IRHG4214,IRHG4214 pdf中文资料,IRHG4214引脚图,IRHG4214电路-Datasheet-电子工程世界

IRHG4214: 产品描述RADIATION HARDENED POWER MOSFET THRU-HOLE; 产品类别分立半导体晶体管; 文件大小242KB，共8页; 制造商International Rectifier （ Infineon ）; 官网地址http://www.irf.com/

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IRHG4214概述

RADIATION HARDENED POWER MOSFET THRU-HOLE

IRHG4214规格参数

参数名称	属性值
是否无铅	含铅
是否Rohs认证	不符合
厂商名称	International Rectifier （ Infineon ）
包装说明	IN-LINE, R-CDIP-T14
Reach Compliance Code	compli
ECCN代码	EAR99
雪崩能效等级（Eas）	75 mJ
配置	SEPARATE, 4 ELEMENTS
最小漏源击穿电压	250 V
最大漏极电流 (Abs) (ID)	0.5 A
最大漏极电流 (ID)	0.5 A
最大漏源导通电阻	2.4 Ω
FET 技术	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JEDEC-95代码	MO-036AB
JESD-30 代码	R-CDIP-T14
JESD-609代码	e0
元件数量	4
端子数量	14
工作模式	ENHANCEMENT MODE
最高工作温度	150 °C
封装主体材料	CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED
封装形状	RECTANGULAR
封装形式	IN-LINE
峰值回流温度（摄氏度）	NOT SPECIFIED
极性/信道类型	N-CHANNEL
最大功率耗散 (Abs)	1.4 W
最大脉冲漏极电流 (IDM)	2 A
认证状态	Not Qualified
表面贴装	NO
端子面层	TIN LEAD
端子形式	THROUGH-HOLE
端子位置	DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间	NOT SPECIFIED
晶体管应用	SWITCHING
晶体管元件材料	SILICON

IRHG4214相似产品对比

	IRHG4214	IRHG3214	IRHG7214	IRHG8214
描述	RADIATION HARDENED POWER MOSFET THRU-HOLE	RADIATION HARDENED POWER MOSFET THRU-HOLE	RADIATION HARDENED POWER MOSFET THRU-HOLE	RADIATION HARDENED POWER MOSFET THRU-HOLE
是否Rohs认证	不符合	不符合	不符合	不符合
厂商名称	International Rectifier （ Infineon ）	International Rectifier （ Infineon ）	International Rectifier （ Infineon ）	International Rectifier （ Infineon ）
包装说明	IN-LINE, R-CDIP-T14	IN-LINE, R-CDIP-T14	IN-LINE, R-CDIP-T14	IN-LINE, R-CDIP-T14
Reach Compliance Code	compli	compliant	compli	unknow
ECCN代码	EAR99	EAR99	EAR99	EAR99
雪崩能效等级（Eas）	75 mJ	75 mJ	75 mJ	75 mJ
配置	SEPARATE, 4 ELEMENTS	SEPARATE, 4 ELEMENTS	SEPARATE, 4 ELEMENTS	SEPARATE, 4 ELEMENTS
最小漏源击穿电压	250 V	250 V	250 V	250 V
最大漏极电流 (Abs) (ID)	0.5 A	0.5 A	0.5 A	0.5 A
最大漏极电流 (ID)	0.5 A	0.5 A	0.5 A	0.5 A
最大漏源导通电阻	2.4 Ω	2.4 Ω	2.4 Ω	2.4 Ω
FET 技术	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JEDEC-95代码	MO-036AB	MO-036AB	MO-036AB	MO-036AB
JESD-30 代码	R-CDIP-T14	R-CDIP-T14	R-CDIP-T14	R-CDIP-T14
JESD-609代码	e0	e0	e0	e0
元件数量	4	4	4	4
端子数量	14	14	14	14
工作模式	ENHANCEMENT MODE	ENHANCEMENT MODE	ENHANCEMENT MODE	ENHANCEMENT MODE
最高工作温度	150 °C	150 °C	150 °C	150 °C
封装主体材料	CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED	CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED	CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED	CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED
封装形状	RECTANGULAR	RECTANGULAR	RECTANGULAR	RECTANGULAR
封装形式	IN-LINE	IN-LINE	IN-LINE	IN-LINE
极性/信道类型	N-CHANNEL	N-CHANNEL	N-CHANNEL	N-CHANNEL
最大功率耗散 (Abs)	1.4 W	1.4 W	1.4 W	1.4 W
最大脉冲漏极电流 (IDM)	2 A	2 A	2 A	2 A
认证状态	Not Qualified	Not Qualified	Not Qualified	Not Qualified
表面贴装	NO	NO	NO	NO
端子面层	TIN LEAD	TIN LEAD	Tin/Lead (Sn/Pb)	Tin/Lead (Sn/Pb)
端子形式	THROUGH-HOLE	THROUGH-HOLE	THROUGH-HOLE	THROUGH-HOLE
端子位置	DUAL	DUAL	DUAL	DUAL
晶体管应用	SWITCHING	SWITCHING	SWITCHING	SWITCHING
晶体管元件材料	SILICON	SILICON	SILICON	SILICON
峰值回流温度（摄氏度）	NOT SPECIFIED	NOT SPECIFIED	NOT SPECIFIED	-
处于峰值回流温度下的最长时间	NOT SPECIFIED	NOT SPECIFIED	NOT SPECIFIED	-

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