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BFG590/XR

产品描述Transistor,
产品类别分立半导体    晶体管   
文件大小91KB,共2页
制造商North American Philips Discrete Products Div
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BFG590/XR概述

Transistor,

BFG590/XR规格参数

参数名称属性值
是否Rohs认证不符合
厂商名称North American Philips Discrete Products Div
包装说明,
Reach Compliance Codeunknown
Is SamacsysN
最大集电极电流 (IC)0.2 A
配置Single
最小直流电流增益 (hFE)60
JESD-609代码e0
最高工作温度180 °C
极性/信道类型NPN
最大功率耗散 (Abs)0.65 W
表面贴装YES
端子面层Tin/Lead (Sn/Pb)
Base Number Matches1

BFG590/XR相似产品对比

BFG590/XR BFG590/X BFG590
描述 Transistor, Transistor, Transistor,
是否Rohs认证 不符合 不符合 不符合
Reach Compliance Code unknown unknown unknown
最大集电极电流 (IC) 0.2 A 0.2 A 0.2 A
配置 Single Single Single
最小直流电流增益 (hFE) 60 60 60
JESD-609代码 e0 e0 e0
最高工作温度 180 °C 180 °C 180 °C
极性/信道类型 NPN NPN NPN
最大功率耗散 (Abs) 0.65 W 0.65 W 0.65 W
表面贴装 YES YES YES
端子面层 Tin/Lead (Sn/Pb) Tin/Lead (Sn/Pb) Tin/Lead (Sn/Pb)
厂商名称 North American Philips Discrete Products Div - North American Philips Discrete Products Div
Base Number Matches 1 1 -
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