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CM1200HA-66H

产品描述Insulated Gate Bipolar Transistor, 1200A I(C), 3300V V(BR)CES, N-Channel, POWER MODULE-9
产品类别分立半导体    晶体管   
文件大小85KB,共2页
制造商POWEREX
官网地址http://www.pwrx.com/Home.aspx
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CM1200HA-66H概述

Insulated Gate Bipolar Transistor, 1200A I(C), 3300V V(BR)CES, N-Channel, POWER MODULE-9

CM1200HA-66H规格参数

参数名称属性值
厂商名称POWEREX
零件包装代码MODULE
包装说明FLANGE MOUNT, R-MUFM-X9
针数9
Reach Compliance Codeunknown
最大集电极电流 (IC)1200 A
集电极-发射极最大电压3300 V
配置COMPLEX
门极-发射极最大电压20 V
JESD-30 代码R-MUFM-X9
元件数量3
端子数量9
最高工作温度150 °C
封装主体材料METAL
封装形状RECTANGULAR
封装形式FLANGE MOUNT
极性/信道类型N-CHANNEL
最大功率耗散 (Abs)10240 W
认证状态Not Qualified
表面贴装NO
端子形式UNSPECIFIED
端子位置UPPER
晶体管元件材料SILICON
标称断开时间 (toff)3500 ns
标称接通时间 (ton)1600 ns
VCEsat-Max5.72 V

CM1200HA-66H相似产品对比

CM1200HA-66H CM800HA-50H CM1200HB-50H CM800HA-66H
描述 Insulated Gate Bipolar Transistor, 1200A I(C), 3300V V(BR)CES, N-Channel, POWER MODULE-9 Insulated Gate Bipolar Transistor, 800A I(C), 2500V V(BR)CES, N-Channel, POWER MODULE-7 Insulated Gate Bipolar Transistor, 1200A I(C), 2500V V(BR)CES, N-Channel, POWER MODULE-9 Insulated Gate Bipolar Transistor, 800A I(C), 3300V V(BR)CES, N-Channel, POWER MODULE-7
厂商名称 POWEREX POWEREX POWEREX POWEREX
零件包装代码 MODULE MODULE MODULE MODULE
包装说明 FLANGE MOUNT, R-MUFM-X9 FLANGE MOUNT, R-MUFM-X5 FLANGE MOUNT, R-MUFM-X9 FLANGE MOUNT, R-MUFM-X5
针数 9 7 9 7
Reach Compliance Code unknown unknown unknown unknown
最大集电极电流 (IC) 1200 A 800 A 1200 A 800 A
集电极-发射极最大电压 3300 V 2500 V 2500 V 3300 V
配置 COMPLEX SINGLE WITH BUILT-IN DIODE COMPLEX SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
门极-发射极最大电压 20 V 20 V 20 V 20 V
JESD-30 代码 R-MUFM-X9 R-MUFM-X5 R-MUFM-X9 R-MUFM-X5
元件数量 3 1 3 1
端子数量 9 5 9 5
最高工作温度 150 °C 150 °C 150 °C 150 °C
封装主体材料 METAL METAL METAL METAL
封装形状 RECTANGULAR RECTANGULAR RECTANGULAR RECTANGULAR
封装形式 FLANGE MOUNT FLANGE MOUNT FLANGE MOUNT FLANGE MOUNT
极性/信道类型 N-CHANNEL N-CHANNEL N-CHANNEL N-CHANNEL
最大功率耗散 (Abs) 10240 W 6940 W 15630 W 6940 W
认证状态 Not Qualified Not Qualified Not Qualified Not Qualified
表面贴装 NO NO NO NO
端子形式 UNSPECIFIED UNSPECIFIED UNSPECIFIED UNSPECIFIED
端子位置 UPPER UPPER UPPER UPPER
晶体管元件材料 SILICON SILICON SILICON SILICON
标称断开时间 (toff) 3500 ns 3500 ns 3500 ns 3500 ns
标称接通时间 (ton) 1600 ns 1600 ns 1600 ns 1600 ns
VCEsat-Max 5.72 V 4.16 V 3.64 V 5.72 V
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