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BP103B4

产品描述Photo Transistor, 850nm, 0.05A I(C)
产品类别光电子/LED    光电   
文件大小221KB,共5页
制造商Infineon(英飞凌)
官网地址http://www.infineon.com/
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BP103B4概述

Photo Transistor, 850nm, 0.05A I(C)

BP103B4规格参数

参数名称属性值
是否Rohs认证不符合
Reach Compliance Codeunknown
JESD-609代码e0
安装特点THROUGH HOLE MOUNT
最大通态电流0.05 A
最高工作温度100 °C
最低工作温度-55 °C
峰值波长850 nm
最大功率耗散0.2 W
最长响应时间0.00001 s
表面贴装NO
端子面层Tin/Lead (Sn/Pb)
Base Number Matches1

BP103B4相似产品对比

BP103B4 BP103BF3 BP103B3 BP103B2 BP103BF4
描述 Photo Transistor, 850nm, 0.05A I(C) Photo Transistor, 900nm, 0.05A I(C) Photo Transistor, 850nm, 0.05A I(C) Photo Transistor, 850nm, 0.05A I(C) Photo Transistor, 900nm, 0.05A I(C)
是否Rohs认证 不符合 不符合 不符合 不符合 不符合
Reach Compliance Code unknown unknown unknown unknown unknown
JESD-609代码 e0 e0 e0 e0 e0
安装特点 THROUGH HOLE MOUNT THROUGH HOLE MOUNT THROUGH HOLE MOUNT THROUGH HOLE MOUNT THROUGH HOLE MOUNT
最大通态电流 0.05 A 0.05 A 0.05 A 0.05 A 0.05 A
最高工作温度 100 °C 100 °C 100 °C 100 °C 100 °C
最低工作温度 -55 °C -55 °C -55 °C -55 °C -55 °C
峰值波长 850 nm 900 nm 850 nm 850 nm 900 nm
最大功率耗散 0.2 W 0.2 W 0.2 W 0.2 W 0.2 W
最长响应时间 0.00001 s 0.00001 s 0.00001 s 0.0000075 s 0.00001 s
表面贴装 NO NO NO NO NO
端子面层 Tin/Lead (Sn/Pb) Tin/Lead (Sn/Pb) Tin/Lead (Sn/Pb) Tin/Lead (Sn/Pb) Tin/Lead (Sn/Pb)
Base Number Matches 1 1 1 1 1
厂商名称 - Infineon(英飞凌) Infineon(英飞凌) Infineon(英飞凌) Infineon(英飞凌)
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