RADIATION HARDENED POWER MOSFET THRU-HOLE
| 参数名称 | 属性值 |
| 是否无铅 | 含铅 |
| 是否Rohs认证 | 不符合 |
| 厂商名称 | International Rectifier （ Infineon ） |
| 包装说明 | IN-LINE, R-CDIP-T14 |
| Reach Compliance Code | compliant |
| ECCN代码 | EAR99 |
| 雪崩能效等级（Eas） | 75 mJ |
| 配置 | SEPARATE, 4 ELEMENTS |
| 最小漏源击穿电压 | 250 V |
| 最大漏极电流 (Abs) (ID) | 0.5 A |
| 最大漏极电流 (ID) | 0.5 A |
| 最大漏源导通电阻 | 2.4 Ω |
| FET 技术 | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR |
| JEDEC-95代码 | MO-036AB |
| JESD-30 代码 | R-CDIP-T14 |
| JESD-609代码 | e0 |
| 元件数量 | 4 |
| 端子数量 | 14 |
| 工作模式 | ENHANCEMENT MODE |
| 最高工作温度 | 150 °C |
| 封装主体材料 | CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED |
| 封装形状 | RECTANGULAR |
| 封装形式 | IN-LINE |
| 峰值回流温度（摄氏度） | NOT SPECIFIED |
| 极性/信道类型 | N-CHANNEL |
| 最大功率耗散 (Abs) | 1.4 W |
| 最大脉冲漏极电流 (IDM) | 2 A |
| 认证状态 | Not Qualified |
| 表面贴装 | NO |
| 端子面层 | TIN LEAD |
| 端子形式 | THROUGH-HOLE |
| 端子位置 | DUAL |
| 处于峰值回流温度下的最长时间 | NOT SPECIFIED |
| 晶体管应用 | SWITCHING |
| 晶体管元件材料 | SILICON |
| IRHG3214 | IRHG4214 | IRHG7214 | IRHG8214 | |
|---|---|---|---|---|
| 描述 | RADIATION HARDENED POWER MOSFET THRU-HOLE | RADIATION HARDENED POWER MOSFET THRU-HOLE | RADIATION HARDENED POWER MOSFET THRU-HOLE | RADIATION HARDENED POWER MOSFET THRU-HOLE |
| 是否Rohs认证 | 不符合 | 不符合 | 不符合 | 不符合 |
| 厂商名称 | International Rectifier （ Infineon ） | International Rectifier （ Infineon ） | International Rectifier （ Infineon ） | International Rectifier （ Infineon ） |
| 包装说明 | IN-LINE, R-CDIP-T14 | IN-LINE, R-CDIP-T14 | IN-LINE, R-CDIP-T14 | IN-LINE, R-CDIP-T14 |
| Reach Compliance Code | compliant | compli | compli | unknow |
| ECCN代码 | EAR99 | EAR99 | EAR99 | EAR99 |
| 雪崩能效等级（Eas） | 75 mJ | 75 mJ | 75 mJ | 75 mJ |
| 配置 | SEPARATE, 4 ELEMENTS | SEPARATE, 4 ELEMENTS | SEPARATE, 4 ELEMENTS | SEPARATE, 4 ELEMENTS |
| 最小漏源击穿电压 | 250 V | 250 V | 250 V | 250 V |
| 最大漏极电流 (Abs) (ID) | 0.5 A | 0.5 A | 0.5 A | 0.5 A |
| 最大漏极电流 (ID) | 0.5 A | 0.5 A | 0.5 A | 0.5 A |
| 最大漏源导通电阻 | 2.4 Ω | 2.4 Ω | 2.4 Ω | 2.4 Ω |
| FET 技术 | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR |
| JEDEC-95代码 | MO-036AB | MO-036AB | MO-036AB | MO-036AB |
| JESD-30 代码 | R-CDIP-T14 | R-CDIP-T14 | R-CDIP-T14 | R-CDIP-T14 |
| JESD-609代码 | e0 | e0 | e0 | e0 |
| 元件数量 | 4 | 4 | 4 | 4 |
| 端子数量 | 14 | 14 | 14 | 14 |
| 工作模式 | ENHANCEMENT MODE | ENHANCEMENT MODE | ENHANCEMENT MODE | ENHANCEMENT MODE |
| 最高工作温度 | 150 °C | 150 °C | 150 °C | 150 °C |
| 封装主体材料 | CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED | CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED | CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED | CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED |
| 封装形状 | RECTANGULAR | RECTANGULAR | RECTANGULAR | RECTANGULAR |
| 封装形式 | IN-LINE | IN-LINE | IN-LINE | IN-LINE |
| 极性/信道类型 | N-CHANNEL | N-CHANNEL | N-CHANNEL | N-CHANNEL |
| 最大功率耗散 (Abs) | 1.4 W | 1.4 W | 1.4 W | 1.4 W |
| 最大脉冲漏极电流 (IDM) | 2 A | 2 A | 2 A | 2 A |
| 认证状态 | Not Qualified | Not Qualified | Not Qualified | Not Qualified |
| 表面贴装 | NO | NO | NO | NO |
| 端子面层 | TIN LEAD | TIN LEAD | Tin/Lead (Sn/Pb) | Tin/Lead (Sn/Pb) |
| 端子形式 | THROUGH-HOLE | THROUGH-HOLE | THROUGH-HOLE | THROUGH-HOLE |
| 端子位置 | DUAL | DUAL | DUAL | DUAL |
| 晶体管应用 | SWITCHING | SWITCHING | SWITCHING | SWITCHING |
| 晶体管元件材料 | SILICON | SILICON | SILICON | SILICON |
| 峰值回流温度（摄氏度） | NOT SPECIFIED | NOT SPECIFIED | NOT SPECIFIED | - |
| 处于峰值回流温度下的最长时间 | NOT SPECIFIED | NOT SPECIFIED | NOT SPECIFIED | - |
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