BP103BF3概述

Photo Transistor, 900nm, 0.05A I(C)

BP103BF3规格参数

	BP103BF3	BP103B3	BP103B2	BP103BF4	BP103B4
描述	Photo Transistor, 900nm, 0.05A I(C)	Photo Transistor, 850nm, 0.05A I(C)	Photo Transistor, 850nm, 0.05A I(C)	Photo Transistor, 900nm, 0.05A I(C)	Photo Transistor, 850nm, 0.05A I(C)
是否Rohs认证	不符合	不符合	不符合	不符合	不符合
Reach Compliance Code	unknown	unknown	unknown	unknown	unknown
JESD-609代码	e0	e0	e0	e0	e0
安装特点	THROUGH HOLE MOUNT	THROUGH HOLE MOUNT	THROUGH HOLE MOUNT	THROUGH HOLE MOUNT	THROUGH HOLE MOUNT
最大通态电流	0.05 A	0.05 A	0.05 A	0.05 A	0.05 A
最高工作温度	100 °C	100 °C	100 °C	100 °C	100 °C
最低工作温度	-55 °C	-55 °C	-55 °C	-55 °C	-55 °C
峰值波长	900 nm	850 nm	850 nm	900 nm	850 nm
最大功率耗散	0.2 W	0.2 W	0.2 W	0.2 W	0.2 W
最长响应时间	0.00001 s	0.00001 s	0.0000075 s	0.00001 s	0.00001 s
表面贴装	NO	NO	NO	NO	NO
端子面层	Tin/Lead (Sn/Pb)	Tin/Lead (Sn/Pb)	Tin/Lead (Sn/Pb)	Tin/Lead (Sn/Pb)	Tin/Lead (Sn/Pb)
Base Number Matches	1	1	1	1	1
厂商名称	Infineon(英飞凌)	Infineon(英飞凌)	Infineon(英飞凌)	Infineon(英飞凌)	-

器件捷径: 00 01 02 03 04 05 06 07 08 09 0A 0C 0F 0J 0L 0M 0R 0S 0T 0Z 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 1A 1B 1C 1D 1E 1F 1H 1K 1M 1N 1P 1S 1T 1V 1X 1Z 20 21 22 23 24 25 26 27 28 29 2A 2B 2C 2D 2E 2F 2G 2K 2M 2N 2P 2Q 2R 2S 2T 2W 2Z 30 31 32 33 34 35 36 37 38 39 3A 3B 3C 3D 3E 3F 3G 3H 3J 3K 3L 3M 3N 3P 3R 3S 3T 3V 40 41 42 43 44 45 46 47 48 49 4A 4B 4C 4D 4M 4N 4P 4S 4T 50 51 52 53 54 55 56 57 58 59 5A 5B 5C 5E 5G 5H 5K 5M 5N 5P 5S 5T 5V 60 61 62 63 64 65 66 67 68 69 6A 6C 6E 6F 6M 6N 6P 6R 6S 6T 70 71 72 73 74 75 76 77 78 79 7A 7B 7C 7M 7N 7P 7Q 7V 7W 7X 80 81 82 83 84 85 86 87 88 89 8A 8D 8E 8L 8N 8P 8S 8T 8W 8Y 8Z 90 91 92 93 94 95 96 97 98 99 9A 9B 9C 9D 9F 9G 9H 9L 9S 9T 9W

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