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BDS60B

产品描述Transistor,
产品类别分立半导体    晶体管   
文件大小296KB,共7页
制造商North American Philips Discrete Products Div
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BDS60B概述

Transistor,

BDS60B规格参数

参数名称属性值
是否Rohs认证不符合
包装说明,
Reach Compliance Codeunknown
最大集电极电流 (IC)3 A
配置DARLINGTON
最小直流电流增益 (hFE)750
JESD-609代码e0
最高工作温度150 °C
极性/信道类型PNP
最大功率耗散 (Abs)8 W
表面贴装YES
端子面层Tin/Lead (Sn/Pb)
标称过渡频率 (fT)10 MHz
Base Number Matches1

BDS60B相似产品对比

BDS60B BDS60C BDS60A
描述 Transistor, Transistor, Transistor,
是否Rohs认证 不符合 不符合 不符合
Reach Compliance Code unknown unknown unknown
最大集电极电流 (IC) 3 A 3 A 3 A
配置 DARLINGTON DARLINGTON DARLINGTON
最小直流电流增益 (hFE) 750 750 750
JESD-609代码 e0 e0 e0
最高工作温度 150 °C 150 °C 150 °C
极性/信道类型 PNP PNP PNP
最大功率耗散 (Abs) 8 W 8 W 8 W
表面贴装 YES YES YES
端子面层 Tin/Lead (Sn/Pb) Tin/Lead (Sn/Pb) Tin/Lead (Sn/Pb)
标称过渡频率 (fT) 10 MHz 10 MHz 10 MHz
Base Number Matches 1 1 -
厂商名称 - North American Philips Discrete Products Div North American Philips Discrete Products Div
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