K4M56323LD-MP1L,K4M56323LD-MP1L pdf中文资料,K4M56323LD-MP1L引脚图,K4M56323LD-MP1L电路-Datasheet-电子工程世界

K4M56323LD-MP1L: 产品描述Synchronous DRAM, 8MX32, 7ns, CMOS, PBGA90, FBGA-90; 产品类别存储存储; 文件大小65KB，共8页; 制造商SAMSUNG(三星); 官网地址http://www.samsung.com/Products/Semiconductor/

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K4M56323LD-MP1L概述

Synchronous DRAM, 8MX32, 7ns, CMOS, PBGA90, FBGA-90

参数名称	属性值
是否Rohs认证	不符合
零件包装代码	BGA
包装说明	LFBGA, BGA90,9X15,32
针数	90
Reach Compliance Code	compliant
ECCN代码	EAR99
访问模式	FOUR BANK PAGE BURST
最长访问时间	7 ns
其他特性	AUTO/SELF REFRESH
最大时钟频率 (fCLK)	105 MHz
I/O 类型	COMMON
交错的突发长度	1,2,4,8
JESD-30 代码	R-PBGA-B90
JESD-609代码	e0
长度	13 mm
内存密度	268435456 bit
内存集成电路类型	SYNCHRONOUS DRAM
内存宽度	32
功能数量	1
端口数量	1
端子数量	90
字数	8388608 words
字数代码	8000000
工作模式	SYNCHRONOUS
最高工作温度	85 °C
最低工作温度	-40 °C
组织	8MX32
封装主体材料	PLASTIC/EPOXY
封装代码	LFBGA
封装等效代码	BGA90,9X15,32
封装形状	RECTANGULAR
封装形式	GRID ARRAY, LOW PROFILE, FINE PITCH
峰值回流温度（摄氏度）	NOT SPECIFIED
电源	1.8/2.5,2.5 V
认证状态	Not Qualified
刷新周期	4096
座面最大高度	1.45 mm
自我刷新	YES
连续突发长度	1,2,4,8,FP
最大待机电流	0.0012 A
最大压摆率	0.27 mA
最大供电电压 (Vsup)	2.7 V
最小供电电压 (Vsup)	2.3 V
标称供电电压 (Vsup)	2.5 V
表面贴装	YES
技术	CMOS
温度等级	INDUSTRIAL
端子面层	Tin/Lead (Sn/Pb)
端子形式	BALL
端子节距	0.8 mm
端子位置	BOTTOM
处于峰值回流温度下的最长时间	NOT SPECIFIED
宽度	11 mm
Base Number Matches	1

器件捷径: A0 A1 A2 A3 A4 A5 A6 A7 A8 A9 AA AB AC AD AE AF AG AH AI AJ AK AL AM AN AO AP AQ AR AS AT AU AV AW AX AY AZ B0 B1 B2 B3 B4 B5 B6 B7 B8 B9 BA BB BC BD BE BF BG BH BI BJ BK BL BM BN BO BP BQ BR BS BT BU BV BW BX BY BZ C0 C1 C2 C3 C4 C5 C6 C7 C8 C9 CA CB CC CD CE CF CG CH CI CJ CK CL CM CN CO CP CQ CR CS CT CU CV CW CX CY CZ D0 D1 D2 D3 D4 D5 D6 D7 D8 D9 DA DB DC DD DE DF DG DH DI DJ DK DL DM DN DO DP DQ DR DS DT DU DV DW DX DZ

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