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V33EDCO

产品描述Variable Capacitance Diode, 33pF C(T), 66V, Silicon, DIE-1
产品类别分立半导体    二极管   
文件大小33KB,共1页
制造商Cobham PLC
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V33EDCO概述

Variable Capacitance Diode, 33pF C(T), 66V, Silicon, DIE-1

V33EDCO规格参数

参数名称属性值
零件包装代码DIE
包装说明O-LALF-W2
针数1
Reach Compliance Codeunknown
ECCN代码EAR99
其他特性LOW LEAKAGE
最小击穿电压66 V
外壳连接ISOLATED
配置SINGLE
二极管电容容差1%
最小二极管电容比6.5
标称二极管电容33 pF
二极管元件材料SILICON
二极管类型VARIABLE CAPACITANCE DIODE
JESD-30 代码O-LALF-W2
元件数量1
端子数量2
最高工作温度150 °C
最低工作温度-65 °C
封装主体材料GLASS
封装形状ROUND
封装形式LONG FORM
认证状态Not Qualified
最小质量因数7
最大反向电流0.1 µA
反向测试电压60 V
表面贴装NO
端子形式WIRE
端子位置AXIAL
Base Number Matches1
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