否Rohs认证不符合
包装说明,
Reach Compliance Codeunknown
最大集电极电流 (IC)0.2 A
配置Single
最小直流电流增益 (hFE)60
JESD-609代码e0
最高工作温度180 °C
极性/信道类型NPN
最大功率耗散 (Abs)0.65 W
表面贴装YES
端子面层Tin/Lead (Sn/Pb)
Base Number Matches1

BFG590/X相似产品对比

BFG590/X BFG590/XR BFG590
描述 Transistor, Transistor, Transistor,
是否Rohs认证 不符合 不符合 不符合
Reach Compliance Code unknown unknown unknown
最大集电极电流 (IC) 0.2 A 0.2 A 0.2 A
配置 Single Single Single
最小直流电流增益 (hFE) 60 60 60
JESD-609代码 e0 e0 e0
最高工作温度 180 °C 180 °C 180 °C
极性/信道类型 NPN NPN NPN
最大功率耗散 (Abs) 0.65 W 0.65 W 0.65 W
表面贴装 YES YES YES
端子面层 Tin/Lead (Sn/Pb) Tin/Lead (Sn/Pb) Tin/Lead (Sn/Pb)
Base Number Matches 1 1 -
厂商名称 - North American Philips Discrete Products Div North American Philips Discrete Products Div

 
EEWorld订阅号

 
EEWorld服务号

 
汽车开发圈

 
机器人开发圈

About Us 关于我们 客户服务 联系方式 器件索引 网站地图 最新更新 手机版

站点相关: 大学堂 TI培训 Datasheet 电子工程 索引文件: 722  1824  1859  1027  2253  34  6  12  59  53 

器件索引   0 1 2 3 4 5 6 7 8 9 A B C D E F G H I J K L M N O P Q R S T U V W X Y Z

北京市海淀区中关村大街18号B座15层1530室 电话:(010)82350740 邮编:100190

电子工程世界版权所有 京B2-20211791 京ICP备10001474号-1 电信业务审批[2006]字第258号函 京公网安备 11010802033920号 Copyright © 2005-2026 EEWORLD.com.cn, Inc. All rights reserved