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M54HC11_04

产品描述RAD-HARD TRIPLE 3-INPUT AND GATE
文件大小105KB,共8页
制造商ST(意法半导体)
官网地址http://www.st.com/
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M54HC11_04概述

RAD-HARD TRIPLE 3-INPUT AND GATE

M54HC11_04相似产品对比

M54HC11_04 M54HC11K M54HC11D M54HC11 M54HC11K1 M54HC11D1
描述 RAD-HARD TRIPLE 3-INPUT AND GATE RAD-HARD TRIPLE 3-INPUT AND GATE RAD-HARD TRIPLE 3-INPUT AND GATE RAD-HARD TRIPLE 3-INPUT AND GATE RAD-HARD TRIPLE 3-INPUT AND GATE RAD-HARD TRIPLE 3-INPUT AND GATE
是否Rohs认证 - 不符合 不符合 - 不符合 不符合
厂商名称 - ST(意法半导体) ST(意法半导体) - ST(意法半导体) ST(意法半导体)
零件包装代码 - DFP DIP - DFP DIP
包装说明 - DFP, FL14,.3 DIP, DIP14,.3 - DFP, FL14,.3 DIP, DIP14,.3
针数 - 14 14 - 14 14
Reach Compliance Code - _compli _compli - _compli _compli
系列 - HC/UH HC/UH - HC/UH HC/UH
JESD-30 代码 - R-CDFP-F14 R-CDIP-T14 - R-CDFP-F14 R-CDIP-T14
JESD-609代码 - e0 e0 - e0 e0
长度 - 9.95 mm 19 mm - 9.95 mm 19 mm
负载电容(CL) - 50 pF 50 pF - 50 pF 50 pF
逻辑集成电路类型 - AND GATE AND GATE - AND GATE AND GATE
最大I(ol) - 0.004 A 0.004 A - 0.004 A 0.004 A
功能数量 - 3 3 - 3 3
输入次数 - 3 3 - 3 3
端子数量 - 14 14 - 14 14
最高工作温度 - 125 °C 125 °C - 125 °C 125 °C
最低工作温度 - -55 °C -55 °C - -55 °C -55 °C
封装主体材料 - CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED - CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED
封装代码 - DFP DIP - DFP DIP
封装等效代码 - FL14,.3 DIP14,.3 - FL14,.3 DIP14,.3
封装形状 - RECTANGULAR RECTANGULAR - RECTANGULAR RECTANGULAR
封装形式 - FLATPACK IN-LINE - FLATPACK IN-LINE
峰值回流温度(摄氏度) - NOT SPECIFIED NOT SPECIFIED - NOT SPECIFIED NOT SPECIFIED
电源 - 2/6 V 2/6 V - 2/6 V 2/6 V
Prop。Delay @ Nom-Su - 26 ns 26 ns - 26 ns 26 ns
传播延迟(tpd) - 130 ns 130 ns - 130 ns 130 ns
认证状态 - Not Qualified Not Qualified - Not Qualified Not Qualified
施密特触发器 - NO NO - NO NO
最大供电电压 (Vsup) - 6 V 6 V - 6 V 6 V
最小供电电压 (Vsup) - 2 V 2 V - 2 V 2 V
标称供电电压 (Vsup) - 4.5 V 4.5 V - 4.5 V 4.5 V
表面贴装 - YES NO - YES NO
技术 - CMOS CMOS - CMOS CMOS
温度等级 - MILITARY MILITARY - MILITARY MILITARY
端子面层 - TIN LEAD Tin/Lead (Sn/Pb) - TIN LEAD Tin/Lead (Sn/Pb)
端子形式 - FLAT THROUGH-HOLE - FLAT THROUGH-HOLE
端子节距 - 1.27 mm 2.54 mm - 1.27 mm 2.54 mm
端子位置 - DUAL DUAL - DUAL DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间 - NOT SPECIFIED NOT SPECIFIED - NOT SPECIFIED NOT SPECIFIED
总剂量 - 50k Rad(Si) V 50k Rad(Si) V - 50k Rad(Si) V 50k Rad(Si) V
宽度 - 6.91 mm 7.62 mm - 6.91 mm 7.62 mm
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