M54HC11D1,M54HC11D1 pdf中文资料,M54HC11D1引脚图,M54HC11D1电路-Datasheet-电子工程世界

M54HC11D1: 产品描述RAD-HARD TRIPLE 3-INPUT AND GATE; 产品类别逻辑逻辑; 文件大小105KB，共8页; 制造商ST(意法半导体); 官网地址http://www.st.com/

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M54HC11D1概述

RAD-HARD TRIPLE 3-INPUT AND GATE

M54HC11D1规格参数

参数名称	属性值
是否无铅	含铅
是否Rohs认证	不符合
厂商名称	ST(意法半导体)
零件包装代码	DIP
包装说明	DIP, DIP14,.3
针数	14
Reach Compliance Code	_compli
系列	HC/UH
JESD-30 代码	R-CDIP-T14
JESD-609代码	e0
长度	19 mm
负载电容（CL）	50 pF
逻辑集成电路类型	AND GATE
最大I（ol）	0.004 A
功能数量	3
输入次数	3
端子数量	14
最高工作温度	125 °C
最低工作温度	-55 °C
封装主体材料	CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED
封装代码	DIP
封装等效代码	DIP14,.3
封装形状	RECTANGULAR
封装形式	IN-LINE
峰值回流温度（摄氏度）	NOT SPECIFIED
电源	2/6 V
Prop。Delay @ Nom-Su	26 ns
传播延迟（tpd）	130 ns
认证状态	Not Qualified
施密特触发器	NO
座面最大高度	3.7 mm
最大供电电压 (Vsup)	6 V
最小供电电压 (Vsup)	2 V
标称供电电压 (Vsup)	4.5 V
表面贴装	NO
技术	CMOS
温度等级	MILITARY
端子面层	Tin/Lead (Sn/Pb)
端子形式	THROUGH-HOLE
端子节距	2.54 mm
端子位置	DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间	NOT SPECIFIED
总剂量	50k Rad(Si) V
宽度	7.62 mm

M54HC11D1相似产品对比

	M54HC11D1	M54HC11K	M54HC11D	M54HC11_04	M54HC11	M54HC11K1
描述	RAD-HARD TRIPLE 3-INPUT AND GATE	RAD-HARD TRIPLE 3-INPUT AND GATE	RAD-HARD TRIPLE 3-INPUT AND GATE	RAD-HARD TRIPLE 3-INPUT AND GATE	RAD-HARD TRIPLE 3-INPUT AND GATE	RAD-HARD TRIPLE 3-INPUT AND GATE
是否Rohs认证	不符合	不符合	不符合	-	-	不符合
厂商名称	ST(意法半导体)	ST(意法半导体)	ST(意法半导体)	-	-	ST(意法半导体)
零件包装代码	DIP	DFP	DIP	-	-	DFP
包装说明	DIP, DIP14,.3	DFP, FL14,.3	DIP, DIP14,.3	-	-	DFP, FL14,.3
针数	14	14	14	-	-	14
Reach Compliance Code	_compli	_compli	_compli	-	-	_compli
系列	HC/UH	HC/UH	HC/UH	-	-	HC/UH
JESD-30 代码	R-CDIP-T14	R-CDFP-F14	R-CDIP-T14	-	-	R-CDFP-F14
JESD-609代码	e0	e0	e0	-	-	e0
长度	19 mm	9.95 mm	19 mm	-	-	9.95 mm
负载电容（CL）	50 pF	50 pF	50 pF	-	-	50 pF
逻辑集成电路类型	AND GATE	AND GATE	AND GATE	-	-	AND GATE
最大I（ol）	0.004 A	0.004 A	0.004 A	-	-	0.004 A
功能数量	3	3	3	-	-	3
输入次数	3	3	3	-	-	3
端子数量	14	14	14	-	-	14
最高工作温度	125 °C	125 °C	125 °C	-	-	125 °C
最低工作温度	-55 °C	-55 °C	-55 °C	-	-	-55 °C
封装主体材料	CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED	CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED	CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED	-	-	CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED
封装代码	DIP	DFP	DIP	-	-	DFP
封装等效代码	DIP14,.3	FL14,.3	DIP14,.3	-	-	FL14,.3
封装形状	RECTANGULAR	RECTANGULAR	RECTANGULAR	-	-	RECTANGULAR
封装形式	IN-LINE	FLATPACK	IN-LINE	-	-	FLATPACK
峰值回流温度（摄氏度）	NOT SPECIFIED	NOT SPECIFIED	NOT SPECIFIED	-	-	NOT SPECIFIED
电源	2/6 V	2/6 V	2/6 V	-	-	2/6 V
Prop。Delay @ Nom-Su	26 ns	26 ns	26 ns	-	-	26 ns
传播延迟（tpd）	130 ns	130 ns	130 ns	-	-	130 ns
认证状态	Not Qualified	Not Qualified	Not Qualified	-	-	Not Qualified
施密特触发器	NO	NO	NO	-	-	NO
最大供电电压 (Vsup)	6 V	6 V	6 V	-	-	6 V
最小供电电压 (Vsup)	2 V	2 V	2 V	-	-	2 V
标称供电电压 (Vsup)	4.5 V	4.5 V	4.5 V	-	-	4.5 V
表面贴装	NO	YES	NO	-	-	YES
技术	CMOS	CMOS	CMOS	-	-	CMOS
温度等级	MILITARY	MILITARY	MILITARY	-	-	MILITARY
端子面层	Tin/Lead (Sn/Pb)	TIN LEAD	Tin/Lead (Sn/Pb)	-	-	TIN LEAD
端子形式	THROUGH-HOLE	FLAT	THROUGH-HOLE	-	-	FLAT
端子节距	2.54 mm	1.27 mm	2.54 mm	-	-	1.27 mm
端子位置	DUAL	DUAL	DUAL	-	-	DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间	NOT SPECIFIED	NOT SPECIFIED	NOT SPECIFIED	-	-	NOT SPECIFIED
总剂量	50k Rad(Si) V	50k Rad(Si) V	50k Rad(Si) V	-	-	50k Rad(Si) V
宽度	7.62 mm	6.91 mm	7.62 mm	-	-	6.91 mm

推荐资源

器件捷径: L0 L1 L2 L3 L4 L5 L6 L7 L8 L9 LA LB LC LD LE LF LG LH LI LJ LK LL LM LN LO LP LQ LR LS LT LU LV LW LX LY LZ M0 M1 M2 M3 M4 M5 M6 M7 M8 M9 MA MB MC MD ME MF MG MH MI MJ MK ML MM MN MO MP MQ MR MS MT MU MV MW MX MY MZ N0 N1 N2 N3 N4 N5 N6 N7 N8 NA NB NC ND NE NF NG NH NI NJ NK NL NM NN NO NP NQ NR NS NT NU NV NX NZ O0 O1 O2 O3 OA OB OC OD OE OF OG OH OI OJ OK OL OM ON OP OQ OR OS OT OV OX OY OZ P0 P1 P2 P3 P4 P5 P6 P7 P8 P9 PA PB PC PD PE PF PG PH PI PJ PK PL PM PN PO PP PQ PR PS PT PU PV PW PX PY PZ Q1 Q2 Q3 Q4 Q5 Q6 Q8 Q9 QA QB QC QE QF QG QH QK QL QM QP QR QS QT QV QW QX QY R0 R1 R2 R3 R4 R5 R6 R7 R8 R9 RA RB RC RD RE RF RG RH RI RJ RK RL RM RN RO RP RQ RR RS RT RU RV RW RX RY RZ

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